张国艳
- 作品数：36 被引量：43H指数：3
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 可减小增益波动的压控振荡器
- 本发明公开了一种可减小增益波动的压控振荡器，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路的电容为变容管电容和耦合电容串联，再与数字控制的开关电容并联而成，所述耦合电容也为数字控制的开关电容。本发明使用数字...
- 石浩张国艳廖怀林黄如张兴王阳元
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- 调制器的调制方法
- 本发明提供一种SIGMA－DELTA调制器的调制方法，属于模—数转换和小数分频频率综合器的应用领域。该方法与现有技术不同在于，将SIGMA－DELTA调制器的输出信号通过反馈电路反馈回SIGMA－DELTA调制器中。本发...
- 刘军华石浩张国艳廖怀林黄如张兴
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- SOI数模混合集成电路的串扰特性分析被引量：1
- 2002年
- 采用二维 TMA Medici模拟软件对 SOI结构的串扰特性进行了分析 .模拟发现随着频率的增加 ,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用 ,同时 ,连接 SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响 .还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析 ,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究 .并给出了 SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响 ,所得到的结果对设计低噪声耦合的
- 张国艳黄如张兴王阳元
- 关键词：SOI数模混合集成电路
- SOC硅衬底的加工方法
- 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，...
- 杨利张国艳廖怀林周毅宋睿丰延涛刘军华黄如张兴
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- CMOS射频集成电路的研究进展被引量：28
- 2004年
- 近年来,射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展,CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨,着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案;分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展;展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。
- 张国艳黄如张兴王阳元
- 关键词：CMOS射频集成电路低噪声放大器混频器压控振荡器
- 低压低功耗高隔离度差分放大器
- 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾...
- 宋睿丰廖怀林张国艳
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- SOI MOSFET的失真行为(英文)
- 2003年
- 采用幂级数方法对基于全耗尽 (FD)SOIMOSFET和凹陷 (RC)沟道SOIMOSFET的失真行为进行了研究 ,发现随着沟道长度的减小失真行为变坏 ,且RCSOI器件较FD器件具有更好的失真行为 .同时 ,从实验数据可以看出 ,不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏 .
- 张国艳黄如张兴王阳元
- 关键词：幂级数SOIMOSFET
- 低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器
- 本发明提供一种低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器，该混频器包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件、电阻、电感、电容，将射频信号和本振信号同时加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置电压以保证器件工...
- 宋睿丰张国艳廖怀林黄如
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- 用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)
- 2006年
- 介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性。ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析。通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系。
- 杨利周毅张国艳廖怀林黄如张兴王阳元
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀后处理工艺
- SOI模拟和数模混合电路的相关特性研究
- SOI（Silicon-On-Insulator）CMOS技术在如速度、功耗、隔离、线性度及缩小极限等许多方面具有了体硅CMOS技术所无法比拟的优点,这为SOI CMOS技术在模拟和数模混合电路中的应用提供了可能性.该论...
- 张国艳
- 关键词：SOI数模混合电路
