张春光
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光被引量：1
- 2005年
- 利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1 050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态.AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368 nm左右.PL结果表明,在850～1 050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1 050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr3+的热激活能为5.8 eV.
- 宋淑芳陈维德张春光卞留芳许振嘉
- 关键词：GANPR光致发光
- 磁控溅射制备掺稀土GaN及性质的研究
- 发光显示器件采用磁控溅射掺稀土GaN薄膜具有明显的优越性，磁控溅射的制备方法具有成本低，大面积，容易工业化等特点。因此，为了实现采用磁控溅射的方法生长掺稀土GaN薄膜及其在发光显示器件中的应用的目的，本文进行以下四个方面...
- 张春光
- 关键词：磁控溅射GAN薄膜掺稀土红外光致发光退火温度
- 衬底对磁控溅射生长GaN薄膜相结构影响
- 本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光光谱和Raman散射谱等技术对薄膜的结构进行表征.结果表明...
- 张春光陈维德
- 关键词：GAN薄膜光致发光光谱相结构
- 文献传递
- 掺铕GaN薄膜的Raman散射研究被引量：2
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明,1000℃的高温退火导致了GaN的分解。
- 张春光卞留芳陈维德
- 关键词：GANEU金属有机物化学气相沉积RAMAN散射铕
- GaN注入Eu的光致发光特性的研究
- 张春光陈维德卞留芳许振嘉
- 文献传递
- 掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性
- 2006年
- 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响。结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。
- 卞留芳张春光陈维德许振嘉屈玉华刁宏伟
- 关键词：ERSIC硅基材料发光稀土
