朱金辉
- 作品数：74 被引量：74H指数：5
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 闪烁薄膜中子探测器灵敏度Monte Carlo计算被引量：1
- 2007年
- 闪烁薄膜探测器的灵敏度和中子/γ分辨能力与闪烁晶体厚度密切相关,合理选择闪烁晶体厚度是探测器设计的关键.该文应用Monte Carlo方法模拟了中子和γ射线与闪烁晶体的相互作用过程,计算研究了晶体厚度对探测器灵敏度及中子/γ分辨能力的影响,给出了0.1～16.0MeV中子和γ射线照射下探测器的相对灵敏度,并结合部分能点的实验室标定数据,得到了探测器灵敏度能量响应曲线和中子/γ分辨率.理论计算的灵敏度能量响应曲线与实验标定趋势基本一致.
- 牛胜利朱金辉张国光谢红刚
- 关键词：灵敏度MONTECARLO方法
- 薄靶闪烁探测器荧光接收效率的Monte Carlo模拟
- 2007年
- 该文给出了一种闪烁探测器荧光接收效率的Monte Carlo模拟方法,模拟了光子在闪烁体中的输运及在闪烁体表面的反射和透射现象,考虑到光在闪烁体表面的漫反射和漫透射,采用Phong反射模型和Hall透射模型,计算了探测器的光阴极在不同方位时对光的接收效率。理论模拟结果表明,荧光的接收效率与闪烁体的表面粗糙度有关,在120°方向附近荧光的接收效率最大,与实验结果符合得较好。
- 朱金辉张国光张建福
- 关键词：MONTECARLO模拟
- 阴极微凸起形状对热不稳定性的影响被引量：4
- 2013年
- 为了研究阴极微凸起形状对其热不稳定性的影响,采用数值模拟方法研究了不同外加电场条件下,圆柱、圆台和圆锥形等不同形状微凸起的热不稳定性发展过程。结果显示:对于不同形状的微凸起,当微凸起顶部温度达到阴极材料的熔点时,微凸起内部温度分布差异显著,随着微凸起形状由圆柱-圆台-圆锥形变化,微凸起内部温度接近材料熔点的部位越来越少;外加电场相同时,微凸起形状越接近圆锥形,爆炸电子发射延迟时间越长;在阴极表面电场强度高于11GV/m时,爆炸电子发射延迟时间随着微凸起顶底半径比值的减小或阴极表面电场强度的下降近似成指数规律增长。
- 左应红王建国范如玉朱金辉牛胜利
- 关键词：阴极场致发射热不稳定性
- 金属氧化物半导体场效应管长期辐射效应的数值模拟被引量：7
- 2013年
- 将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的长期辐射效应。二氧化硅中的陷阱电荷及硅中的自由电子和空穴均使用漂移扩散模型来描述,入射粒子的能量沉积可作为源项耦合至漂移扩散模型方程,并根据有限体积法得到控制方程的离散格式,方程的数值解即为MOSFET的长期辐射响应结果。使用该方法模拟了MOSFET受射线粒子辐照后的阈值电压漂移与关态漏电流现象。结果表明,耦合方法适用于典型半导体器件长期辐射效应模拟,其阈值电压漂移及漏电流计算结果与文献符合较好。
- 韦源谢红刚贡顶朱金辉牛胜利黄流兴
- 关键词：总剂量效应漏电流
- MOS管长期辐射效应的数值模拟
- 本文将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型MOS管的长期辐射效应。使用漂移扩散模型来描述二氧化硅中的陷阱电荷及硅中的自由电子和空穴。入射粒子的能量沉积作为源项耦合至漂移扩散模型方程，并根据有限...
- 韦源谢红刚贡顶朱金辉牛胜利黄流兴
- 关键词：蒙特卡罗法有限体积法
- 文献传递
- 场致发射的温度效应对微波管爆炸电子发射的影响被引量：2
- 2013年
- 为研究场致发射的温度效应对微波管中爆炸电子发射过程的影响,在对比分析低温条件下的场致发射电流密度Fowler-Nordheim(FN)和一般的电子发射电流密度积分公式的基础上,利用细长圆柱形微凸起模型,重点考虑焦耳加热和热传导两个因素,编程计算得到了微凸起内部的温度分布和不同位置处温度随时间的变化。结果表明:场致发射的温度效应是一个重要影响因素,考虑温度对场致发射的影响后,微凸起内部各点的温度随时间呈非线性增长,且增长速率越来越大;在微波电场强度较弱时,若不考虑场致发射的温度效应而直接用FN公式表示的电流密度代入计算,会使爆炸发射延迟时间变短;当微波电场很强时,温度效应对爆炸发射延迟时间的影响则较小。
- 左应红王建国范如玉朱金辉牛胜利
- 关键词：场致发射温度效应脉冲缩短微波管
- 热场致电子发射阴极表面电场瞬态响应特性模拟被引量：3
- 2017年
- 为研究热场致电子发射过程中复杂的非线性空间电荷限制效应和阴极表面电场的瞬态物理过程及特性,基于通用积分形式的热场致电子发射电流密度理论,建立了平板二极管的静电粒子模拟物理模型,以热场致电子发射阴极为边界,模拟获得了热场致发射阴极表面电场的瞬态时间响应曲线。研究结果表明,热场致电子发射过程中,阴极表面电场在皮秒量级时间尺度上呈现为振荡过程,振荡波形特征受二极管间隙距离、阴极材料、逸出功等几何参数和外加电场、温度等运行参数影响;振荡后,二极管阴极表面电场将达到稳定状态,模拟得到的稳态电场与理论分析结果相符;二极管热场致电子发射的外加电场和温度一定时,逸出功越大,阴极表面稳态电场强度越大;二极管阴极材料和外加电场一定时,阴极表面稳态电场强度取决于阴极表面的温度,随温度的升高稳态电场强度呈非线性下降。
- 左应红朱金辉
- 关键词：瞬态响应
- 中子在大气中产生氮俘获γ的蒙特卡罗模拟研究被引量：2
- 2022年
- 为了精确计算早期核辐射,建立了中子及次级γ在大气中输运的蒙特卡罗计算模型,并利用几何分裂算法与时间分裂算法等减方差技巧提高计算效率,计算得到了距源点不同距离球面上中子与中子次级γ的信息,给出了不同位置不同时间的氮俘获γ能量释放率。开展了氮俘获γ能量释放率的规律性研究,并分析了中子能量对氮俘获γ的影响。结果表明,氮俘获γ能量释放率先随源点的距离增加而增大,在距源点约500 m达到峰值,而后随距离增加指数衰减。氮俘获γ能量释放率在时间上服从指数衰减规律,衰减时间在0.1 s左右。引入表征氮俘获γ辐射强度参数a和特征衰减时间参数τ,拟合得到了不同距离不同时间氮俘获γ能量释放率的快速计算公式。研究表明,氮俘获γ辐射强度、衰减时间及其空间分布均与中子能量密切相关。
- 刘利左应红牛胜利朱金辉李夏至
- 关键词：能量释放率蒙特卡罗方法
- 快速在线处理中子核截面的修正多普勒展宽方法
- 2015年
- 在模拟计算高温系统中子输运问题时,为了快速在线处理中子核截面,基于多普勒展宽原理,发展了一种修正多普勒展宽方法。通过在低能区引入低能截面修正因子、调整计算方法及合理设置数值积分计算参数等,进行了数值算法优化,探讨了NJOY程序对高能区中子截面展宽的限制及影响,在自主开发的蒙特卡罗输运程序中实现了中子截面的快速在线展宽处理,并比较了NJOY程序与本文程序计算的截面数据。结果表明,本文程序给出的高温展宽截面准确性高,计算效率能满足快速在线展宽需求,可高效处理在线中子截面展宽问题。
- 朱金辉谢红刚牛胜利左应红
- 关键词：中子截面
- 金/硅界面X射线剂量增强效应的Monte Carlo模拟被引量：1
- 2015年
- 通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用Monte Carlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。
- 卓俊黄流兴牛胜利朱金辉
- 关键词：MONTECARLO模拟X射线低能电子
