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李冬梅

作品数:10 被引量:18H指数:3
供职机构:江西科技师范学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目电子信息产业发展基金更多>>
相关领域:理学电子电信金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇ZNO
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电子结构
  • 2篇荧光粉
  • 2篇荧光粉层
  • 2篇热沉
  • 2篇子结构
  • 2篇光度
  • 2篇封装
  • 2篇封装材料
  • 2篇本征
  • 2篇本征缺陷
  • 2篇MOCVD
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇袋式
  • 1篇袋式除尘
  • 1篇袋式除尘器
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电池
  • 1篇电解液

机构

  • 6篇江西科技师范...
  • 5篇南昌大学
  • 1篇浙江理工大学

作者

  • 10篇李冬梅
  • 6篇熊志华
  • 6篇万齐欣
  • 4篇刘国栋
  • 3篇江风益
  • 2篇方文卿
  • 2篇孙振辉
  • 2篇王立
  • 2篇刘卫云
  • 2篇李璠
  • 2篇蒲勇
  • 2篇戴江南
  • 1篇施思齐
  • 1篇汪胜前
  • 1篇甘丽新
  • 1篇彭建飞
  • 1篇苏宏波

传媒

  • 2篇南昌大学学报...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇江西科学
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
锂离子电池的关键材料及其发展被引量:4
2008年
锂离子电池的发展与其负极材料、正极材料和电解质材料的发展相关。本文对锂离子电池的关键材料及其发展进行阐述,以便能够更好的研究和改善电池的性能。
李冬梅孙振辉万齐欣刘国栋熊志华
关键词:锂离子电池负极材料正极材料电解液
本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响被引量:7
2009年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究。研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级。同时,研究发现,Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大。其中,Zni-AgZn呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势。因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成。
万齐欣熊志华李冬梅刘国栋甘丽新
关键词:本征缺陷第一性原理电子结构
大功率LED灯珠
本实用新型涉及一种大功率LED灯珠,安装在抛物线球面的二次光学反光杯内包括金属热沉、固定在金属热沉中心的LED芯片、金属热沉两侧的引脚、连接LED芯片与引脚的金属键合引线、涂覆在LED芯片上面的荧光粉层及最外层的封装材料...
熊志华万齐欣刘卫云李冬梅
文献传递
缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响被引量:1
2007年
采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光。
李璠李冬梅戴江南王立蒲勇方文卿江风益
关键词:ZNO缓冲层MOCVD
一种不带黄圈聚光性好的大功率LED灯珠
本发明涉及一种不带黄圈聚光性好的大功率LED灯珠,安装在二次光学反光杯内包括金属热沉、固定在金属热沉中心的LED芯片、金属热沉两侧的引脚、连接LED芯片与引脚的金属键合引线、涂覆在LED芯片上面的荧光粉层及最外层的封装材...
熊志华万齐欣刘卫云李冬梅
文献传递
袋式除尘器内气固两相流数值模拟研究
李冬梅
关键词:袋式除尘器气固两相流数值模拟英语
硅基ZnO材料生长与硅基GaN交通绿LED老化性能研究
论文主要分为两大块:1、MOCVD方法在Si/(111/)衬底上生长ZnO薄膜的研究;2、硅基GaN交通绿LED的老化性能研究。 1、MOCVD方法在Si/(111/)衬底上生长ZnO薄膜...
李冬梅
关键词:ZNOMOCVDGANSI
文献传递
闪锌矿Ga_(1-x)Cr_xN铁磁性的密度泛函理论(英文)
2009年
采用基于密度泛函的第一性原理方法计算了闪锌矿GaN掺Cr的电子结构和磁性。考虑不同掺杂浓度和位置,计算结果表明,Ga1-xCrxN呈现铁磁基态,Cr原子间是铁磁性耦合并团簇于N原子,Cr原子与最近邻N原子为反铁磁性耦合。我们采用双交换机制解释了磁性来源和机制。计算结果和最近闪锌矿GaN掺Cr的实验结果吻合。
熊志华孙振辉彭建飞李冬梅万齐欣刘国栋汪胜前施思齐
关键词:铁磁性密度泛函理论
ZnO本征缺陷的第一性原理计算被引量:3
2008年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者的实验结果相吻合。
万齐欣熊志华刘国栋李冬梅江风益
关键词:ZNO第一性原理电子结构
MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究被引量:3
2006年
本文采用常压MOCVD方法在Ti/S i(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源。S i衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长。采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能。结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜。
李冬梅李璠苏宏波王立戴江南蒲勇方文卿江风益
关键词:SI衬底金属有机化学气相沉积
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