李华平
- 作品数：5 被引量：56H指数：4
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 微弧熔区的淬冷过程及其对氧化铝膜微观结构的影响被引量：6
- 2008年
- 通过实验和模拟拟合,对微弧氧化过程中Al_2O_3膜表面的对流散热系数作了估计,实验过程中发现Al_2O_3/Al界面在微观上也是一个冷却界面,Al基体在冷却过程中起"热量中转"的作用,熔池在淬冷过程中的大部分热量经过了邻近区域的Al_2O_3膜或者铝基体.通过热模拟得到的纵深各点温度-时间曲线来表征微熔区的淬冷过程.通过对各节点的相对冷却速度比较,阐述了淬冷过程对α-Al_2O_3分布和Al_2O_3膜表面形貌的影响,压力因素在微观结构形成过程中所产生的影响作了粗略的分析.
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- 关键词：铝合金微弧氧化微观结构有限元
- 铝基板上沉积氮化铝薄膜的制备及特性分析被引量：2
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AlN薄膜。利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响。结果表明,获得了化学计量比一致、结合力良好、击穿场强达112V/μm的(100)多晶择优取向AlN薄膜。
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- 关键词：氮化铝反应磁控溅射X射线衍射化学计量比击穿场强
- AlN薄膜覆Al基板的物理特性被引量：4
- 2007年
- 利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3μm的AlN薄膜。XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高达100V/μm。利用自动划痕仪对AlN膜进行剥离实验,临界载荷为6N左右。AlN和铝基体间的结合主要是物理吸附和机械锚合。用有限元方法对基于AlN膜/Al热沉的LED(发光二极管)封装结构的散热性能进行了分析,模型的内通道热阻约2K/W。
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- 关键词：无机非金属材料AIN薄膜LED封装有限元法
- 大功率LED的封装及其散热基板研究被引量：44
- 2007年
- 从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(MCPCB)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(MAO)工艺制作的铝芯金属线路板,低成本、低热阻、性能稳定、便于加工和进行多样结构的封装是其突出优点。对采用MAO工艺的MCPCB基板封装的瓦级单芯片LED进行了热场的有限元模拟,结果显示其热阻约为10 K/W;当微弧氧化膜热导率由2 W.m-1.K-1升高到5 W.m-1.K-1时,热阻将降至6 K/W。
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- 关键词：功率型LED封装有限元法
- 大功率LED的封装及其散热基板的研究
- 散热问题影响到LED的光输出特性和器件的寿命，是大功率LED封装中的关键问题。金属芯的线路板(MCPCB)是LED白光照明系统中连接内外热通路的核心部件，关系到多芯片LED封装的结构和布局;LED外封装的可靠性一整个系统...
- 李华平
- 关键词：大功率发光二极管封装工艺散热基板
- 文献传递
