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李峻野

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇刻蚀
  • 3篇刻蚀技术
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米棒阵列
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子学
  • 2篇光电转化率
  • 2篇光子
  • 2篇光子学
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米棒
  • 2篇ZNO纳米棒...
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌可控
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列结构
  • 1篇图案化
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术

机构

  • 3篇北京科技大学

作者

  • 3篇孙国帅
  • 3篇冯韵迪
  • 3篇李峻野
  • 3篇张跃
  • 3篇徐佳亮
  • 3篇方思萦
  • 3篇闫小琴
  • 3篇陈翔
  • 3篇冯亚瀛

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法
一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法，实现了Si纳米井阵列刻蚀技术和ZnO晶体的水热法生长技术的结合，使ZnO纳米棒在Si纳米井中生长，得到了Si纳米井/ZnO纳米棒二级结构。优点在于：可以同时保证材料的光...
张跃李峻野陈翔闫小琴冯亚瀛冯韵迪孙国帅徐佳亮方思萦
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一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法
一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法，实现了Si纳米井阵列刻蚀技术和ZnO晶体的水热法生长技术的结合，使ZnO纳米棒在Si纳米井中生长，得到了Si纳米井/ZnO纳米棒二级结构。优点在于：可以同时保证材料的光...
张跃李峻野陈翔闫小琴冯亚瀛冯韵迪孙国帅徐佳亮方思萦
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一种制备图案化硅纳米井阵列的方法
本发明提供一种制备图案化硅纳米井阵列的方法，该方法采用三光束激光干涉光刻技术与金属催化刻蚀技术的结合来实现。本发明可以大面积制备图案化规则排列的硅纳米井阵列，而且还能实现阵列结构周期，纳米井直径，纳米井深度的精确调节。通...
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