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李斌

作品数:53 被引量:52H指数:4
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 25篇会议论文
  • 21篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 26篇理学
  • 17篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
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主题

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  • 6篇
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  • 6篇X
  • 5篇镀膜
  • 5篇镀膜材料
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  • 5篇温度稳定性
  • 5篇晶体
  • 5篇红外光学

机构

  • 53篇中国科学院
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  • 3篇济南市半导体...
  • 3篇山东大学(威...
  • 2篇复旦大学
  • 2篇山东大学
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作者

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  • 2篇苏伟涛
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传媒

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  • 3篇红外
  • 3篇光学学报
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年份

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  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 4篇2001
53 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Pb1-xGexTe薄膜性能与其基板的关系
用PVD法在锗、硅基板上沉积Pb1-xGexTe薄膜。研究基板表面态(不同抛光表面、不同的晶向)和基板温度对其膜的沉积速率、界面、结构及其光学特性的影响。(包括透射率、色散关系及折射率的温度系数等)
张素英李斌谢平刘定权
关键词:基板光学常数
文献传递
PbTe1-xSex 晶体的研制及其薄膜试验
<正>碲化铅(PbTe)是重要的红外镀膜材料。其折射率 n 高(n≥5.5),透光波段宽 (一般从3.8um 可延伸到50um 或更长),能与多种低折射率膜层(如硫化锌、硒化锌、硒化镉和碲化镉等)有良好的应力配合,膜层的...
张素英谢平李斌张麟刘定权张凤山
文献传递
风云三号气象卫星红外分光计中的光学薄膜
<正>红外分光计是风云三号(FY-3)气象卫星上的主有效载荷之一,利用26个光谱通道全天时获取数据,提供气象服务。仪器的光谱覆盖范围是目前国内航天遥感仪器中最宽的,从0.66微米到15微米。由于红外辐射的能量很小,加上红...
刘定权张麟朱福荣孔令方于天燕李斌安栋梁章卫祖黄春李耀鹏李大琪张凤山
文献传递
衬底温度对硒碲铅薄膜结构及红外光学性能的影响
2010年
使用Bridgman法生长的PbTe0.92Se0.08材料在硅衬底上沉积硒碲铅薄膜,采用X射线衍射(XRD)、电子扫描显微术(SEM)、能量散射X射线分析(EDAX)对薄膜的结构、表面形貌和化学配比进行了分析.结果表明,沉积的硒碲铅薄膜为多晶结构,具有明显的择优取向,晶粒为矩形.衬底温度对硒碲铅薄膜的红外光学性能有明显的影响,薄膜的折射率在5.2到5.8之间,消光系数均小于0.1,在波长大于6μm的红外光谱范围,一定衬底温度沉积的薄膜消光系数具有10-3量级.研究表明,硒碲铅材料在红外光学薄膜领域具有应用前景.
陈忠祥李斌张素英谢平刘定权严义埙
关键词:光学常数衬底温度
Pb1-xCdxTe晶体及其在光学薄膜中的应用
PbTe晶体以其折射率n高,透光范围宽而成为传统的高折射率红外镀膜材料。随着发展,高精尖的仪器对薄膜器件和材料提出更高的要求,PbTe的高浓度自由载流子吸收的特性就影响了高性能薄膜器件的研制。本工作在PbTe中掺入Cd元...
张素英范滨李斌谢平刘定权张凤山
文献传递
δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响(英文)
2019年
在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。
郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新
无钍红外低折射率镀膜材料的初探
由于入射介质和高折射率红外光学元件(透镜和窗口)表面强烈的Fresnel反射,入射光能量在传播过程中损失殆尽,并在焦平面出现鬼影和眩光而导致成像对比度下降,使得红外宽带增透薄膜对于工作于红外波段的光学系统不可或缺。根据增...
李斌谢平吕旭文何纬翔
文献传递
δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿(英文)被引量:1
2019年
三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。
郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新
关键词:共振隧穿
掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁
2019年
通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘(100) GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S3/2Γ8基态到它的三个激发态2P3/2Γ8, 2P5/2Γ8和2P5/2Γ7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态的两空穴跃迁的发光峰,从而间接地找到了两能级之间的跃迁能量.在Raman光谱中,清楚地分辨出来了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态偶宇称跃迁的拉曼散射峰,直接得到了两能级间的跃迁能量.对比发现,分别直接和间接得到的1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态跃迁能量结果是一致的.
郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新
关键词:RAMAN光谱光致发光光谱
无钍红外低折射率镀膜材料的研究进展
氟化钍是一种光学、力学性能俱优的红外低折射率镀膜材料。由于其具有天然放射性,寻找它的替代物是全世界光学薄膜材料科学家多年来苦苦追寻的一个目标。稀土氟化物具有从紫外到红外非常长的光谱透过率,同时特有的离子键特性决定了它们具...
李斌
关键词:稀土氟化物
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