李晶
- 作品数：25 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程机械工程更多>>
- 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法
- 本发明公开了一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法，该方法包括：在封装管壳上制作一电源线环路和一地线环路；在电源线环路与地线环路之间连接一或多个电容和一电阻；将集成电路芯片的一个或多个与芯片内部电源线相连的地方引线到电...
- 曾传滨海潮和李晶李多力韩郑生
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- 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种SOI电路ESD全局保护结构，包括：一种初级ESD保护结构和一种次级ESD保护结构保护输入端；一种智能电阻ESD保护结构和一种RC电路控制的输出泻流管结构加一种输出ESD保护结构保护输...
- 曾传滨海潮和李晶李多力韩郑生
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- 传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究被引量：1
- 2009年
- 对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究。通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题,通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题,提高了测试的准确性,并在国内率先制造出了波形质量达到国际先进水平的传输线脉冲发生器。
- 曾传滨李晶王显泰海潮和韩郑生
- 关键词：静电放电振铃电压波形
- 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善SOI电路ESD防护性能的方法，该方法采用在SOI电路的体区进行ESD注入，改变SOI电路的ESD击穿电压，并促进ESD放电管之间以及ESD放电管内部各栅条之间在ESD电压到来时同...
- 曾传滨李多力李晶海潮和韩郑生
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- 一种ESD防护电阻
- 本实用新型公开了一种ESD防护电阻，属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔离层提供的电学隔离和热学隔离...
- 曾传滨李多力海潮和李晶罗家俊韩郑生
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- 用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置
- 本发明公开了一种用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置，属于功率半导体器件领域。该方法包括：将预先设置的测试电路的预设参数配置为预设的初始值；控制调节预设参数后的测试电路，测得芯片组并联瞬态电流的参考不均匀度；判...
- 苏洪源赵发展李晶罗家俊瞿磊席茜
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- 存储器写禁止时间参数的测试方法
- 2023年
- 文章提出了一种利用自动化测试机台进行存储器写禁止时间参数的数值测试方法。通过原理与实例结合的方式,介绍了一种通过测试辅助参数并计算的方式测试写禁止时间具体数值的方法,并有效地对参数进行时间定位,解决了写禁止时间在仿真或实际应用中时间定位不明确的问题。
- 孙燊马闪闪李晶李晶
- 关键词：存储器
- 写禁止时间的获取方法、装置、测试机台及存储介质
- 本发明公开了写禁止时间的获取方法、装置、测试机台及存储介质，所述方法包括：获取存储器件的地址保持时间以及地址建立时间；基于地址保持时间以及地址建立时间，得到写禁止时间，其中，写禁止时间为禁止向存储器件的地址位进行写入操作...
- 孙燊马闪闪李晶
- 总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器(英文)被引量：1
- 2007年
- 在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×10^6 rad（Si）,其使用了SIMOX晶圆. 在-55～125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变.在经过剂量为1×10^6 rad（Si）的总剂量辐照后,该存储器的数据读取时间也几乎不变,静态功耗仅从辐照前的0.65μA变化为辐照后的0.8mA,远远低于规定的10mA指标;动态功耗仅从辐照前的33mA变化为辐照后的38.1mA,远远低于规定的100mA指标.
- 郭天雷赵发展刘刚李多力李晶赵立新周小茵海潮和韩郑生
- 关键词：部分耗尽SOI静态随机存储器总剂量辐照
- 用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置
- 本发明公开了一种用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置，属于功率半导体器件领域。该方法包括：将预先设置的测试电路的预设参数配置为预设的初始值；控制调节预设参数后的测试电路，测得芯片组并联瞬态电流的参考不均匀度；判...
- 苏洪源赵发展李晶罗家俊瞿磊席茜
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