李英俊
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Ba放射性同位素生成截面的测定被引量：2
- 2000年
- 用 60 Me V/u18O离子轰击 2 32 Th靶产生 Ba放射性同位素 ;通过 Ba Cl2 沉淀使 Ba从大量钍靶材料和复杂反应产物混合物中分离并被纯化 ;用 13 3Ba做示踪剂确定 Ba的化学产额 ;通过离线 γ谱测量Ba样品 ;根据每个 Ba同位素的γ射线峰的强度以及相关的核数据计算它们的生成截面。结果显示在中能和厚靶的情况下 ,缺中子
- 杨维凡袁双贵熊兵徐岩冰何建军潘强岩王栋李英俊马桃桃杨振国
- 关键词：放射性同位素钡纯化裂变
- ^(230)Acβ延发裂变的观测(英文)被引量：1
- 2000年
- 搜索了２３０Ａｃβ延发裂变．由 ６０ＭｅＶ／ｕ１８Ｏ离子照射２３２Ｔｈ，通过多核子转移反应产生２３０Ｒａ．经放射化学分离和薄的２３０Ｒａ→β－２３０Ａｃ源的制备，获得了 １０８ 个２３０Ａｃ原子．该源对云母裂变径迹探测器曝光．借助于所测的γ能谱和两个裂变事件，鉴别了β延发裂变核２３０Ａｃ，得到了它的β延发裂变几率为（１． １９± ０．８５）× １０－８．
- 袁双贵杨维凡徐岩冰潘强岩何建军熊兵李英俊
- 关键词：多核子转移反应放射化学分离
- Ba同位素的截面测量
- 2002年
- 用 60MeV/u18O离子轰击天然铀靶 ,通过2 38U( 18O ,X)反应产生钡的放射性同位素 .使用放射化学分离方法从被照射过的铀靶中分离出Ba ,用HPGeγ射线探测器测量Ba样品的γ射线谱 ,经对所得时间累计谱的处理和分析得到了Ba同位素的产生截面 ,并观察到Ba同位素分布中的双峰分布现象 .
- 徐岩冰杨维凡袁双贵肖永厚潘强岩李英俊
- 关键词：截面测量放射化学分离钡同位素
- 14MeV中子引起55Rb(n．2n)反应同质异能态截面比值的测定
- 在14．7 Mev 中子能量下,测定了Rb(n·2n)反应生成的Rb 同质异能态截面及其比值,并与文献值做了比较。该实验比值与统计模型,蒸发理论计算出的比值进行了比较,定出了自旋截止因子б值。
- 李英俊杨维凡
- 文献传递
- ^(230)Ac的β延发裂变
- 2002年
- 用 6 0MeV/u18O离子轰击ThO2 ,通过多核子转移和靶的耗散碎裂反应产生2 3 0 Ra。利用放射化学分离技术 ,将镭与钍及其它反应产物分离并制备成薄镭源。该源对云母裂变径迹探测器暴光 ,用高纯锗探测器测量镭源的γ活度 ;用氢氟酸溶液对云母箔进行蚀刻 ,使用光学显微镜观测云母箔中的裂变径迹。首次观测到了可能来自2 3 0 Acβ延发裂变的两个事件 ,获得它的 β延发裂变几率为 (1 19± 0 85 )× 10 -8。
- 杨维凡袁双贵徐岩冰熊兵潘强岩何建军肖永厚李英俊
- 关键词：化学分离原子核衰变镭
- 分子镀法制备Ba靶被引量：1
- 2001年
- 用铂丝作阳极 ,不锈钢底衬作阴极 ,在异丙醇 -盐酸介质中制备 Ba靶。对影响 Ba电镀的因素——电镀时间和电流密度进行了探讨。通过高纯锗探测器测量 13 3 Ba示踪剂的活性确定 Ba的电沉积效率。结果表明 ,电流密度为 4 .0～ 6 .0 m A/cm2 时 ,通过分子镀沉积 30 min可在不锈钢片上获得均匀、牢固的 Ba镀层 ,其厚度为 0 .5～ 1.0 mg/cm2 。
- 肖永厚杨维凡袁双贵李英俊徐岩冰潘强岩何建军
- 关键词：电流密度重离子核反应
- 230Acβ-延发裂变的观测
- 之所以人们对研究远离β稳定线核产生那么浓厚的兴趣,是因为这些核总是伴随新现象产生为其特征。在重质量丰中子区,β延发裂变(βDF),即一个核经β衰变到其子体的一个激发态的裂变,则是一个引人注目的新现象。
- 袁双贵扬维凡徐岩冰潘强岩何建军熊兵李英俊
- 关键词：多核子转移反应放射化学分离
- 文献传递
- 14MeV中子引起的116Cd(n．2n)和115In(n·p)反应产生的同质异能态截面比值的研究
- 用活化法测量了14 MeV 中子引起Cd(n·2n)和In (n·2n)反应的同质异能态的截面比值。在费米气体模型理论基础上,对两种反应的同质异能态截面比值进行了计算,并同实验的截面比值进行了比较,从而确定了两种反应的自...
- 杨维凡李英俊
- 文献传递
- ^(85)Rb(n,2n)^(84)Rb反应中同质异能态截面比
- 1984年
- 在14.7 MeV中子能量下,测量了^(85)Rb(n,2n)反应同质异能态截面及其比值。实验比值与Vandenbosh-Huizenga方法算出的理论值做了比较,定出了自旋切割因子σ值。
- 李英俊杨维凡
- 关键词：同质异能态截面比RB
