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李高庆

作品数：46 被引量：11H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信兵器科学与技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 5篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 43篇晶体管
  • 42篇双极晶体管
  • 22篇锗硅
  • 21篇发射区
  • 20篇电阻
  • 20篇异质结
  • 19篇异质结双极晶...
  • 18篇锗硅异质结双...
  • 17篇发射极
  • 15篇多晶
  • 14篇多晶硅
  • 12篇多晶硅发射区
  • 12篇原位掺杂
  • 12篇嵌入式
  • 12篇自对准
  • 12篇掺杂
  • 9篇晶体管结构
  • 9篇基极
  • 9篇基区电阻
  • 8篇抬升

机构

  • 46篇清华大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 46篇李高庆
  • 41篇付军
  • 41篇刘志弘
  • 40篇王玉东
  • 40篇崔杰
  • 39篇赵悦
  • 37篇张伟
  • 34篇吴正立
  • 18篇许平
  • 7篇张伟
  • 3篇周卫
  • 3篇钱佩信
  • 2篇鲁亚诗
  • 2篇刘志农
  • 2篇许军
  • 2篇李希有
  • 1篇付玉霞
  • 1篇黄文韬
  • 1篇蒋志
  • 1篇鲁勇

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2016
  • 12篇2015
  • 5篇2014
  • 9篇2013
  • 11篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法
本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)被引量：3
2003年
研制成功了可商业化的 75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料 .研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件 ,其性能为 :β =60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指 ,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷 ,该工艺总共只有 6步光刻 ,与CMOS工艺兼容且 (因多晶发射极 )无需发射极外延层的生长 ,这些优点使其适合于商业化生产 .利用 60指和 1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器 .60指功放在 90 0MHz和 3 5V/ 0 2A偏置时在 1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE =2 2dBm/ 1 1dB/ 2 6 1 % .1 2 0指功放 90 0MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE =33 3dBm (2 1W ) / 1 0 3dB/ 33 9% @1 1V/ 0 52A .
刘志农熊小义黄文韬李高庆张伟许军刘志弘林惠旺许平陈培毅钱佩信
关键词：锗硅异质结双极晶体管微波功率放大器
外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟吴正立李高庆
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侧向双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。...
王玉东付军崔杰赵悦张伟刘志弘吴正立李高庆
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SiGe HBT基极串联电阻的提取
根据Y参数分析的特点，通过对共发射极交流小信号等效电路进行合理的简化，同时考虑到发射极串联电阻的影响，提出了一种新的SiGe HBT基极串联电阻的提取方法。采用这种方法，利用SiGe HBT交流小信号参数的器件模拟结果和...
付军李高庆
关键词：锗硅异质结双极晶体管电学性能
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