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杨凯
作品数:
8
被引量:30
H指数:4
供职机构:
南京大学物理学院物理学系
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
沈波
南京大学物理学院物理学系
张荣
南京大学物理学院物理学系
郑有炓
南京大学物理学院物理学系
陈鹏
南京大学物理学院物理学系
臧岚
南京大学物理学院物理学系
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作者
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沈波
8篇
杨凯
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张荣
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固体电子学研...
1篇
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年份
1篇
1999
1篇
1998
3篇
1997
3篇
1996
共
8
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GaN光导型紫外探测器
被引量:1
1997年
研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H-SiC衬底上的GaN光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量,获得了GaN探测器在波长250nm-360nm范围近于平坦的光电流响应,并且观察到在365nm(~3.4eV)带边附近陡峭的截止边。测得GaN探测器在5V偏压下在360nm波长处的光电流响应度为133A/W,并得到了其响应度与外加偏压的关系。通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据,获得了GaN探测器的响应时间。
杨凯
张荣
臧岚
沈波
陈志忠
陈鹏
郑有
黄振春
关键词:
紫外探测器
氮化镓
MOCVD
α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究
被引量:4
1999年
本文报道了蓝宝石(α-Al2O3)衬底上GaN薄膜的瞬态光电导性质.用YAG∶Nd脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数:τ01~0.1ms和τ02~1.0ms.在相同偏压和光强下,加热样品至300℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小.实验结果说明在导带边几十meV内存在大量陷阱.对衰减曲线起始200ns取样,发现光照时光电导呈“S”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的再分布.用一个浅能级陷阱和一个深能级陷阱的模型来近似导带边陷阱结构能很好的解释实验结果.另外,测得的光电导随光强的变化关系也进一步证实了模型的合理性.
陈志忠
沈波
杨凯
杨凯
陈浩
张序余
臧岚
周玉刚
陈鹏
吴宗森
臧岚
陈峰
关键词:
氧化铝
氮化镓
α-Al_(2)O_(3)衬底上生长的GaN膜的光学性质
1996年
采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长了α-Al2O3衬底上外延的高质量的单晶GaN薄膜。X射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了GaN外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶GaN薄膜的直接带隙宽度和光学参数。
杨凯
张荣
秦林洪
沈波
施洪涛
郑有炓
黄振春
Chen J C
关键词:
GAN薄膜
金属有机化学气相淀积
光学性质
MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究
1997年
采用光调制反射光谱(PR)研究了(0001)晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3.400eV,对PR谱的调制机理进行了分析,发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量,得到3.39eV的光学吸收边和3.3eV的反射峰,证实了光调制反射光谱的结果。
杨凯
张荣
臧岚
秦林洪
沈波
施洪涛
郑有炓
Z.C.Huang
J.C.Chen
关键词:
氮化镓
MOCVD生长
GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究
被引量:8
1998年
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H-SiC衬底上的GaN外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质.通过对其光电流谱的测量,获得了GaN探测器在紫外波段从250~365nm近于平坦的光电流响应曲线,并且观察到在~3.4eV带边附近陡峭的截止边,即当光波长在从365nm变到375nm的10nm区间内,光电流信号下降了3个数量级.在360nm波长处,我们测得GaN探测器在5V偏压下光电流响应度为133A/W,并得到了其响应度与外加偏压的关系.通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据,我们获得了GaN探测器的响应时间及其与偏压的关系.
臧岚
杨凯
张荣
沈波
陈志忠
陈鹏
周玉刚
郑有炓
黄振春
关键词:
氮化镓
紫外探测器
GaN基蓝光器件的研究进展
被引量:2
1996年
本文对近几年GaN基蓝光器件,包括GaN基发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发展历程进行了全面介绍和评价。指出GaN基蓝光LED的研究开卡拉卡将在1~2年内走向成熟,从而实现大规模商业化生产。
郑有炓
沈波
施洪涛
张荣
杨凯
陈鹏
李熹霖
关键词:
氮化镓
发光二极管
激光二极管
发光器件
蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺
被引量:7
1996年
碳化硅(SiC)是目前主要的蓝光半导体材料之一,国际上已初步实现了SiC蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压3.0V,工作电流20mA时,发射波长470nm,功率18μW,工作电流50mA时,辐射功率可达36μW。最近的实验研究发现,采用SiC和氮化镓的合金制成的LED可大幅度提高发光效率,其发射功率的实验室水平已达850mW。文中从SiC材料特性、SiC发光器件及SiC材料、器件工艺等几方面入手,综述了SiC作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。
张荣
施洪涛
余是东
杨凯
沈波
郑有
关键词:
碳化硅
蓝光发光二极管
MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究
被引量:8
1997年
本文报道(0001)晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质.由光吸收谱和488umAr+激光激发的光调制反射光谱(PR)确定的禁带宽度分别为3.39和3.400eV,从光吸收谱得到了GaN薄膜的折射率随光谱能量的变化关系.对PR谱的调制机理进行的分析,发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制.应用喇曼光谱研究了GaN薄膜中的声子模,通过对LO声子-等离激元的耦合模散射峰的研究,得到了材料中的载流子浓度和等离激元阻尼常数.
张荣
杨凯
秦林洪
沈波
施洪涛
郑有炓
关键词:
氮化镓
MOCVD生长
光学性质
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