杨峰
- 作品数：1 被引量：6H指数：1
- 供职机构：江苏大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 磁控溅射W-T-iN/MoS_2薄膜及其摩擦学性能研究被引量：6
- 2012年
- 采用W靶、Ti靶及MoS2靶,先制备W-T-iN薄膜,然后再在其上面沉积MoS2纳米薄膜得到W-T-iN/MoS2纳米双层薄膜,通过多次实验得到溅射W-T-iN/MoS2薄膜的最佳工艺如下:溅射气压1.0 Pa,靶基距为100 mm,溅射功率为:W靶,Ti靶均为200W,MoS2靶为150 W;制备W-T-iN薄膜溅射时间为1 h,样品台加热600℃;制备MoS2纳米层时间为0.5 h。使用X射线衍射仪,扫描电子显微镜对薄膜的成分和结构进行分析。采用纳米压痕测试系统测试薄膜的纳米硬度和弹性模量,采用VEECOWYKONT1100非接触光学表面轮廓仪测试薄膜的表面及磨痕粗糙度;UMT-3摩擦磨损试验机在大气、室温、无润滑条件下对薄膜摩擦磨损性能分析,结果表明:在大气环境中,W-T-iN/MoS2薄膜摩擦性能要优于纯W-T-iN薄膜。
- 胡志立李长生莫超超唐华孙建荣杨峰郭志成李洪苹
- 关键词：MOS2薄膜磁控溅射摩擦学性能
