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杨燕萍

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇大直径
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇PL
  • 1篇SI-GAA...
  • 1篇MAPPIN...

机构

  • 1篇河北工业大学

作者

  • 1篇郝秋艳
  • 1篇赵彦桥
  • 1篇杨燕萍
  • 1篇刘彩池
  • 1篇韩彦辉

传媒

  • 1篇现代仪器

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PL Mapping技术检测大直径SI-GaAs晶片中缺陷分布被引量：1
2006年
采用PL Mapping技术,检测6英寸SI-GaAs晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况。本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富信息,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;对比样品局部发光强度信号和发光峰位的变化曲线图及化学腐蚀图片,进一步讨论由于缺陷而造成的样品均匀性的变化。
赵彦桥韩彦辉杨燕萍郝秋艳刘彩池
关键词：SI-GAAS光谱分析
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共1页<1>
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