林安
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
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- 高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
- 本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N...
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- 文献传递
- 一种采用新型延迟模块的上电复位电路
- 2013年
- 本文设计了一种在低电压下工作的用于射频标签的上电复位电路。此电路一方面采用了一种新型电平检测模块,可以实现精准的电平检测;另一方面采用了一种新型延迟模块,该模块可在0.8V—5V电源电压下工作,可实现100nS到1mS之间的延时;此外,为了降低功耗,电路在产生上电复位信号将利用数字电路产生一个反馈信号来关断整个电路。本文采用smic0.18um的工艺,利用cadence对其功能进行仿真,结果表明该电路可在1.2V工作电压下进行有效复位,并且可以快速的二次复位,复位脉冲宽度为20us左右,功耗极低,完全满足RFID标签的要求。
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- 关键词：上电复位
- 一种新型低温漂带隙基准源的分析与设计
- 2014年
- 本文提出一种高电源抑制比、低温漂和版图面积较小的CMOS带隙基准电压源。该基准采用T型结构的核心电路来减小电路中用来产生负温度系数电流的电阻,进而减小电路的版图面积。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,设计的电路只采用一阶温度补偿,在Cadence Spectre环境下仿真结果表明在0-100℃的范围内温漂系数为1.4ppm/℃。
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- 关键词：CMOS数学建模
- 高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
- 本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N...
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- 文献传递
- 高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
- 本实用新型涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2...
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- 文献传递
- 无源超高频RFID标签芯片中关键电路的研究与设计
- 无源超高频RFID技术术是一项非接触自动识别技术,通过阅读器检测电子标签对电磁波信号的反射来获得电子标签的数据,进而达到对目标对象的识别。与传统的识别技术相比,RFID电子标签具有可重写、数据量大、体积小、抗恶劣环境、寿...
- 林安
- 关键词：整流效率低功耗
- 文献传递
- 超高频RFID的PIE解码与CRC校验同步进行的电路
- 本实用新型提供一种超高频RFID的PIE解码与CRC校验同步进行的电路，包括边沿检测脉冲模块、行波计数器、状态机、比较器、CG模块以及CRC模块；边沿检测脉冲模块的输出端分别与行波计数器、状态机以及CG模块的输入端连接，...
- 王俊黄凤英黄继伟许育森安奇林安
- 文献传递
