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林钰: 作品数：57 被引量：232H指数：9; 供职机构：河南教育学院化学系更多>>; 发文基金：河南省科技攻关计划河南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：理学电子电信化学工程轻工技术与工程更多>>

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柔性衬底ZAO薄膜制备及光电特性的研究: 采用直流磁控溅射法在柔性衬底上镀制ZAO透明导电薄膜，全面研究了氧气流量、薄膜厚度、镀膜温度、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明：当氧氩比为0.5／40、膜厚在110 nm以上、镀膜温度为8...; 辛荣生林钰贾晓林; 关键词：磁控溅射柔性衬底 ZAO薄膜电阻率透光率

动力学荧光法测定痕量间苯二酚: 2007年; 在磷酸介质中,痕量间苯二酚对高碘酸钾氧化吡咯红Y使其荧光猝灭具有抑制作用,据此建立了动力学荧光法测定痕量间苯二酚的新方法.方法的线性范围为3.0~45 ng/mL,检出限为1.2 ng/mL.用于测定合成样及药物中间苯二酚的含量,回收率为94.6%~104%.; 王瑾高霞朱伯仲林钰; 关键词：动力学荧光法阻抑间苯二酚

低温ITO薄膜制备及光电特性的研究被引量：2: 2010年; 采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的低温工艺,在柔性基片上镀制ITO薄膜,研究了氧氩体积流量比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并得到了可见光透过率大于80%,电阻率小于3.0×10-4Ω.cm的ITO薄膜.; 林钰李慧灵王宇婷辛荣生贾晓林; 关键词：ITO薄膜电阻率透光率

季铵盐型壳聚糖衍生物的合成与抗菌性能被引量：12: 2010年; 以壳聚糖为载体,以硝酸铈铵作引发剂,用甲基丙烯酰氧乙基-十六烷基-二甲基溴化铵为活性单体进行接枝共聚反应制备季铵盐型壳聚糖衍生物.用核磁共振和红外光谱对接枝产物进行了表征和测定,用悬菌定量实验研究了其抗菌性能.结果表明:甲基丙烯酰氧乙基-十六烷基-二甲基溴化铵通过其双键可以接枝到壳聚糖表面;所制备的壳聚糖季铵盐衍生物对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌以及白色念珠菌在振荡作用15 m in后,平均杀菌率分别为99.99%、99.99%和99.96%.; 雷万学韩春亮赵雪萍林钰张廷有; 关键词：壳聚糖季铵盐接枝共聚 NMR FTIR

高压输电系统中断路器的最新进展: 1996年; 本文介绍了油断路器（ＯＣＢ），ＳＦ６断路器（ＧＣＢ）和真空断路器（ＶＣＢ）的国内外发展概况及今后的发展趋势。; 乔景春辛荣生林钰; 关键词：断路器触头材料高压输电系统

纳米锐钛矿型TiO_2薄膜的制备及分析被引量：11: 2011年; 采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,研究了工艺条件中的氧氩流量比对薄膜润湿角的影响以及溅射气压对薄膜微观结构的影响。对不同氧氩流量比(分别为1/40,1/20,1/10和1/5)时制备的TiO2薄膜进行润湿角测量,润湿角照片显明:氧氩比1/5时薄膜润湿角可减小到8°左右,即提高氧氩比能增强TiO2薄膜的自洁净性能。X射线衍射(XRD)分析表明:当溅射气压降到1.0 Pa时,可以得到锐钛矿型TiO2薄膜晶体,0.5 Pa时的XRD图衍射峰更为明显。用分光光度计测量了TiO2薄膜的紫外吸收光谱,由光谱曲线上光吸收阈值与半导体带隙之间的关系计算出了TiO2薄膜的禁带宽度为3.42 eV,表明TiO2薄膜的吸收边出现了一定的蓝移。根据XRD图谱计算TiO2薄膜的晶粒尺寸,得到的薄膜晶粒尺寸在十几纳米左右,由此说明了TiO2薄膜吸收边发生蓝移的原因;按照锐钛矿相TiO2薄膜XRD图25.3°衍射峰对应的(101)晶面,由Bragg方程计算出其晶面间距为0.3521 nm,表明TiO2薄膜晶体发生了一定的晶格畸变。; 辛荣生林钰蔡彬胡斌; 关键词：磁控溅射 TIO2薄膜润湿角禁带宽度

PBL教学模式在化学环境社会课程中的应用被引量：10: 2012年; 以问题为基础的学习(PBL)是以学生为主体、以问题为导向的一种新型教学模式.采用PBL教学模式,在化学环境社会课程教学中进行了尝试.实践结果表明:该教学模式可以有效调动学生学习的积极性,增强学生学习兴趣,更好地培养与发展学生的综合能力,提高教学效果.; 王宇婷宋连卿林钰; 关键词：PBL 教学优势教学模式

真空断路器用CuCr触头材料被引量：2: 1995年; 本文从真空断路器对触头材料的技术要求出发，介绍了我国ＣｕＣｒ触头材料的研究水平，综述了ＣｕＣｒ触头材料的各种制造工艺，并提出了一种新的生产工艺．; 乔景春辛荣生林钰; 关键词：真空断路器触头材料铜铬合金

工艺对磁控溅射ZAO薄膜光电特性的影响被引量：2: 2006年; 在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ZAO透明导电膜,研究了温度、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ZAO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明,当温度470℃、氧氩比0.5/40、溅射气压0.5Pa和镀膜速率3.6nm/min左右时,可获得薄膜电阻率7.2×10–4?·cm、可见光透过率85%以上的最佳光电特性参数。; 辛荣生林钰贾晓林; 关键词：无机非金属材料磁控溅射电阻率透过率

淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响被引量：12: 2003年; 在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。; 林钰辛荣生贾晓林; 关键词：半导体 ITO膜磁控溅射