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林鸿溢

作品数:87 被引量:203H指数:9
供职机构:北京理工大学更多>>
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相关领域:电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

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  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 4篇1990
  • 2篇1989
  • 2篇1987
  • 3篇1986
87 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
从微电子技术到纳米电子技术
1995年
纳米技术(nano scale tech-nologh)是一门在0.1~100nm 尺度空间,研究电子,原子和分子运动规律和特性的崭新高技术学科。它的最终目标是人类按照自己的意志直接操纵单个原子,制造具有特定功能的产品。这一目标的实现就意味着纳米技术改变人类生活和产生方式的时代来临了。一.微电子技术的极限人类经过真空管和晶体管的发明与发展,到如今,以集成电路为主的微电子技术已成为整个电子工业技术的支柱。微电子技术作为现代高技术的重要支柱,经历了若干发展阶段。50年代末发展起来小规模集成电路(SSI),
林鸿溢吴瑶敏
关键词:微电子技术纳米电子技术晶体管纳米生物学单个原子
纳米电子技术的新发展与国家安全被引量:1
2005年
阐述近年来,纳米科学技术,尤其是纳米电子技术迅速发展的简况;着重说明纳米技术与国家安全有着密切的关系;并探讨纳米技术的发展方向。
林鸿溢
关键词:纳米电子技术
微电子技术的进展与挑战被引量:4
1999年
微电子技术自巴丁、布拉顿和肖克莱发明晶体管至今,经历了半个世纪的发展,已经取得巨大进步,成为人类社会众多领域的关键技术,从而有力地推动。
林鸿溢李映雪
关键词:微电子技术集成电路纳米电子学微机电系统单芯片系统
美感的分形性探讨
1994年
本文试从一个新的角度,用自然科学中分形学的基本思想——自相似性分析美感问题.自相似性是指事物在形态、结构、信息、功能和时间上的相似性.无论是艺术欣赏中美感的产生,还是艺术创作中美的创造,都受自相似性的制约,都是审美主体和客观对象之间在审美情趣、审美理想和思想感情的某些方面存在着自相似性,也就是一致性,从而情动于衷,产生共鸣.
林鸿溢崔建霞
关键词:自相似性审美主体审美对象主观条件审美特性
纳米半导体及其应用被引量:5
1997年
纳米半导体硅(nc-Si:H)薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的,制备条件可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元组成:纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组无,即晶态相和晶界相组成.这对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。
李玉铭李山东林鸿溢
关键词:纳米半导体半导体薄膜
场发射压力传感器力敏感膜的形变特性分析被引量:1
2000年
利用有限元法计算分析了以阴极尖锥阵列体作为力敏感膜的形变特性,给出了用表达式计算尖锥阵列体形变的修正值,为后继工作提供了可以选择的技术途径。
刘金华杨军张敬平林鸿溢
关键词:场发射压力传感器形变有限元法
后硅器时代——纳米科学技术进展
2005年
纳米科学技术在20世纪最后10年诞生并得到迅速发展。本文讨论和论述了新兴的纳米科学技术的进展,展望了包括纳米物理学、纳米电子学、量子功能器件、薄膜传感器、纳米材料、微机电系统、生物技术和原子工程等的应用前景,同时给出了某些实验结果。
林鸿溢
关键词:纳米物理学纳米电子学薄膜传感器纳米材料
纳米硅薄膜分形凝聚模型被引量:12
1995年
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系.
林鸿溢余卫武武旭辉何宇亮
关键词:纳米硅薄膜半导体薄膜
从电子的发现到信息技术的发展——纪念汤姆逊发现电子一百周年
1997年
1897年,J.J.Thomson发现电子,迄今已经100年。100年来,电子技术、信息技术迅速发展,对人类的生活模式和生产方式产生着巨大的影响。
林鸿溢杨仕明刘天庆王越
关键词:电子技术信息技术电子工业
纳米硅薄膜场发射压力传感器的研究
场发射压力传感器是高真空技术与微电子技术相结合的一种耐高低温、抗辐射的小型高灵敏度新型器件,具有重要的研究价值.本文从具有相当难度的提高阴极发射电流密度和简化工艺两方面着手,设计了一种新型纳米硅薄膜场发射压力传感器,讨论...
郭英姿廖波刘金华林鸿溢
关键词:纳米硅薄膜
文献传递
共8页<12345678>
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