桂文明
- 作品数：10 被引量：37H指数：4
- 供职机构：兰州大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究被引量：4
- 2005年
- 本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降。这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大。
- 欧谷平宋珍桂文明张福甲
- 关键词：电流-电压特性发光效率OLED
- PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文)
- 2006年
- 利用X射线光电子能谱（XPS）对菲四甲酸二酐[3，4，9，10-perylenetetracarboxylic dianhydride（PTCDA）]／铟锡氧化物（ITO）表面和界面进行了研究．用原子力显微镜（AFM）对PTCDA／ITO样品的表面形貌进行了分析．XPS表明，在原始表面的Cls精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰，主谱峰分别由结合能为284．6eV的茈环中的C原子和结合能为288．7eV的酸酐基团中的C原子激发；而结合能为290．4eV的伴峰的存在，说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象．O原子在C—O键和C-O-C键的结合能分别为531，5和533．4eV．在界面处，Cls谱中较高结合能峰消失，且峰值向低结合能方向发生0．2eV的化学位移；01s谱向低结合能方向发生1．5eV的化学位移．由此可以推断，在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的菲环与ITO中的In空位的结合．AFM的结果显示，PTCDA薄膜为岛状结构，岛的直径约为100～300nm，表面起伏约为14nm．相邻两层PTC—DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的菲环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因．
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- 关键词：原子力显微镜X射线光电子能谱PTCDA
- 原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO的表面分析被引量：2
- 2005年
- 利用原子力显微镜对8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)/铟锡氧化物和8-羟基喹啉硼化锂/酞菁铜(CuPc)/铟锡氧化物表面分别进行了扫描,显示了LiBq4在不同衬底上的形貌差异,并进一步利用样品表面的x射线光电子能谱图验证了这一差异.实验表明,CuPc层的加入改善了LiBq4的成膜质量,并将这种改善归因于分子构型与电子亲和势的不同.
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- 关键词：原子力显微镜X射线光电子能谱
- PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析被引量：6
- 2006年
- 利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。
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- OLEDs中CuPc缓冲层作用的AFM与XPS研究被引量：2
- 2006年
- 利用AFM对CuPc/ITO样品表面进行扫描,发现其生长较均匀,基本上覆盖了ITO表面的缺陷,且针孔较少。通过样品表面和界面的XPS谱图分析,进一步证实了这一结果,同时发现,CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散。有利于器件的性能的改善和寿命的提高。
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- 有机电致发光器件的电极研究被引量：2
- 2005年
- 介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。
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- 关键词：有机电致发光器件阴极阳极隧道效应
- 新型PTCDA/p-Si光电探测器被引量：13
- 2005年
- 研制成功的PTCDA/p-Si新型光电探测器与型号为PHD714的PIN光电二极管的电参数进行了测试对比.结果表明,两者的光谱响应范围均为450～1 100 nm,峰值波长为930 nm,对光的响应速度均小于10-9 s;在1 000 Lx及1.5 V电压作用下,前者的光电流普遍大于100 μA,后者光电流小于100 μA,前者经高温(120 ℃)48 h及低温(-80 ℃)12 h 2次循环实验后测得其电参数稳定.表明,这种新型有机/无机光电探测器具有更优良的光敏性及可靠性.
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- 关键词：光电探测器电参数
- 掺杂对OLED发光效率的影响被引量：6
- 2004年
- 概述了掺杂发光的种类、掺杂发光提高OLED发光效率的机制。
- 欧谷平桂文明金世超张福甲
- 关键词：掺杂OLED发光效率磷光三重态有机电致发光二极管
- LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析被引量：2
- 2004年
- 用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态分析也证实 ITO 表面沉积 LiBq4膜存在裂缝,加入 CuPc 可抑制裂缝出现。分析指出,CuPc 由于 Cu(II)离子半满的 dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使 LiBq4的沉积状态改善。
- 欧谷平宋珍桂文明徐勇张福甲
- 关键词：发光材料
- 用AFM和XPS研究LiBq_4/ITO的表面和界面
- 2005年
- 用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4/ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙。用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界面的电子状态,发现C1s谱在高结合能端出现氧化特征的肩峰,表明真空蒸发沉积的LiBq4分子存在明显的氧化现象;对B1s谱的分析发现,界面处B原子的相对值远低于理论值,说明界面处存在B原子离解,导致了LiBq4分子的更高氧化态;从C1s谱发现,表面污染C的比例很高,而界面处大为下降,原因是表面吸附了气体,从而证实了LiBq4表面存在大量空隙和裂缝。定量研究发现,界面处存在N原子与In、Sn原子的相互作用,这将影响LiBq4的发光颜色。
- 欧谷平桂文明金世超张福甲
- 关键词：原子力显微镜X射线光电子谱
