武继斌
- 作品数：11 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X波段PHEMT功率单片放大器被引量：6
- 2006年
- 报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.
- 张书敬杨瑞霞武继斌杨克武
- 关键词：PHEMTX波段MMIC功率放大器
- 一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型
- 2014年
- 基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度。采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1~20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaN HEMT器件的高频特性。
- 胡志富崔玉兴杜光伟方家兴武继斌蔡树军
- 关键词：氮化镓分布式
- 9～15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器被引量：7
- 2017年
- 基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模型实现了最优输入输出阻抗匹配;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为2.5 mm×1.1 mm。芯片的在片测试结果表明,静态直流工作点为最大饱和电流的35%、漏压为5 V的条件下,在9~15 GHz频率内,MMIC功率放大器小信号增益大于20 dB,1 dB压缩点输出功率不小于27 dBm,功率附加效率不小于35%,功率回退至19 dBm时三阶交调不大于-37 dBc。
- 魏碧华蔡道民武继斌
- 关键词：功率放大器GAAS
- 半导体微波集成电路及其功率放大装置
- 本发明涉及放大器技术领域，提供了一种半导体微波集成电路及其功率放大装置。该功率放大装置包括：输出匹配网络，与所述第一输出端连接；高功率放大单元，信号输入端与所述第一输入端电连接，信号输出端通过所述输出匹配网络与所述第一输...
- 刘帅武继斌冯威游恒果米谭
- 文献传递
- 一种工作模式可切换的功率放大器
- 本发明公开了一种工作模式可切换的功率放大器，包括：输入模块、第一开关模块、小功率放大模块、第二开关模块、大功率放大模块和输出模块。在脉冲工作模式，第一开关模块和第二开关模块断开，大功率放大模块采用脉冲信号加电并对输入信号...
- 刘帅武继斌冯威游恒果
- 文献传递
- X波段功率单片放大器的研制被引量：4
- 2005年
- 介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立。X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1。
- 王同祥武继斌张务永
- 关键词：砷化镓
- 覆盖C‑Ku频段的GaN MMIC放大器
- 本发明公开了一种覆盖C‑Ku频段的GaN MMIC放大器，涉及MMIC放大器技术领域。所述放大器包括多级放大电路，前级有源器件与后级有源器件之间通过匹配网络进行连接，所述匹配网络包括电容C1‑C4、电阻R1以及电感L1，...
- 刘帅胡志富武继斌冯威
- L波段高效率内匹配GaN HEMT被引量：7
- 2014年
- 研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件。利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证。在此基础上设计两胞匹配电路,采用电感-电容匹配网络,器件阻抗提升到12Ω,利用改进型威尔金森功率分配器和功率合成器将阻抗由12Ω提升到50Ω,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片加工。研制的内匹配GaN HEMT器件在测试频率为1.20～1.32 GHz时,输出功率大于80 W,功率增益大于16.2 dB,最大功率附加效率达到72.1%。
- 银军武继斌张志国高学邦吴洪江
- 关键词：GANHEMT内匹配L波段功率
- S波段大功率GaAs PHEMT单片放大器被引量：2
- 2011年
- GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%。建立了基于EEHEMT的大信号模型,利用ADS软件搭建了有耗匹配的二级放大电路拓扑结构,进行最佳效率匹配,得到优化电路。采用4英寸（1英寸=2.54cm）GaAs0.35μm标准工艺研制了AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT MMIC电路,测试结果表明,在测试频率为2.2~3.4GHz,测试电压VDS为10V时,输出功率大于12W,功率增益大于22dB,功率附加效率大于40%。
- 武继斌吴洪江张志国高学邦
- 关键词：PHEMT单片功率放大器大功率S波段
- C波段紧凑型25W GaN宽带功率放大器被引量：1
- 2019年
- 基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标,实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(MMIC)放大器。芯片测试结果表明,在4～8 GHz频率范围内,漏极电压28 V,连续波条件下,放大器的小信号增益大于30 dB,大信号增益大于23 dB,饱和输出功率大于44 dBm,功率附加效率为38%～45%。该单片放大器芯片尺寸为3.6 mm×4.0 mm。
- 刘帅蔡道民武继斌
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管高功率放大器宽带功率附加效率
