池毓宋
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 0.13mm CMOS工艺射频MOS场效应管建模
- 池毓宋
- 关键词：MOS场效应管
- 基于区域化的CMOS模型参数提取方法被引量：2
- 2005年
- 根据CMOS的可缩放特性,提出了一种基于区域化(Binning)的模型参数提取方法。本方法首先按器件的尺寸划分区间,然后计算参数的缩放系数,最后根据缩放公式确定同一区间内不同尺寸器件的参数值。而传统的CMOS参数提取方法是在一定的区间内提取一个典型的参数值,用它代表整个区间内器件的参数值。与传统方法相比,本方法提高了模型参数的精度。针对一组0.35μmCMOS器件,利用本方法获得的缩放系数计算了区间内几个单管的模型参数,所得到的结果与针对每个单管提取参数的结果吻合得很好,平均误差小于6%。
- 张少勇黄风义池毓宋吴忠洁姜楠
- 关键词：CMOS模型参数可缩放性
- 硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取被引量：1
- 2005年
- 文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法。结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取。得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好。
- 池毓宋黄风义张少勇吴忠洁
- 0.13μm CMOS工艺射频MOS场效应管建模
- 无线通信的快速增长为射频集成电路带来了巨大的市场需求。随着CMOS工艺特征尺寸的不断减小，MOS场效应管的特征频率已经超过了100GHz，这使得CMOS工艺成为射频集成电路设计的一个重要选择。为了提高市场竞争力，采用具有...
- 池毓宋
- 关键词：CMOS工艺无线通信射频集成电路MOS场效应管
- 文献传递
- 0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟被引量：1
- 2006年
- 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
- 池毓宋黄风义吴忠洁张少勇孔晓明王志功
- 关键词：CMOS射频小信号模型
