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熊政伟

作品数:52 被引量:26H指数:3
供职机构:西南科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省自然科学基金中国工程物理研究院发展基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 11篇软磁
  • 8篇合金
  • 7篇矫顽力
  • 7篇磁性能
  • 6篇软磁性能
  • 6篇陶瓷
  • 5篇电性能
  • 5篇增透
  • 5篇增透膜
  • 5篇热压
  • 5篇热压烧结
  • 5篇纳米
  • 5篇激光
  • 5篇光学
  • 4篇软磁合金
  • 3篇单晶
  • 3篇石墨
  • 3篇酸催化
  • 3篇陶瓷样品
  • 3篇铁镍合金

机构

  • 49篇西南科技大学
  • 15篇中国工程物理...
  • 3篇四川大学
  • 3篇西南应用磁学...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇绵阳职业技术...
  • 1篇学研究院
  • 1篇成都九洲迪飞...

作者

  • 52篇熊政伟
  • 23篇竹文坤
  • 10篇曹林洪
  • 8篇吴卫东
  • 6篇李俊
  • 5篇王雪敏
  • 5篇王进
  • 4篇杨江
  • 4篇高志鹏
  • 3篇杨佳
  • 3篇彭丽萍
  • 3篇刘艺
  • 2篇姜帆
  • 2篇王瑜英
  • 2篇杨永佳
  • 2篇程新路
  • 2篇沈昌乐
  • 2篇魏占涛
  • 2篇房雷鸣
  • 2篇陈涛

传媒

  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇物理学报
  • 2篇高压物理学报
  • 2篇磁性材料及器...
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇核聚变与等离...

年份

  • 15篇2024
  • 15篇2023
  • 7篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
52 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
亚微米尺寸金属电极的制备工艺被引量:1
2015年
亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。
湛治强阎大伟熊政伟沈昌乐彭丽萍罗跃川王雪敏吴卫东
关键词:亚微米电子束曝光金属电极
一种室温固相法合成磷酸铋粉末的方法
本发明公开了一种室温固相法合成磷酸铋粉末的方法,涉及磷酸铋的制备技术领域。本发明包括以下步骤:S1:称取Bi(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O(五水合硝酸铋)粉末2~...
郝辰春熊政伟张丽卿朱家艺王文忠贾莹
一种高位错密度钨合金材料的制备方法
本发明公开了一种高位错密度钨合金材料的制备方法,包括以下步骤:步骤一、取W、Ni和Fe金属粉末,混合均匀;步骤二、将步骤一混合均匀的粉末装填到模具中成型;步骤三、将填装好粉末的模具置于放电等离子烧结炉的烧结腔内,采用放电...
熊政伟高志朋竹文坤万莉莉
一种高磁能积稀土钴永磁材料的制备方法
本发明公开了一种高磁能积稀土钴永磁材料的制备方法,包括:按照化学表达式Pr(Co<Sub>1‑u‑v‑w‑y</Sub>Fe<Sub>u</Sub>Cu<Sub>v</Sub>Zr<Sub>w</Sub>R<Sub>y<...
竹文坤何嵘朱晓宇陈涛熊政伟
一种高致密度、低铁磁共振线宽LiZn铁氧体陶瓷的制备方法
本发明公开了一种高致密度、低铁磁共振线宽LiZn铁氧体陶瓷的制备方法,包括:按配方称取原材料,得到混合物A;将制备得到的混合物A采用湿法工艺一次球磨,混合均匀后烘干,得到混合物B;将得到的混合物B预烧后保温;将预烧后的混...
熊政伟竹文坤高志鹏
一种铁镍基软磁合金的制备方法
本发明公开了一种铁镍基软磁合金的制备方法,包括以下步骤:步骤一、取Fe、Ni、Mn、Si、Cr、Ti、Co和Cu金属粉末,球磨混合;步骤二、将球磨混合后的粉料使用真空热压烧结炉进行热压烧结;步骤三、将热压烧结后的样品使用...
熊政伟高志鹏竹文坤万莉莉
一种多倍频程滤波器组件
本发明公开了一种多倍频程滤波器组件,涉及电子对抗、微波测量、高性能仪器仪表领域,包括:在基于三级谐振子的多倍频程带通滤波组件的构思上,采用五级高选择性滤波耦合技术,且在激励器内部进行模拟和数字组合补偿的设计,将多倍频程滤...
曹徴鉴熊政伟高志鹏陈彧胡潇文
基底温度对三氧化钨薄膜光电化学性能的调控研究被引量:2
2021年
由于环境友好性、高的地球丰度和稳定的物理化学性质,三氧化钨在光电响应、光催化领域应用潜力巨大,受到了人们的广泛关注。薄膜形态的光催化材料能够避免粉体材料的团聚问题,并且在转移、回收再利用方面优势明显,因此制备用于光催化的三氧化钨薄膜是当前的研究前沿。本文通过磁控溅射在石英玻璃基底上沉积三氧化钨薄膜,研究了不同基底温度对薄膜结构和形貌的影响。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电镜、紫外可见吸收光谱、电化学工作站、光催化自组装平台对薄膜的成分形貌、光电化学性能、光催化活性进行表征。测试结果表明:基底温度为500℃时制备的单斜相三氧化钨薄膜具有较好的结晶性和更少缺陷,在500℃的基底温度下,新出现的(002)晶面取向的晶粒导致薄膜表面粗糙度和表面能增加,提升了光生电子空穴分离效率。光降解实验进一步证实此条件下制备的样品表现出最佳的光降解效率。可见,基底温度对磁控溅射制备的三氧化钨薄膜的光电化学性能有明显的调控作用。
杨镜鑫赵佳萍郭佳兴熊彪林永乐王进曹林洪熊政伟符亚军
关键词:基底温度磁控溅射三氧化钨光电响应光催化薄膜
一种镀膜基底的清洗方法
本发明公开了一种镀膜基底的清洗方法,包括:使用洗涤剂对镀膜基底进行粗洗;对镀膜基底进行丙酮超声清洗;对镀膜基底进行去离子水冲洗,去除丙酮残留;对镀膜基底进行酸洗;再次对镀膜基底进行去离子水冲洗;对镀膜基底进行等离子体清洗...
熊政伟高志鹏李俊魏占涛竹文坤刘潇如
成型压力和脱模剂添加量对FeNiMo磁粉芯磁导率和损耗的影响被引量:1
2023年
采用溶胶-凝胶法实现对FeNiMo的SiO_(2)绝缘包覆后制备磁粉芯,考察了硬脂酸锌脱模剂和粉芯成型压力对粉芯磁导率和功率损耗的影响。结果表明,在100 mT/100 kHz条件下,脱模剂的添加对粉芯的磁滞损耗影响较小,对涡流损耗的影响较大。添加适量的硬脂酸锌可提高粉芯的密度和电阻率。随着成型压力增大,粉芯密度逐渐增大,电阻率逐渐降低,导致涡流损耗显著增高。对于不同压力成型的样品,总损耗主要来源于磁滞损耗,这主要由粉芯的矫顽力所决定的。经过优化后的硬脂酸锌添加量为0.25 wt%,成型压力为10 MPa,对应的有效磁导率和总损耗分别为56.8和709.7 kW/m^(3)(100 mT/100 kHz)。相比于其它的SiO_(2)包覆的磁粉芯,经过本实验优化的脱模剂添加量和成型压力制备的FeNiMo粉芯,具有更高的有效磁导率和更低的总损耗。
杨江熊政伟熊政伟杨陆管弦曹林洪王进曹林洪王进
关键词:磁滞损耗涡流损耗
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