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牛国富

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇埋层
  • 2篇晶体管
  • 2篇硅膜
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇SIMOX
  • 2篇SOI结构
  • 2篇MOSFET
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇渡越时间
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道MOS...
  • 1篇亚阈值
  • 1篇亚阈值电流
  • 1篇砷化镓
  • 1篇数值模拟
  • 1篇速度过冲
  • 1篇器件物理
  • 1篇阈值电流

机构

  • 7篇复旦大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 7篇牛国富
  • 5篇阮刚
  • 1篇汤庭鳌
  • 1篇吴渊

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
AlGaAs／InGaAs／GaAs异质结构中扩散噪声和扩散系数的蒙特卡罗研究
1996年
本文用蒙特卡罗法研究了ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构中二维电子气的扩散噪声和扩散系数．同ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构的情况一样，平行速度相关函数呈现振荡，但不同的是振幅随电子密度变化很小．另外，振幅在ＩｎＧａＡｓ层厚度增加时下降．用单个电子的相关函数和一组电子的位移方差两种不同方法计算了扩散系数．
吴渊牛国富阮刚
关键词：ALGAASINGAAS砷化镓
短沟道MOSFET渡越时间物理模型
1995年
叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％
牛国富阮刚
关键词：渡越时间速度过冲MOSFET沟道物理模型
为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型被引量：3
1993年
本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10^(18)cm^(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。
牛国富阮刚
关键词：硅膜二氧化硅SOI结构埋层SIMOX
一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法
1993年
采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。
牛国富汤庭鳌Carlos A.Paz de Araujo
关键词：亚阈值电流MOS场效应晶体管
硅基VLSI MOSFET器件物理,建模及数值模拟
牛国富
为SIMOX　SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
1994年
本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺优化设计和发展ＶＬＳＩＴＣＡＤ具有参考价值，同时给出了在常规氧注入能量（如１５０ｋｅＶ）下用增大剂量方法制备ＴＦＳＯＩ结构的理论依据．
牛国富阮刚
关键词：硅膜二氧化硅SOI
考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型被引量：3
1994年
提出了一个考虑速度过冲效应的亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ器件解析模型。亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似，根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果，提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法，得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。
牛国富阮刚
关键词：场效应晶体管
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