您的位置: 专家智库 > >

王晓光

作品数:10 被引量:10H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金福建省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇发光
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇红外
  • 2篇调制
  • 2篇调制技术
  • 2篇晶体
  • 2篇光谱
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光致发光
  • 2篇半导体
  • 2篇YAG
  • 2篇P
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇有序度
  • 1篇远红外探测器
  • 1篇三元合金
  • 1篇砷化镓
  • 1篇探测器

机构

  • 10篇中国科学院
  • 2篇厦门大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 10篇王晓光
  • 7篇常勇
  • 5篇褚君浩
  • 4篇唐文国
  • 2篇汤定元
  • 2篇吕毅军
  • 2篇李志锋
  • 2篇郑健生
  • 2篇曹余惠
  • 2篇蔡炜颖
  • 2篇高玉琳
  • 2篇王燕
  • 1篇何力
  • 1篇曾一平
  • 1篇俞罡
  • 1篇蒋立峰
  • 1篇沈文忠
  • 1篇殷绍唐
  • 1篇孔梅影
  • 1篇桂永胜

传媒

  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1999
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Tm^(3+)在YAG中荧光的温度效应
2000年
本文测量了Tm3+ 离子在YAG中不同温度下的荧光光谱。研究了Tm3+ 离子3F4 3H6 跃迁5870cm- 1谱线的热加宽以及谱线位移。并利用晶格振动 (声子 )和离子间的相互作用进行了解释。结果表明 :谱线的温度加宽主要是由于Raman双声子过程 ,谱线位移是由于发射和重吸收虚声子造成的。
王燕常勇殷绍唐王晓光曹余惠
关键词:荧光光谱温度效应TM:YAG激光晶体
窄禁带Hg_(0.79)Cd_(0.21)Te的红外光致发光被引量:2
2000年
对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,消除了室温背景黑体辐射在 4μm至 5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10μm红外波段得到了组分 x=0 .2 1窄禁带 Hg Cd Te的光致发光光谱 ,对光谱的主要结构也进行了指认 ,发现存在于这种材料中的 4me V的杂质能级 ,其来源是材料中的浅杂质 .
常勇王晓光唐文国褚君浩
关键词:红外光致发光HGCDTE
赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
2000年
测量了一系列不同隔离层 (spacer)厚度、阱宽和硅 δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管 (p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱 ,详细研究了 (el- hh1)和 (e2 - hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制 ,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率 ,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化 .
王晓光常勇桂永胜褚君浩曹昕曾一平孔梅影
关键词:光致发光性质Δ掺杂砷化镓
MBE HgCdTe薄膜的红外光致发光
常勇王晓光黄根生唐文国何力褚君浩
关键词:MBEHGCDTE薄膜红外光致发光
Cr,Tm,Ho∶YAG中Tm→Ho的能量转移被引量:6
2002年
本文采用Boltzmann分布近似 ,计算了不同温度下Tm→Ho的净能量转移 ;计算了实验中不同温度下Ho3 + 离子的荧光发射强度在整个Tm—Ho体系荧光发射中的比例。我们的实验和计算表明 ,对Tm—Ho准三能级体系采用Boltzmann分布近似 。
王燕常勇殷绍唐王晓光曹余惠
中远红外傅里叶变换发光测量中双调制技术的实现与优化
2001年
对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,在迈克耳孙干涉仪一级调制的基础上 ,引入更高频率调制锁相测量手段。通过这一测量方法的引入 ,并通过对调制频率和带通滤波器等测量参数的优化 ,基本消除了室温背景的黑体辐射在 4μm~ 5 μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10 μm长波红外波段得到了无室温背景黑体辐射影响的光致发光光谱 ,从而将光致发光测量推至 5
常勇唐文国程才凤王晓光褚君浩汤定元
关键词:黑体辐射无损检测半导体材料
三元Ga_xIn_(1-x)P和四元(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P合金拉曼光谱研究被引量:1
2000年
测量了室温下三元GaxIn1-xP (x =0 .48)和四元 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P (x =0 .2 9)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元GaxIn1-xP的喇曼谱表现为双模形式 ,在DALA带上叠加了FLA模 ,在有序样品中观察到了类GaP的TO1模和类InP的TO2 模 ,类GaP的LO1模和类InP的LO2 模的分裂 ,表示有序度的b a比从无序样品的 0 .40变化到有序样品的 0 .1 0 ,有序样品b a比的降低是由于TO1模和LO1模分裂的影响所造成的。四元 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P为三模形式 ,观察到了双峰结构的FLA模 ,由于Al组分的影响 ,类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰。所有模式与经验公式吻合得很好。
吕毅军高玉琳郑健生李志锋蔡炜颖王晓光
关键词:喇曼谱MOVPE
三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的喇曼散射谱被引量:1
2001年
采用室温下微区Raman散射方法 ,观测到了GaInP2 的LO双模行为和禁戒的TO模 ,由于晶格有序导致晶体对称性从Td 降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中 ,除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2 以外 ,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明 ,随着晶格有序度的增加 ,b/a值减小。这是因为 :一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的 ,另一方面 ,还可能有LO1模和LO2 模分裂的贡献。在实验上 ,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。
高玉琳吕毅军郑健生李志锋蔡炜颖王晓光
关键词:有序度
中远红外Fourier变换发光测量中的双调制技术
2000年
对Fourier变换发光测量方法进行改进,引入双调制技术,基本消除了室温背景黑体辐射在4到5μm以上区域对光致发光测量带来的干扰,将光致发光测量推至5μm以上长波红外波段。
常勇唐文国程才峰王晓光褚君浩汤定元
关键词:发光傅立叶变换
GaAs远红外探测器中的辐射复合特性研究
2002年
借助光致发光技术对n-GaAs同质结内发射远红外探测器结构进行了详细的辐射复合特性研究.根据发光特性和高密度理论计算,观察和确认了来自探测器发射层中的光致发光信号.提出了光生载流子转移模型,很好地解释了发射层中光致发光信号与温度和激发功率的依赖关系.根据得到的辐射复合特性,提出了进一步提高探测器工作温度的方案.
沈文忠蒋立峰俞罡王晓光沈学础
共1页<1>
聚类工具0