王森
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 非调谐式W波段检波器被引量：3
- 1987年
- 本文介绍了W波段非调谐式检波器的结构和性能。为了展宽频带,采用了脊波导腔。文中给出了检波器的灵敏度、平方律特性以及驻波系数的测试结果。并将平方律特性的实验值与计算值作了比较。实验给出,频率在89～95GHz范围内,输入功率小于-10dBm时,检波器呈线性,灵敏度为0.2mV/μW;当负载开路时,灵敏度不小于0.4mV/μW。在此频率范围内,输入功率在0.02～1.0mW内变化时,驻波系数均小于1.8。
- 王家璋冯正和高葆薪王森柳吉麟
- 关键词：检波器驻波系数仪表脊波导波段
- 掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响
- 1983年
- 利用AES和ESCA能谱仪和离子剥离相结合的方法,研究了不同温度下在n型GaAs上淀积SiO_2掩膜层的n-GaAs(100)表面化学组分的变化对形成肖特基结和欧姆接触的影响.在这基础上提出,通常淀积SiO_2过程是以淀积SiO_2为主,并伴随着GaAs本体氧化和As-O 键中的As挥发和氧转移到Ga上来形成附加的Ga_2O_3的两个物理过程所组成.解释了400℃淀积SiO_2掩膜层的3mm混频器各项性能优于700℃淀积SiO_2掩膜层的4mm混频器,而后者性能不够理想的原因是由于金属/n-GaAs界面处仍有β-Ga_2O_3而引起较多的界面缺陷所致.在An-Ge-Ni/GaAs界面处很薄的 β-Ga_2O_3对 An-Ce-Ni欧姆接触性能影响不大.但长期存放后在Au-Ge-Ni表面上形成的Ga_2O_3对欧姆接触就有影响.
- 陈克铭王森陈维德方浦明
- 关键词：N-GAAS混频器微波器件淀积肖特基结化学组分
- 一种新的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜三端器件
- 1989年
- 设计研制了一种新的YBCO薄膜三端器件,该器件利用半导体硅薄膜与YBCO薄膜相接触,从而发现了微弱信号下的开关和放大效应.器件能在液氮或室温工作.器件制造工艺简单.
- 徐鸿达王森赵柏儒袁彩文李林
- 关键词：半导体器件YBCO
- 高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器
- 1992年
- 探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10^(10)cmHz^(1/2)/W.
- 钟战天周小川杜全钢李承芳周鼎新王森吴荣汉於美云徐俊英蒋健
- 关键词：波长
- 非调谐式W波段检波器
- 介绍了W波段非调谐式检波器的结构和性能。为了展宽频带，采用了脊波导腔结构。文中给出了检波器的灵敏度、平方律特性以及驻波系数的测试结果。（本刊录）
- 王家璋冯正和王森
- 关键词：极高频检波器灵敏度驻波
