您的位置： 专家智库 > >

王湘

作品数：33 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 16篇衬底
  • 12篇注氧隔离
  • 9篇退火
  • 9篇埋层
  • 9篇键合
  • 8篇高温退火
  • 7篇离子注入
  • 7篇绝缘
  • 7篇绝缘体上硅
  • 7篇半导体
  • 6篇注氧隔离技术
  • 6篇晶体管
  • 6篇绝缘埋层
  • 6篇硅衬底
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇单晶
  • 5篇单晶硅
  • 5篇绝缘体
  • 4篇应变硅

机构

  • 33篇中国科学院
  • 16篇上海新傲科技...

作者

  • 33篇王湘
  • 16篇王曦
  • 16篇陈猛
  • 16篇陈静
  • 13篇董业民
  • 6篇林梓鑫
  • 3篇易万兵
  • 2篇金波
  • 2篇张继华
  • 1篇郑志宏
  • 1篇刘相华

传媒

  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 8篇2010
  • 4篇2009
  • 6篇2005
  • 1篇2004
  • 8篇2003
  • 2篇2002
共 33 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
混合晶向应变硅衬底及其制备方法
一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一...
魏星王湘李显元张苗王曦林成鲁
文献传递
一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法
本发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤...
董业民王曦陈猛王湘陈静林梓鑫
文献传递
一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法
一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底；采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底，以减小衬底的总厚度偏差；抛光支撑衬底表面以降低粗糙度；将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起；将器件层衬底减薄至...
魏星王湘杨建张苗王曦林成鲁
选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
本发明涉及一种源漏在绝缘体上的场效应晶体管(MOSFET)的制造方法，属于微电子技术领域。本发明的特征在于采用选择外延法在常规SOI MOSTET器件的沟道下方埋氧中开一个窗口，使器件的沟道和硅衬底相连接，达到电耦合与热...
董业民陈猛王曦王湘陈静
文献传递
氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究
2003年
实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。进一步的结果表明,室温氢离子注入导致的增宽效应比高温注入明显。
易万兵陈猛陈静王湘刘相华王曦
关键词：注氧隔离
注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法
本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个...
董业民王曦陈猛陈静王湘张继华易万兵金波
文献传递
在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法
本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝...
魏星王湘张苗王曦林成鲁
文献传递
一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法
一种绝缘体上锗硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法，...
魏星王湘杨建张苗王曦林成鲁
文献传递
一种制备混合晶向半导体衬底的方法
一种制备混合晶向半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底，所述第二半导体支撑衬底表面具有第二晶面；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形...
魏星王湘李显元张苗王曦林成鲁
文献传递
一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法
本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子,注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成...
陈猛王湘王曦陈静林梓鑫
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0