田少华
- 作品数：10 被引量：37H指数：3
- 供职机构：河北大学更多>>
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- 相关领域：理学化学工程经济管理机械工程更多>>
- (Zn,Cd)S∶Cu,Cl发光材料的热释发光被引量：12
- 2005年
- 在ZnS中分别掺杂质量分数为5%、7%、10%、15%、20%的CdS,得到一系列(Zn,Cd)S∶Cu,Cl粉末电致发光材料样品。测量样品材料的热释发光曲线,发现五个样品在温度-180～-20℃范围内均有两个明显的热释发光峰。CdS含量的变化对材料中陷阱的种类和陷阱深度没有明显的影响,两个峰值温度在-150℃和-50℃附近。Cd离子的掺入改变了材料较深陷阱中载流子的浓度,随着CdS量的增加,使得在-50℃的热释发光峰的相对强度增大。通过测量样品的发光光谱和发光亮度,发现随着CdS含量的增加,样品材料的发射光谱向长波方向移动,发光亮度呈下降的趋势。
- 李志强田少华宋伟朋韦志仁董国义窦军红
- 关键词：电致发光热释光发光光谱发光亮度
- 温度对电致发光粉表面包覆SiO_2膜特性的影响被引量：1
- 2004年
- 采用化学气相沉积法,以硅酸乙酯和氧气作为前驱体在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,并对样品进行了能量色散X射线分析,AgNO3抗腐蚀,发光亮度和光谱等测试.结果证实当温度为500℃时,包膜样品具有良好的防潮抗腐蚀性能,材料发光寿命得到明显改善,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.
- 李娟李志强田少华吴峰
- 关键词：包覆CVD二氧化硅
- ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响被引量：2
- 2005年
- 本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。
- 董国义窦军红张蕾韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华
- 关键词：能级浅电子陷阱导带受主施主
- FF公司营销系统人力资源管理研究
- 人力资源是企业最宝贵的资源,加强人力资源管理,是做好一个企业的前提。在金融危机席卷全球,市场竞争已日趋白热化的今天,企业间人才的争夺战愈演愈烈。而营销团队的管理是企业人力资源管理的重点。FF公司建厂已有55年的悠久历史,...
- 田少华
- 关键词：企业管理营销系统人力资源管理
- 文献传递
- CVD法在电致发光粉表面包覆SiO_2膜被引量：8
- 2004年
- 以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下,采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO3抗腐蚀、发光亮度等测试。结果显示:发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO2。包覆的发光粉耐AgNO3腐蚀时间能达121h之久,样品的初始发光亮度均能达到未包覆样品的70%以上,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动。
- 李志强李娟田少华韦志仁
- 关键词：SIO2包膜CVD
- 黄色粉末电致发光材料发光特性的研究
- 本文采用复合基质材料ZnS和CdS，制备了一系列黄色(Zn，Cd)S：Cu，Cl粉末交流电致发光材料。并利用热释光，光致发光光谱，X射线衍射，微波吸收介电法等手段研究了(Zn，Cd)S：Cu，Cl材料的发光特性。
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- 田少华
- 关键词：电致发光材料热释光发光光谱发光亮度
- 文献传递
- Cu^+浓度对ZnS:Cu电致发光材料热释光曲线的影响被引量：1
- 2005年
- 以ZnS为基质材料,分别掺入0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%浓度的Cu+作为激活剂,制得5个ZnS:Cu电致发光材料样品。通过对样品材料热释光曲线的分析和电致发光亮度的测量,得出结论:当Cu+的浓度含量过高,虽然发光中心数目增加,但热释光曲线的强度降低。当Cu+掺入浓度为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的热释光曲线峰值最大,发光亮度最高。
- 李志强田少华宋伟朋韦志仁窦军红李娟
- 关键词：电子陷阱电致发光发光亮度
- ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响被引量：1
- 2006年
- 采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。
- 董国义窦军红韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华
- 关键词：ZNS热释光光电子
- 水热法合成Mn_xZn_(1-x)O微晶体(英文)被引量：2
- 2004年
- 本文采用水热法合成了MnxZn1 xO晶体 ,水热反应条件为 3mol·L-1KOH作为矿化剂 ,填充度为 35 % ,温度为4 30℃ ,在Zn(OH) 2 中添加一定量的MnO2 为前驱物 ,反应时间为 2 4h。通过X射线能谱仪测量了晶体中的Mn含量 ,随着前驱物中MnO2 含量的增加 ,晶体中Mn的原子百分比随着增加 ,Mn最大原子百分比含量超过了 2 % ,晶体的形貌具有纯ZnO晶体的六角柱形特征。显露柱面m{ 10 10 }、锥面p{ 10 11}、负极面O面 { 0 0 0 1}和正极面 { 0 0 0 1}。晶体直径为 5 0～ 2 0 0 μm ,高度为 2 0～ 10 0 μm。
- 李志强田少华韦志仁葛世艳窦军红郑文礼张华伟
- 关键词：水热法KOH矿化剂氢氧化钾稀磁半导体
- Cu^+对ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响被引量：10
- 2004年
- 以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480nm逐渐变为520nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高.
- 田少华李志强宋伟朋
- 关键词：ZNS电致发光光致发光光谱发光亮度
