葛世艳
- 作品数：30 被引量：74H指数：6
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- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 高性能透明镁铝尖晶石陶瓷的制备及应用
- 雷牧云宋庆海李祯黄存新沈德忠杨永良石景富葛世艳娄载亮赵艳民
- 高性能透明镁铝尖晶石陶瓷(以下简称TMAC)材料属于无机非金属材料领域中高技术陶瓷范畴。TMAC在紫外、可见光、红外波段具有优良的透过性能，主要应用在光电材料领域，作为窗口材料、透明防护材料和基片材料等。该项目从制备高纯...
- 关键词：
- 关键词：无机非金属材料
- LiOH矿化剂对水热合成ZnO晶体形貌的影响被引量：3
- 2005年
- 本文研究了在 430℃,填充度为 35%时, 以不同浓度的LiOH为矿化剂,水热合成ZnO晶体的形貌特征。选用了 3mol/L, 5mol/LLiOH做矿化剂,所获得晶体均为 10μm以下的微晶。当矿化剂为 1mol/LLiOH和 1mol/LKBr时,所获得晶体同样为几微米的微晶,显露完整的正极面{0001}、负极面 {0001}、锥面 {1011}和柱面 {1010}。矿化剂为 3MLiOH和 3MKBr时,出现个体较大的晶体,直径超过 100μm,显露正极面 { 0001 }、正锥面 { 1011 }和柱面{1010},负极面出现缺损现象。由此说明和K+相比溶液中的Li+不利于生成大尺寸ZnO晶体。
- 韦志仁葛世艳窦军红李军刘超林琳郑一博董国义
- 关键词：OH晶体形貌水热合成正锥柱面矿化剂
- ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响被引量：2
- 2005年
- 本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。
- 董国义窦军红张蕾韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华
- 关键词：能级浅电子陷阱导带受主施主
- 一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法
- 本发明公开了一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法，具体为：1)将合成KTiOPO<Sub>4</Sub>晶体的原料KH<Sub>2</Sub>PO<Sub>4</Sub>和TiO<Sub>2</Sub>，合成K<Sub...
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- 文献传递
- 水热法合成氧化锌晶体形貌特征
- 本文采用水热法,在430℃。35%填充度,反应24h合成了ZnO晶体.当矿化剂浓度较低时,如1mol·L-1NaqOH,只合成了ZnO微晶.提高矿化剩浓度可以合成出个体较大晶体,如采用5 mol·L-1NaOH作矿化剂时...
- 韦志仁葛世艳董国义窦军红李军郑文礼张华伟李志强
- 关键词：水热法矿化剂晶体形态
- 文献传递
- 非化学计量比镁铝尖晶石透明陶瓷的制备及性能被引量：5
- 2011年
- 制备了一系列非化学计量比镁铝尖晶石粉体及透明陶瓷(MgO.nAl2O3,n=1,1.5,2,4),研究了n值对粉体物相的影响以及n值与陶瓷中波红外透过率、抗弯强度的关系。n值为1.5、2、4时,MgO.nAl2O3粉体仍可保持纯尖晶石相。MgO.1.5Al2O3透明陶瓷在具备与计量比镁铝尖晶石透明陶瓷(MgAl2O4,即MgO.Al2O3)相当的优良中波红外透过率的同时,抗弯强度从152 MPa提高至215 MPa,提高幅度达41%。力学性能的提升有利于镁铝尖晶石透明陶瓷的应用。
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- 关键词：镁铝尖晶石透明陶瓷中波红外抗弯强度
- 水热法α-Al_2O_3自发结晶和形态控制被引量：9
- 2004年
- 本文研究了高温高压水热法合成α Al2 O3 晶体的形态特征。在水热条件下 ,α Al2 O3 的晶体形态和合成温度、矿化剂浓度有密切关系。当KOH浓度和温度较低时 (如 0 .1MKOH ,390℃ ) ,显露c{ 0 0 0 1}、a{ 11 2 0 }、r{ 0 1 12 }、n{ 11 2 3}晶面。随着矿化剂浓度和温度的提高 ,晶体r{ 0 1 12 }和n{ 11 2 3}面的显露面积越来越小 ,直到完全消失 (如2MKOH ,4 0 0℃ ) ,晶体只显露底面c{ 0 0 0 1}、和柱面a{ 11 2 0 } 。
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- 关键词：水热法Α-AL2O3晶体水热反应矿化剂
- 水热法合成掺Mn橙色刚玉晶体
- 2004年
- 本文采用水热法 ,在 4 30℃、4 0MPa的压力下合成出了纯α Al2 O3 晶体。在同样的条件下 ,通过掺入Mn(NO3 ) 2合成了掺Mn橙红色刚玉晶体。掺入Mn(NO3 ) 2 时 ,合成产物有两种晶体 ,一种是无色刚玉晶体 ,体积较小 ,为六棱柱状 ,直径 30～ 4 0 μm ,高为 30～ 4 0 μm。另一种晶体为橙红色掺Mn刚玉晶体 ,其外形轮廓近乎球形 ,晶体表面有十分粗糙的生长阶梯 ,台阶高度为 2～ 5 μm ,晶体高 2 0 0～ 30 0 μm ,直径 2 0 0～ 30 0 μm。
- 董国义张华伟韦志仁李志强葛世艳窦军红王立明
- 关键词：水热法MN晶体形貌矿化剂
- 水热法合成ZnO基稀磁半导体材料
- 本文采用水热法对ZnO晶体进行了稀磁性掺杂,其方法是在Zn/(OH/)/_2或ZnO前驱物中掺入一定量的过渡族金属氧化物或氯化物,在较高浓度的矿化剂条件下,430℃,恒温24小时,合成了掺杂Mn、Co、Ni、Fe离子的Z...
- 葛世艳
- 关键词：水热合成ZNO晶体稀磁半导体晶体形态磁性
- 文献传递
- K4体系KTP晶体的制备及其性能研究被引量：1
- 2011年
- 本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4=0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试。结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一;1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8%(普通KTP转化效率为50%);在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10 S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2～3个数量级。
- 葛世艳师瑞泽肖亚波李祯张杰姜秀丽王立弟
