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掺Bi钨酸盐单晶及近红外宽带发光的研究: 夏海平王存宽邱杨王金浩虞灿罗彩香张晓荷万云涛钟月锋; 首次采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达Ф30 mm*100 mm、Bi2O3初始掺杂浓度为0.5 mol%的CdWO4单晶.生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光...; 关键词：; 关键词：单晶生长光电子能谱晶体

掺Bi钨酸镉单晶体发光特性的研究被引量：3: 2011年; 用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO4单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO4晶体的吸收边从345nm红移到399nm.在311nm,373nm,808nm和980nm光的激发下,分别观测到中心波长为470nm,528nm,1078nm和较弱的1504nm四个不同发射带.Bi:CdWO4单晶的XPS谱分别与Bi2O3(Bi3+)和NaBiO3(Bi5+)样品的进行比较,推断Bi3+和Bi5+离子同时存在于CdWO4晶体中.可见光波段的470nm与528nm荧光发射起因于CdWO4晶体基质中WO66-与掺杂于晶格中Bi3+离子的发光;而1078nm的发射峰则起因于Bi5+离子的发光.XPS的分析结果与荧光强度的变化一致,沿着晶体生长方向,1078nm的荧光强度逐步变弱,Bi5+离子的含量逐步减少;而位于528nm处的荧光强度则逐步增强,Bi3+离子的含量逐步增多.; 罗彩香夏海平虞灿徐军; 关键词：荧光光谱

掺Co钨酸镉单晶体的坩埚下降生长及光谱特性被引量：1: 2011年; 应用坩埚下降法,采用70℃.cm-1的固液界面温度梯度与0.50 mm.h-1生长速度,生长出了初始Co掺杂摩尔百分浓度为0.5 mol%、尺寸为Ф25 mm×120 mm的钨酸镉单晶体。晶体呈透明深蓝色。用XRD表征了获得的晶体。观测到518,564和655 nm三个可见波段吸收带以及发光中心1 863 nm(1 323～2 220 nm)的超宽吸收带。可见波段的吸收归属于Co2+在八面晶格场中4T1(4F)→4A2(4F),4T1(4F)→4T1(4P)跃迁叠加,而红外波段的宽带吸收则为八面体场Co2+的4T1(4F)→4T2(4F)能级跃起所致。从吸收特性表明,Co离子掺杂于畸变的氧八面体中,呈现+2价态。根据吸收光谱计算出晶格场参数Dq=990 cm-1,Racah参数BC=726.3 cm-1。在520 nm波长光的激发下,观察到778 nm波段的荧光发射,归属于八面体晶格场中Co2+的4T1(4P)→4T1(4F)能级的跃迁。从吸收与荧光强度的变化推断:沿着晶体生长方向,Co2+浓度逐渐增加,有效分凝系数小于1。; 虞灿夏海平王冬杰陈红兵; 关键词：坩埚下降法光谱

γ射线辐照与O_2退火对Bi∶CdWO_4单晶体光谱性能的影响被引量：1: 2012年; 用500和800℃,在氧气下,对掺Bi钨酸镉晶体进行热退火处理,测定了处理后晶体的吸收光谱与发射光谱。随退火处理温度的升高晶体的吸收强度降低,吸收边带发生蓝移。在373与980nm的光激发下,分别观察到发光中心为528nm的CdWO4晶体本征发光与发光中心为1 078nm的Bi 5+发光。晶体样品通过高温氧气处理,发光中心为528nm的荧光带强度增强,但发光中心为1 078nm的荧光带强度变弱。这可能是由于氧退火使Bi 5+转化成Bi 3+所致。经退火处理后,晶体的颜色逐渐变浅,透光率明显提高,这是由于晶体中氧空位减少所致。经γ射线辐照处理后,528nm处的发光增强,而1 078nm处的发光减弱,这可能是由于γ射线辐照后导致Bi 5+变成Bi 3+。; 罗彩香夏海平虞灿张约品徐军; 关键词：Γ射线光谱

掺Bi钨酸镉单晶体的坩埚下降法生长及近红外发光特性被引量：6: 2010年; 采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达25 mm×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色。在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396～1550 nm(中心波长为1504 nm)与较强的1037～1274 nm(中心波长为1078 nm)波段的近红外宽带发光,并测定其荧光寿命分别为238μs和294μs。从生长初期的青黄色到生长后期的血红色晶体,1504 nm波段的荧光强度逐步增强,而1078 nm波段的荧光强度逐步减弱。根据实验结果初步探讨了红外宽带发光的机理和起因,1078 nm波段的荧光发射与Bi离子的掺杂有密切关系,而弱的1504 nm荧光发射可能与晶体中的杂质或掺杂后形成的缺陷等因素有关。; 虞灿夏海平罗彩香胡元陈红兵徐军; 关键词：坩埚下降法

掺Bi,Co的钨酸镉激光晶体的坩埚下降法生长及光谱特性: 由于Bi，Co离子掺杂特种固体材料在近红外宽带激光器与光纤放大器中存在重大应用前景，近几年该材料的制备与宽带发光特性的研究逐渐成为国内外学者关注的热点。这些材料通常集中于非晶体玻璃与玻璃光纤中，而晶体材料的报道很少。由于...; 虞灿; 关键词：坩埚下降法光谱特性

一种钨酸镉晶体及其制备方法: 本发明公开了一种具有近红外宽带发光特性的钨酸镉晶体及其制备方法，该钨酸镉晶体以CdWO<Sub>4</Sub>单晶为基质，在其中掺入0.1～2.0mol％的Bi离子，本发明的Bi:CdWO<Sub>4</Sub>氧化物晶...; 夏海平王金浩虞灿罗彩香陈红兵; 文献传递

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虞灿