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赵成利

作品数：19 被引量：16H指数：3
供职机构：贵州大学理学院更多>>
发文基金：国际热核聚变实验堆计划贵州省优秀青年科技人才计划更多>>
相关领域：电子电信理学核科学技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 8篇理学
  • 4篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 18篇动力学
  • 18篇分子
  • 18篇分子动力学
  • 15篇动力学模拟
  • 14篇分子动力学模...
  • 7篇刻蚀
  • 6篇原子
  • 6篇SIC
  • 5篇入射能
  • 5篇入射能量
  • 4篇F原子
  • 3篇相互作用
  • 3篇Β-SIC
  • 3篇SIF
  • 2篇动力学方法
  • 2篇动力学研究
  • 2篇吸附率
  • 2篇聚变
  • 2篇聚变堆
  • 2篇溅射

机构

  • 19篇贵州大学
  • 15篇四川大学
  • 3篇教育部
  • 3篇中国核工业集...
  • 3篇安特卫普大学
  • 1篇西南交通大学

作者

  • 19篇赵成利
  • 14篇苟富均
  • 11篇贺平逆
  • 11篇吕晓丹
  • 8篇秦尤敏
  • 7篇宁建平
  • 7篇孙伟中
  • 6篇张浚源
  • 5篇陈峰
  • 3篇刘华敏
  • 3篇潘宇东
  • 2篇苟富君
  • 1篇田树平
  • 1篇刘玉杰
  • 1篇邓朝勇
  • 1篇张晋敏
  • 1篇张俊源
  • 1篇赵勇
  • 1篇柯川
  • 1篇张利纯

传媒

  • 5篇真空科学与技...
  • 4篇物理学报
  • 3篇核聚变与等离...
  • 2篇核技术
  • 2篇材料导报
  • 1篇材料导报（纳...
  • 1篇2010年全...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 9篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
聚变堆中H刻蚀碳氢薄膜的分子动力学模拟被引量：1
2011年
使用分子动力学方法模拟了低能H原子与碳氢薄膜的作用过程,以了解基于核聚变装置中等离子体与C基材料的相互作用机制。模拟中使用REBO(reactive empirical bond order)势函数来描述C-H体系中原子间的相互作用,并使用Berendsen热浴来控制体系的温度。文中着重探讨了入射能量对低能H原子刻蚀碳氢薄膜的影响,入射能量分别为0.3,1,5和10eV。模拟结果显示随着入射能量的增加,H原子的吸附率增加,C原子和H原子的刻蚀率增加。同一能量下H原子比C原子更易发生刻蚀。通过讨论发现在H原子与碳氢薄膜作用过程中,当能量大于1 eV时,由于入射的H原子先沉积在表面并与表面原子发生反应形成碳氢化合物,然后在后续入射粒子的轰击下碳氢化合物在表面发生解吸附现象,从而导致了C原子的刻蚀,因此C原子的刻蚀发生主要是化学增强的物理溅射。
吕晓丹秦尤敏赵成利宁建平贺平逆苟富均
关键词：分子动力学刻蚀
F原子与Si表面相互作用的动力学研究被引量：6
2012年
采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层。Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响。
赵成利邓朝勇孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆张浚源刘玉杰苟富均
关键词：分子动力学刻蚀
不同流速对LTE态下氢等离子体特性的研究被引量：1
2012年
采用二维流体力学模型研究了多级直流弧放电装置中流速对处于局部热平衡状态下氢等离子体特性的影响。分析了氢等离子体中心轴线处电场和压强的分布情况;各粒子密度在通道中的分布状态;通道出口处等离子体温度以及电导率的分布情况。模拟结果表明,随着流速的增大,中心轴线处电场和压强均增大;通道中氢等离子体的各粒子密度变化很小;通道出口处等离子体温度以及电导率在出口处沿径向的分布影响不大。
陈峰张浚源赵成利孙伟中田树平张晋敏苟富均
关键词：氢等离子体流体
分子动力学模拟不同入射能量的SiF_2与SiC的相互作用
2011年
采用分子动力学模拟方法研究了入射能量对SiF2与SiC样品表面相互作用的影响。本次模拟选择的入射初始能量分别为0.3,1,5,10和25 eV。模拟结果显示SiF2分解率与Si和F原子的沉积率有密切的关系。沉积的Si和F原子在SiC表面形成一层SixFy薄膜。随入射能量的增加,薄膜厚度先增加后减小,薄膜中Si-Si键密度增大。构成薄膜的主要成分SiFx（x=1-4）中主要是SiF和SiF2,随入射能量的增加,薄膜成分由SiF2向SiF转变。
赵成利秦尤敏吕晓丹宁建平贺平逆苟富均
关键词：分子动力学分解率
低能Cl原子刻蚀Si(100)表面的分子动力学模拟被引量：1
2011年
使用分子动力学模拟方法研究了不同能量(0.3—10eV)的Cl原子对表面温度为300K的Si(100)表面的刻蚀过程.模拟中采用了Tersoff-Brenner势能函数来描述Cl-Si体系的相互作用.模拟结果显示,随着入射Cl原子在表面的吸附达到饱和,Si表面形成一层富Cl反应层.这和实验结果是一致的.反应层厚度随入射能量增加而增加.反应层中主要化合物类型为SiCl,且主要分布于反应层底部.模拟结果发现随初始入射能量的增加,Si的刻蚀率增大.在入射能量为0.3,1和5eV时,主要的Si刻蚀产物为SiCl4.在入射能量为10eV时,主要的Si刻蚀产物为SiClx(x<4).分析表明随着入射能量的增加,Cl对Si的刻蚀从化学刻蚀向物理刻蚀转变.
贺平逆宁建平秦尤敏赵成利苟富均
关键词：分子动力学分子动力学模拟微电子机械系统
入射能量对H2^＋与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟被引量：1
2011年
用分子动力学方法研究了入射能量对H2+与SiC样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,在H2+轰击SiC样品表面的初始阶段,样品中H原子的滞留量增加较快,其后,增加的速率减慢,并逐渐趋于饱和。入射能量越大,样品中H原子的滞留量也就越大。样品在H2+的轰击下,样品Si、C原子会发生刻蚀。入射能量越大,Si和C原子的刻蚀量越大。在相同入射能量下,Si原子的刻蚀量大于C原子。生成的产物中,以H,H2和SiH4为主;产物H2的量随着能量的增加而减小。其他产物随着入射能量的增加而增加。
孙伟中赵成利刘华敏张浚源吕晓丹潘宇东苟富均
关键词：分子动力学入射能量刻蚀
样品温度对CF_3^+与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟
2010年
利用分子动力学模拟方法研究了不同温度下CFx层对CF3+刻蚀Si表面过程的影响.由模拟数据可知,温度对C和F的沉积有显著的影响;通过提高样品的温度,物理刻蚀得到了加强,而化学刻蚀被减弱.同时,随着温度的升高,Si的刻蚀率相应增加.刻蚀产物中的SiF,SiF2的量随温度的增加而增加,SiF3的量与基体温度没有直接的关系.Si刻蚀率的增加主要是通过提高SiF,SiF2从表面脱离的量得以实现的.通过比较发现CF3+在Si表面的沉积对后续的刻蚀过程产生了巨大的影响,具体表现为大大增加了Si的刻蚀率,减弱了Si的化学刻蚀机理。
宁建平吕晓丹赵成利秦尤敏贺平逆A.Bogaerts苟富君
关键词：分子动力学等离子体刻蚀
分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用
2013年
通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响.通过模拟数据与实验数据的比较,得到H原子吸附率随入射量的增加呈先增加后趋于平衡的趋势.沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜,刻蚀产物(H2,SiH2,SiH3和SiH4)对H原子吸附率趋于平衡有重要影响,并且也决定了样品的表面粗糙度.当入射能量为1eV时,样品表面粗糙度最小.随着入射能量的增加,氢化非晶硅薄膜中各成分(SiH,SiH2,SiH3)的量以及分布均有所变化.
柯川赵成利苟富均赵勇
关键词：分子动力学吸附率氢化非晶硅薄膜
分子动力学方法的模拟参数对结果的影响
2009年
主要研究了利用分子动力学方法(MD)模拟等离子体与材料表面相互作用过程时分子动力学方法的参数对模拟结果的影响。详细分析了Berendsen热浴的应用时间、耦合强度和模拟时间量(单个轨迹的作用时间、弛豫时间)对模拟结果的影响,结果表明,热浴的应用时间对模拟结果的影响很大,而其它参数对模拟结果没有太大的影响。
秦尤敏吕晓丹宁建平张利纯赵成利贺平逆BogaertsA苟富君
关键词：分子动力学弛豫刻蚀
分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响
2011年
本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F离子与SiC表面相互作用的影响,模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15?、30?、45?、60?和75?。模拟结果显示,F离子的沉积率随入射角度的增加而减小。当入射角度为45°时,Si原子和C原子的刻蚀率最大,且Si原子的刻蚀率大于C原子。在相互作用过程中,SiC表面形成一层Si-C-F反应层,反应层厚度随入射角度增加而减小,并且其主要成分是SiF和CF。
赵成利孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆刘华敏张俊源苟富均
关键词：分子动力学刻蚀
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