- Ga^(3+)对Eu^(2+)掺杂钡长石结构和发光特性的影响被引量：1
- 2010年
- 在弱还原气氛下采用高温固相法制备Ba0.955A l2-xGaxS i2O8:Eu2+(x=0~1.0)系列荧光粉,研究Ga3+置换A l3+对晶体结构和光谱特性的影响。Ga3+与A l3+以类质同相替代进入BaA l2S i2O8晶格形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V均随Ga3+置换量呈线性增加。宽带激发光谱,覆盖范围为230~400 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于330 nm,基本不随Ga3+置换量变化;随着Ga3+置换量的增加,半高宽从93 nm减小至83 nm。发射光谱位于375~560 nm,可由422和456 nm两峰拟合而成,表观峰值位于434 nm,两拟合峰峰位均随Ga3+置换量呈线性红移,且拟合峰强度比呈线性递减。
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：发光钡长石
- 硼组分在BaAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)发光材料中的作用被引量：5
- 2011年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备Ba0.955Al2-xBxSi2O8∶Eu2+(x=0~0.5)系列荧光粉,研究B3+置换Al3+对晶体结构和光谱特性的影响。B3+以类质同相替代BaAl2Si2O8晶格中的Al3+形成部分连续固溶体,随着B3+置换量的增加,晶胞参数a,b,c和晶胞体积V呈线性递减,晶面夹角β呈线性递增。荧光激发光谱位于225~400 nm的宽带谱可拟合成4个峰,表观峰值位于337 nm,半峰全宽为96 nm。荧光发射光谱位于370~600 nm,可由423 nm和457 nm两峰拟合而成,表观峰值位于437 nm,两拟合峰峰位均随着B3+置换量的增加呈线性蓝移。
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：硅酸盐
- 钙长石中镓置换骨架铝对结构和Eu^(2+)发光特性的影响被引量：7
- 2010年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ca0.955Al2-xGaxSi2O8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ga3+置换Al3+对晶体结构和光谱特性的影响。Ga3+以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的Al3+形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c和晶胞体积V随Ga3+置换量呈线性增大;晶面夹角α,β和γ随Ga3+置换量的增加呈线性递减。荧光激发谱为宽带,位于230～420 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于352 nm;随着Ga3+置换量的增加,半高宽从112 nm减小到98 nm。发射光谱位于375～560 nm,可由421和457 nm两峰拟合而成,表观峰值位于425 nm,随着Ga3+置换量的增加,两拟合峰均线性红移,且拟合峰强度比呈线性递减。
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：发光硅酸盐钙长石
- 硼置换铝对CaAl_2Si_2O_8:Eu^(2+)结构和发光特性的影响被引量：4
- 2012年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备Ca0.955Al2-xBxSi2O8:Eu2+(x=0～0.7)系列荧光粉,研究BⅢ置换AlⅢ对晶体结构和光谱特性的影响。BⅢ以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的AlⅢ形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V呈线性递减,而晶面夹角α,β呈线性递增。荧光激发谱为225～420nm宽带激发谱,半高宽为112nm,表观峰位于352nm,随着BⅢ置换量的增加,半高宽从112nm减小到95nm。发射光谱位于370～600nm,可由423和460nm两峰拟合而成,表观峰值位于425nm,随着BⅢ置换量的增加,两拟合峰均线性蓝移,且拟合峰强度比呈线性递减。
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：发光晶体结构
- 镓置换铝对SrAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)晶体结构和发光特性的影响被引量：4
- 2011年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xGaxSi2O8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ga3+置换铝Al 3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+进入SrAl2Si2O8晶格与Al 3+发生类质同相替代使晶胞参量a、b、c、β和晶胞体积V都随Ga3+置换量呈线性增大,表明形成了连续固溶体.镓置换铝对晶胞参量c的影响最明显,b其次,a最小.Eu2+的宽带激发光谱位于230～400nm,表观峰值位于350nm,可由267nm、305nm、350nm和375nm四个峰拟合而成.随着镓置换量增加,较短波长的三个激发峰发生红移并且267nm和350nm峰强度减弱,305nm峰强度明显增强,375nm峰位和强度基本不变,表观激发峰半高宽由109nm减小至98nm,基本不随镓置换量变化.发射光谱位于380～600nm为不对称宽带,可由406nm和441nm两峰拟合而成并且随Ga3+置换量增加线性红移,拟合发射光谱峰面积之比线性递增,Ga3+进入晶格对较长波长发射中心影响较大.Ga3+置换量为1.0mol时,表观发射峰位从407nm线性红移至422nm,表观峰值随Ga3+置换量线性增大,半高宽由58nm增加至79nm.镓置换铝造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移.
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：发光EU^2+
- LED灯用碱土金属硅酸盐发光材料的阳离子置换效应
- 白光LED灯具有节能、环保、寿命长等优点,是替代白炽灯和荧光灯的新一代半导体光源。在白光LED的三种实现方式中,单管芯波长转换型是白光LED的主流技术,常见的有蓝光芯片与YAG荧光粉匹配和近紫外芯片与RGB三基色荧光粉匹...
- 赵文光
- 关键词：白光LED荧光粉铝硅酸盐碱土金属
- 文献传递
- Sr^(2+(置换对Eu^(2+)掺杂钙长石晶体结构和光谱特性的影响被引量：3
- 2010年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ca0.955-xSrxAl2Si2O8:Eu2+(x=0~0.9)系列荧光粉,研究了Sr2+置换Ca2+对晶体结构和光谱特性的影响。Sr2+进入CaAl2Si2O8晶格与Ca2+发生类质同相替代形成连续固溶体,物相从CaAl2Si2O8相(Triclinic,P1)逐渐转换为SrAl2Si2O8相(Monoclinic,I2/c),晶胞参数a,b,c和晶胞体积都随Sr2+置换量呈线性增加,α,β和γ在置换量为0.1~0.7区间缓慢减小,超过0.7后呈线性急剧减小。位于250~410 nm区间的宽带激发光谱由4个激发峰构成,表观峰值位于356 nm。Eu2+占据两种格位形成两个发光中心,分别产生430和468 nm发射,宽带发射光谱位于390~550 nm区间,呈现近白色发光。控制Sr2+含量可使表观发射峰位置在408~434 nm之间移动,强度随Sr2+含量增加而增强。
- 赵文光田一光张乔王飞
- 关键词：白光LED固溶体
- SrAl_2Si_2O_8:Eu^(2+)蓝色荧光粉制备条件优化及助熔剂作用研究被引量：2
- 2011年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备SrAl2Si2O8∶Eu2+系列荧光粉,研究了预烧温度、预烧时间、烧成温度和助熔剂用量对发光性能的影响;正交试验得出最佳制备条件为:经1050℃预烧180 min,在1300℃,240 min烧成,硼酸加入量6.0 wt%。XRD分析表明,所制得样品属于单斜晶系。激发光谱位于220~400 nm,可拟合成四个峰,表观峰值位于350 nm;发射光谱位于370~600 nm,可由406 nm和441 nm两峰拟合而成,表观峰值位于408 nm。随着硼酸用量的增加,试样衍射峰半高宽变窄和强度增强,晶胞参数a、b、c和晶胞体积V减小,硼酸起到助熔剂和基质组分置换双重作用。
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：荧光粉助熔剂
