郑志豪
- 作品数：10 被引量：28H指数：3
- 供职机构：华东师范大学理工学院纳米功能材料与器件应用研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 热丝CVD生长金刚石薄膜喇曼散射研究
- 1993年
- 本文报道热丝化学气相沉积法(HFCVD)生长金刚石薄膜的喇曼散射结果.选取多种峰型,对金刚石薄膜喇曼谱(1100～1800cm^(-1))采用最小二乘法进行非线性拟合,得到最佳拟合模型,其计算得到的拟合曲线与实验谱图符合得较好.该模型揭示,石墨D峰(1355cm^(-1))是金刚石薄膜喇曼谱中不可缺少的一个组份,并且结合石墨D峰和金刚石喇曼峰的空间相关线型,可以解释金刚石喇曼区特殊峰形的物理机制.拟合参量的进一步分析,可得出金刚石的晶体质量和金刚石薄膜中金刚石的含量.多个金刚石薄膜喇曼谱拟合结果表明,该拟合模型具有一定可供参考的应用价值.
- 张晓峰许宁张广富郑志豪庄志诚
- 关键词：喇曼效应气相沉积
- 类金刚石膜不同能量下的离子注入被引量：4
- 1990年
- 本文对等离子体气相沉积法制备的类金刚石膜(a-C:H)进行了离子注入研究。注入剂量固定为5×10~5Ar/cm^2,注入能量分别为50,100,140和180keV。离子注入前后分别作了红外吸收谱,Raman谱,光学能隙,氢含量和电阻率的测量。结果表明,注入离子破坏了膜中的C—H键,sp^2和sp^3态都减少,而(sp^2/sp^3)比值增大;光学能隙E_(opt),电阻率以及氢含量随着注入离子能量的增加而减少,而在180keV时,不再有明显变化。文中对上述结果进行了分析和讨论。
- 项金钟郑志豪郑志豪张仿清
- 关键词：离子类金刚石
- 聚合物热解合成类金刚石薄膜的结构及摩擦学性能研究被引量：11
- 1998年
- 合成了一种新型的碳基阶梯聚合物——聚碳苯ＣＣｎ，将其涂于氮化硅陶瓷上，在常压、惰性气氛条件下经１０００～１２００℃热处理，在氮化硅底材上合成出类金刚石薄膜．利用扫描电子显微镜、喇曼光谱和Ｘ射线衍射等技术对类金刚石薄膜的表面形貌和结构进行了分析，并且对其摩擦学性能进行了考察．结果表明：类金刚石薄膜是由金刚石、石墨碳等相组成，具有较高的硬度、较低的摩擦系数和良好的耐磨损性能．
- 陈景升王学军王学军孙卓郑志豪
- 关键词：热解类金刚石薄膜摩擦学性能
- 纳米碳基膜为阴极二极管型场发射显示器原型的研制
- 以低压热化学汽相沉积（CVD）方法制备的多壁纳米管（MWNT）为阴极材料,使用简单的丝网印刷工艺制备阴极,成功地封装出2英寸二极管型场发射显示器（FED）原型,该显示器具有静态图像显示功能,发光性能良好,具有高亮度的显示...
- 郭平生孙卓陈奕卫郑志豪
- 文献传递
- 用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜
- 1995年
- 本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。
- 何奕骅许春芳范焕章孙卓王学军郑志豪朱建中杨申仲
- 关键词：金刚石选择性掩蔽层
- 团簇沉积C-N薄膜的研究被引量：2
- 2001年
- 利用荷能团簇沉积装置在高阻硅 ( 111)衬底上沉积了碳氮薄膜。通过红外光谱、拉曼谱和X光电子能谱对薄膜的结构和化学组分进行了分析。结果表明 ,薄膜中存在N -sp3C( β -C3N4 的键合方式 ) ,但以N -sp2 C和C =C双键的结合方式为主。
- 陈景升俞国庆张志滨潘浩昌朱德彰徐洪杰郑志豪阎逢元
- 关键词：碳氮薄膜硅基底光谱
- 碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制被引量：2
- 2006年
- 探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程．用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF；以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极；采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管．所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为2．7V/μm时的亮度可达600 cd/m^2．因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力．
- 郭平生孙卓陈奕卫郑志豪
- 关键词：场发射平板显示器
- 一种有效提高CNTs/CNFs阴极场发射性能的热处理方法被引量：5
- 2006年
- 报道了一种新的提高碳纳米管/碳纳米纤维(CNTs/CNFs)丝网印刷阴极场发射性能的后处理方法。利用化学气相沉积(CVD)方法制备的CNTs/CNFs作为阴极材料,采用丝网印刷工艺在玻璃基板上制备场发射阴极,在H2和C2H2混合气氛下500℃处理20 min,能有效提高其场发射性能,改善场发射显示器的发光均匀性。热处理后的阴极开启电压从2.4 V降低到1.8 V,在电场为3.9 V/μm时,电流密度从0.02 mA/cm2提高到0.50 mA/cm2,发光点密度提高了近4个数量级。场发射特性的提高主要是由于热处理使阴极表面出现了大量突出并互相间有一定间距的CNTs/CNFs,这种形貌非常有利于电子场发射。
- 郭平生孙卓郑志豪
- 关键词：场发射丝网印刷后处理
- 碰撞能量对荷能团簇碰撞沉积TiN薄膜的结构、形貌及摩擦学特性的影响被引量：3
- 2000年
- 在室温下，以硅（１００）为衬底，在不同的衬底偏压（即团簇不同碰撞能量）的条件下，用荷能团簇碰撞沉积方法制备了ＴｉＮ薄膜。用原子力显微镜和Ｘ射线衍射等技术对ＴｉＮ薄膜的表面形貌和结构进行了研究，并且在维式硬度计和ＳＲＶ微动摩擦磨损试验机上对其摩擦学性能进行了考察。结果表明，在低的偏压情况下，团簇比较松散地堆积在衬底上；而在高偏压时团簇和衬底碰撞破碎，形成附着力强、致密性好及表面非常光滑的薄膜；在一定的偏压范围内，ＴｉＮ薄膜是（２２０）择优取向，ＴｉＮ薄膜具有较高的硬度、较低的摩擦系数和较好的耐磨损性能。
- 陈景升俞国庆潘浩昌朱德彰徐洪杰郑志豪阎逢元
- 关键词：形貌摩擦学性能TIN薄膜ECI
- 热丝CVD法分解丙酮合成金刚石薄膜被引量：1
- 1991年
- 本文采用热丝CVD方法，在丙酮和氢气系统下，用Si和Mo片作衬底进行了合成金刚石薄膜的研究。Raman谱、X射线衍射以及扫描电镜的分析结果表明，制备的金刚石薄膜是多晶金刚石薄膜，当丙酮量为1.1%时，晶粒尺寸约为1-1.7微米。生长速率约为0.4um/h，并讨论了金刚石薄膜质量与实验条件的关系。
- 项金钟郑志豪
- 关键词：热丝化学气相沉积丙酮金刚石薄膜
