郑隆武
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 新型前栅场发射器件的研究被引量：2
- 2012年
- 采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件。该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵。该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单,降低了成本,更容易实现大面积制作。场发射测试表明当阳压在1500和2000 V时,栅压都能够有效地控制阴极的电子发射。
- 杨帆胡利勤林贺郑隆武郭太良
- 气相沉积聚合法制备聚酰亚胺绝缘薄膜及其性能研究被引量：2
- 2012年
- 以联苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚为单体原料使用气相沉积聚合(VDP)法制备了聚酰亚胺(PI)绝缘膜,分析不同热亚胺化处理温度对PI薄膜绝缘性能的影响。分别使用红外光谱、俄歇能谱、扫描电镜、原子力显微镜对薄膜成分以及薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了PI复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性。结果表明:热亚胺化300℃/1 h真空(1.0×10-2Pa)处理后的PI绝缘膜内部结构致密,当场强为8.0MV/cm时漏电流密仅为8.2×10-5A/cm2;薄膜击穿场强达到8.42MV/cm,表明PI薄膜具有良好的电学性能以及热稳定性。
- 郑灼勇张永爱张志坚陈景水郑隆武郭太良
- 关键词：击穿场强
