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郭乃理

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 2篇电极
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇离子辐照
  • 2篇离子束
  • 2篇变式
  • 2篇存储器
  • 1篇金属基带
  • 1篇过渡层
  • 1篇O层
  • 1篇PLD
  • 1篇RHEED
  • 1篇YBC

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇崔丽敏
  • 3篇赵璐
  • 3篇李洁
  • 3篇郭乃理
  • 3篇张玉
  • 3篇郑东宁
  • 2篇邓辉
  • 2篇吴玉林
  • 2篇田海燕
  • 2篇金贻荣
  • 2篇陈莺飞
  • 2篇王宁
  • 2篇郑国林
  • 2篇蒋凤英
  • 1篇黄克强

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
不同方法制备过渡层的金属基带上YBCO层的PLD生长和原位RHEED监测
我们利用在PLD系统上配备的能够在YBCO薄膜生长所需气压下工作的高气压RHEED系统,对不同来源镀由过渡层的金属衬底上YBCO薄膜的生长情况进行了原位监测,并与单晶基片上YBCO薄膜的生长情况进行了比较.我们还利用磁化...
郭乃理李洁黄克强崔丽敏张玉赵璐郑东宁
一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法
一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法包括以下步骤：1）制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜；2）对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成...
张玉李洁陈莺飞王宁邓辉吴玉林赵璐郑国林崔丽敏郭乃理蒋凤英金贻荣田海燕郑东宁
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一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法
一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法包括以下步骤：1）制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜；2）对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成...
张玉李洁陈莺飞王宁邓辉吴玉林赵璐郑国林崔丽敏郭乃理蒋凤英金贻荣田海燕郑东宁
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