陈建
- 作品数：176 被引量：270H指数：9
- 供职机构：西安工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学石油与天然气工程更多>>
- 一种制备确定取向纯金属单晶的坩埚及其应用方法
- 本发明涉及金属的定向凝固技术，具体就是一种制备确定取向纯金属单晶的坩埚及其应用方法。现有技术不能形成确定取向且坩埚结构复杂。一种确定取向纯金属单晶的坩埚，由上组件，籽晶室，下密封件组成，所述上组件内设置有单晶体型腔、单晶...
- 陈建李鹏涛严文范新会
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- 一种基于高梯度定向凝固的异构共晶高熵合金及其制备方法
- 本发明属于高熵合金技术领域，公开一种基于高梯度定向凝固的异构共晶高熵合金及其制备方法，所述制备方法为：采用电火花线切割技术，对铸造态共晶高熵合金板材进行切割处理，获得合金棒，电解抛光处理后，置于液态金属冷却法高真空定向凝...
- 何佳华张研覃王建树卢帅丹邵文婷陈建
- 金属线材单晶化方法与设备
- 本发明提供了一种金属线材单晶化的新方法和新设备，是将由无限长、直径较粗的多晶金属线经过区域熔化、定向凝固直接转化成无限长、超细单晶金属线；将传统单晶连铸技术中的坩埚、导流管合为一体，以局部熔化代替整体熔化。其设备主要包括...
- 范新会严文王鑫李炳陈建
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- 一种适于铝基板表面高性能导热绝缘陶瓷层的制备方法
- 本发明公开了一种适于铝基板表面高性能导热绝缘陶瓷层的制备方法，预处理：依次对待加工铝基板进行除油脱脂、磨制、抛光和水洗；微弧氧化处理：对水洗后的待加工铝基板进行微弧氧化处理，直至所述铝基板表面生成陶瓷膜层；溶胶处理：采用...
- 杨巍武上焜徐大鹏姚小飞吕煜坤陈建
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- 一种高熵合金靶材制备装置
- 本申请提供了一种高熵合金靶材制备装置，属于高熵合金靶材制备技术领域，以解决现有的制备装置不能够在重新筛分和输送至粉碎辊的位置这两种导向方式之间进行切换，而且不能够自动对尺寸较大的原料进行过滤并重新粉碎和投入筛选设备中，包...
- 邵文婷畅述郭嘉伟武上焜陈建杨巍何佳华卢帅丹徐大鹏丁仁根赵露莎王倩
- 一种铝合金活塞表面微弧氧化层及其制备方法
- 本发明公开了一种铝合金活塞表面微弧氧化层及其制备方法，对铝合金试样依次进行除油除脂、磨制和抛光水洗；配置含有纳米级TaC粉末的微弧氧化电解液；将抛光水洗后的铝合金试样放入电解液中，采用直流脉冲微弧氧化电源对其进行微弧氧化...
- 武上焜杨巍丁智松高巍徐大鹏蓝楠陈建
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- 一种抗辐照高熵合金、包壳管及其制备方法
- 本发明公开了一种抗辐照高熵合金、包壳管及其制备方法，抗辐照高熵合金的分子式为FeCrNiMnZr<Sub>0.5</Sub>；本发明的抗辐照高熵合金具有极好的抗辐照行能，以及满足现有包壳管材料所需的力学性能，可应用于第四...
- 要玉宏杨小光吕煜坤陈建吴天栋梅金娜
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- 连续铸造铜线材冷拔形变织构的演化及计算机模拟(英文)被引量：8
- 2011年
- 采用X射线衍射以及电子背散射衍射技术分析连续铸造技术制备的铜线材冷拔形变织构的演化,并采用Taylor模型对其进行计算机模拟。结果表明,采用传统连续铸造技术制备的多晶铜线材经过冷拔变形后形成<001>+<111>丝织构,随着变形量的增加,2种织构组分的强度增加。OCC技术制备的<100>单晶铜线材,在冷拔变形过程中,部分区域的<100>会向<111>转动,并且剪切应力的不均匀分布将导致形变织构组分沿线材径向不均匀分布。在冷拔织构组分中,与<100>相比,<111>织构组分更加稳定。实验结果与模拟结果对比表明,Taylor模型能够很好地模拟铜线材冷拔形变织构的演化。
- 陈建严文李巍苗健范新会
- 关键词：冷拔织构
- 一种高熵合金增强的2024铝基复合材料及其制备方法
- 本发明公开了一种高熵合金增强的2024铝基复合材料，由Al<Sub>x</Sub>CoCrFeNi高熵合金和2024铝基体组成，Al<Sub>x</Sub>CoCrFeNi高熵合金的体积分数为5～20vol％，其余为20...
- 陈建刘赟姿杨巍李钊梁家铧
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- 宏观树枝状铜纳米线的制备及分形学研究
- 2018年
- 为了进一步揭示固态离子学方法制备铜纳米线的生长机理,选取具有高离子电导率的快离子导体Rb_4Cu_(16)Cl_(13)I_7薄膜,利用固态离子学方法在外加恒定电流3μA作用下,制备厘米级铜纳米线.采用扫描电子显微镜对其微观形貌进行了表征和分析,利用能量色散光谱仪确定纳米线的化学成分.结果表明:制备的铜纳米线呈现宏观树枝状结构,在靠近阴极位置整齐排布,长度约为2 mm,且排布比较紧密,部分纳米线在生长过程中出现分形生长,最长分支长度约为1 cm,排布比较稀疏;铜纳米线呈长程无序短程有序,直径分布范围为90~100 nm,纳米线表面铜纳米颗粒直径分布范围为10~20 nm,树枝状铜纳米线的分形维数为1.35,说明树枝状铜纳米线较少,铜纳米线的生长机理分析表明,树枝状结构的出现与纳米线"顶端生长优势"有关.
- 董菁徐大鹏彭渝丽杨巍陈建
- 关键词：铜纳米线快离子导体分形维数
