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陈新安

作品数:23 被引量:21H指数:3
供职机构:绍兴文理学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学建筑科学更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 6篇太阳能
  • 6篇太阳能板
  • 4篇直接键合
  • 4篇汽车
  • 4篇键合
  • 4篇硅直接键合
  • 4篇后窗
  • 4篇百叶
  • 4篇百叶窗
  • 4篇侧窗
  • 4篇车窗
  • 3篇光伏材料
  • 3篇硅-硅直接键...
  • 3篇
  • 2篇电场
  • 2篇电传感器
  • 2篇电流
  • 2篇调节装置
  • 2篇应力
  • 2篇荧光粉

机构

  • 16篇绍兴文理学院
  • 8篇东南大学
  • 4篇兰州大学
  • 1篇华越微电子有...

作者

  • 23篇陈新安
  • 8篇黄庆安
  • 3篇刘肃
  • 3篇徐海涛
  • 3篇史佳卉
  • 2篇李伟华
  • 1篇闫志君
  • 1篇何火军
  • 1篇马锡英

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇仪表技术与传...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇集成电路应用
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种汽车太阳能板放置展开装置及其使用方法
本发明提供一种汽车太阳能板放置展开装置及其使用方法,该汽车太阳能板放置展开装置,设置在汽车上。包括前窗遮阳组件、后窗遮阳组件和两个侧窗遮阳组件。所述前窗遮阳组件设置在汽车的前车窗上。该汽车太阳能板放置展开装置,通过设置的...
陈新安
文献传递
一种新型固态静电传感器的设计与模拟被引量:1
2009年
电场测量系统广泛应用于航空、航天、国防、气象、电力等多个领域。根据电场传感器工作原理,电场传感器可以分为光学(光纤)式和电荷感应式两大类。电荷感应式电场传感器有旋片结构、双球结构、火箭结构和MEMS结构。文中给出了一种新型的MOSFET感应式电场传感器,并用MEDICI软件进行了模拟。模拟结果表明MOSFET感应式电场传感器的感应电流I_E和电场强度E有良好的线性关系。
陈新安黄庆安
关键词:MOS场效应晶体管
一种40Mbps传输速率的光纤数据接口芯片设计
2024年
阐述设计的一种40Mbps光纤数据接口的芯片,传输速率是20Mbps光纤数据接口芯片的1.6倍,传输延时达到20ns,抖动时间稳定在0.04ns,占空比达到44.19%,信号传输能力稳定且输出信号不失真。在此基础上,将芯片和LED封装在一起,该芯片可以为LED稳定提供3.5~4mA的工作电流,降低整体功耗。该芯片适合数字光学数据链接和数字音频接口。
霍玉苓陈新安
关键词:电路设计LED驱动电路
一种有机‑无机钙钛矿复合光伏材料的制备方法
本发明公开了一种有机‑无机钙钛矿复合光伏材料的制备方法,采用钛酸正丁酯配置成分散液,镀膜在基材表面,并与氧化钙的醇液膜在水蒸气中反应形成钙钛矿膜层,然后在甲胺氛围下甲胺化来填补溶胶凝胶制备法带来的结构缝隙,最后在氯化铅的...
陈新安徐海涛史佳卉
直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
2012年
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。
鄢细根何火军陈新安
关键词:温度漂移载流子浓度载流子迁移率
一种针对圆顶屋顶的光伏瓦调节装置
本发明提供一种针对圆顶屋顶的光伏瓦调节装置,该针对圆顶屋顶的光伏瓦调节装置,设置在圆形屋顶上。包括下层固定组件、多个支撑组件、钢索、驱动轮、环形滑道、与钢索相固定的滑块和太阳能板。所述下层固定组件套在圆形屋顶上。该针对圆...
陈新安
文献传递
一种汽车太阳能板放置展开装置及其使用方法
本发明提供一种汽车太阳能板放置展开装置及其使用方法,该汽车太阳能板放置展开装置,设置在汽车上。包括前窗遮阳组件、后窗遮阳组件和两个侧窗遮阳组件。所述前窗遮阳组件设置在汽车的前车窗上。该汽车太阳能板放置展开装置,通过设置的...
陈新安
文献传递
Si-Si直接键合的杂质分布被引量:1
2006年
在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进行了验证.杂质通过SiO2再向Si中扩散的杂质总量与Si-Si扩散相比大大减少,使所形成的p-n+结的结深减小.
陈新安黄庆安
MOSFET静电场传感器电场-电流特性的研究
2010年
MOSFET静电场传感器是一种固态传感器,没有任何机械移动部件。文中研究了MOSFET静电场传感器的电流-电压特性和电流-电场特性。在给定的电场下,电流-电压特性曲线分为了两部分:非饱和区和饱和区。当MOS-FET静电场传感器工作在非饱和区时,漏-源电流的变化量ΔIDsat与测量电场成正比。但MOSFET静电场传感器工作在饱和区时,漏-源电流的变化量ΔIDSat与测量电场成非线性关系。但是,当测量电场比较小时,漏-源电流的变化量ΔIDS与测量电场成正比。
陈新安黄庆安
关键词:电流-电压特性
一种微孔型钙钛矿光伏材料的制备方法
本发明公开了一种微孔型钙钛矿光伏材料的制备方法,将钛酸正丁酯放入无水乙醇中,辅以聚乙烯吡咯烷酮和发泡剂,得到二氧化钛胶体液,经浓缩后镀膜在基材表面,加压反应得到二氧化钛薄膜,然后放入氯化钙溶液中,氨气曝气反应后得到氢氧化...
陈新安徐海涛史佳卉
文献传递
共3页<123>
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