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陈洪钧

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇禁带
  • 4篇晶体
  • 4篇光子
  • 4篇光子禁带
  • 4篇光子晶体
  • 4篇硅基
  • 4篇二维光子
  • 4篇二维光子晶体
  • 3篇介质柱
  • 2篇探测器
  • 2篇近红外探测器
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇衬底
  • 1篇孔型
  • 1篇波导

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇王盛凯
  • 4篇韩乐
  • 4篇陈洪钧
  • 4篇薛百清
  • 4篇郭浩
  • 4篇刘洪刚
  • 4篇张雄
  • 4篇常虎东

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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一种硅基锗外延结构及其应用
本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介...
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