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用于碳化硅外延生长的石墨基座: 本实用新型提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底...; 杨龙赵丽霞吴会旺李伟峰陈秉克; 文献传递

一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法: 本发明公开了一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。所述评价方法包括如下步骤：取高纯碳化硅粉料，采用测色装置测量其明度值L*及色度值a*和b*；将所得L<Sup...; 王建江王毅高卫李召永赵丽霞吴会旺陈秉克

常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及外延片的应用: 本发明公开了一种常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及应用，属于半导体外延材料制备领域，采用单片外延生长系统，衬底使用6英寸重掺B的P型IC片，晶向<111>，电阻率≤0.006Ω·cm，背封工艺为SiO<...; 米姣王刚陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚; 文献传递

一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法: 本发明公开了一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法。其是以碳粉、硅粉和氮气为原料合成含氮碳化硅粉料，然后以所述含氮碳化硅粉料为原料进行碳化硅单晶的生长，得碳化硅晶体。本发明使用含氮碳化硅粉体生长碳化硅晶体，...; 吴会旺赵丽霞陈秉克刘英斌李胜华; 文献传递

重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法: 本发明公开了一种重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法。本发明采用化学气相沉积技术，在n型重掺砷硅衬底上分两次生长轻掺的薄硅外延层。即生长完第一层本征外延层后，降至870-930℃取出，此期间通入HCl腐蚀基座除去记忆效应，...; 赵丽霞袁肇耿陈秉克薛宏伟; 文献传递

硅外延片及其制备方法: 本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所述...; 高国智陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚; 文献传递

φ8″高性能硅外延材料: 陈秉克吴福民薛宏伟赵丽霞徐永强刘六亭等; 该课题利用化学汽相淀积方法，采用世界最先进ASM公司EP2000型单片外延设备，高温下氯硅烷与H<,2>发生反应，分解出的Si原子在原子级洁净的单晶片上通过物理运输和化学结合，外延一层或多层晶格与原单晶匹配的薄膜，通过时...; 关键词：

多片外延炉装偏监测方法: 本发明提供了一种多片外延炉装偏监测方法，属于外延片生产领域，包括步骤：在预设周期下通过测温装置获取基座表面和外延片的瞬时温度值；判断外延片的瞬时温度值是否位于正常温度范围内；当瞬时温度值低于正常温度范围时，判断正常温度范...; 魏桂忠薛宏伟陈秉克袁肇耿仇根忠任永升任丽翠高勇霍晓阳; 文献传递

基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长被引量：2: 2018年; 使用三氯硅烷（TCS）作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料。研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对SiC外延材料表面缺陷进行表征测试和统计,使用傅里叶红外测试仪（FTIR）和原子力显微镜（AFM）对外延材料表面形貌进行表征。结果表明,预刻蚀气体体积流量和时间对4英寸SiC外延材料表面三角形缺陷影响明显,随着HCl体积流量和时间的增加,材料表面的三角形缺陷密度先减小后增加,在HCl流量为100 m L/min、刻蚀时间为20 min时,三角形缺陷密度最低达到0.47cm-2。此外,通过调整C/Si比和载气体积流量等参数,使4英寸SiC外延材料掺杂浓度不均匀性和厚度不均匀性均得到有效改善,结果表明该外延片质量满足SiC电力电子器件的应用。; 卜爱民房玉龙李佳芦伟立赵丽霞杨龙尹甲运刘沛冯志红陈秉克蔡树军; 关键词：SIC 不均匀性

InP单晶材料现状与展望被引量：13: 2005年; 介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。; 孙聂枫周晓龙陈秉克孙同年; 关键词：单晶材料

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陈秉克