陶喜霞
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：3
- 2011年
- 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×10-5Ω·cm2.
- 王光绪陶喜霞熊传兵刘军林封飞飞张萌江风益
- 关键词：氮化镓
- 高光效硅衬底GaN基黄光LED发光性能研究
- 近年来，发光二极管(LED)技术发展迅速，AlGaInN体系的紫光、青光、蓝光和绿光LED，以及AlGaInP体系的红光、橙光LED都能获得较高的发光效率。但是，作为红橙黄绿青蓝紫七彩基色之一的黄光，无论AlGaInN体...
- 陶喜霞
- 关键词：硅衬底氮化镓发光性能
- 文献传递
- p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响
- 2011年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs),研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和1.01λn处取得第一个极大值和极小值,且前者是后者两倍多。因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率。
- 陶喜霞王立刘彦松王光绪江风益
- 关键词：LEDGAN出光
- 垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响被引量：4
- 2016年
- 用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率（EQE）随垒温的变化关系。结果表明,在860~915℃范围内,发光效率随着垒温的上升而上升。当垒温超过915℃后,发光效率大幅下降。这一EL特性与X光双晶衍射和二次离子质谱所获得的阱垒界面陡峭程度有明显的对应关系,界面越陡峭则发光效率越高。垒温过高使界面变差的原因归结为阱垒界面的原子扩散。垒温偏低使界面变差的原因归结为垒对前一个量子阱界面的修复作用和为后一个量子阱提供台阶流界面的能力偏弱。外延生长时的最佳垒温范围为895~915℃。
- 高江东刘军林徐龙权王光绪丁杰陶喜霞张建立潘拴吴小明莫春兰王小兰全知觉郑畅达方芳江风益
- 关键词：LED硅衬底GAN外量子效率
- 一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法
- 本发明公开了一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，该方法包括AlGaInP薄膜外延层的生长和N面出光的垂直薄膜结构LED芯片的制造；芯片制造主要包括P面钝化层的制备、P电极制备、外延层由衬底转导电...
- 陶喜霞廖小琴吴小明王光绪
- 文献传递
- 高光效硅衬底GaN基黄光发光二极管发光性能研究
- 近年来,发光二极管(LED)技术发展迅速,AlGa InN体系的紫光、青光、蓝光和绿光LED,以及AlGa InP体系的红光、橙光LED都能获得较高的发光效率。但是,作为红橙黄绿青蓝紫七彩基色之一的黄光,无论AlGaIn...
- 陶喜霞
- 关键词：硅衬底氮化镓超晶格
- 文献传递
- 硅衬底蓝光LED P层厚度优化及其应力研究
- 近年来,GaN基半导体器件尤其是InGaN／GaN LED在薄膜生长以及光电器件制备等方面取得多项重大技术突破,已广泛用于各种显示和背光等领域,半导体照明市场已经启动。然而要想进入巨大的普通室内照明市场,还必须提高LED...
- 陶喜霞
- 关键词：硅衬底
