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雷程: 作品数：118 被引量：175H指数：8; 供职机构：中北大学更多>>; 发文基金：山西省自然科学基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>; 相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程理学更多>>

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硅基还原氧化石墨烯热电阻温度传感器被引量：3: 2021年; 为了解决传统的铂电阻、金属等温度传感器灵敏度不高及性能不稳定的问题,选用新型纳米材料还原氧化石墨烯为温敏材料,利用mems工艺制备了叉指电极热敏电阻,通过滴涂法将还原氧化石墨烯与叉指电极有效组装起来,制备了一种硅基还原氧化石墨烯热电阻温度传感器,对还原氧化石墨烯形貌进行了扫描电子显微镜(SEM)表征,并搭建了测试系统对性能进行了测试。结果表明,从30℃~210℃范围内,传感器的电阻随温度的上升而下降,传感器的灵敏度约为85.97719Ω/℃,线性度高达0.98049,同时具有极小的迟滞性和良好的稳定性。; 张君娜梁庭雷程赵珠杰齐蕾; 关键词：叉指电极温度传感器

一种二维含能材料及其制备方法: 本发明公开了一种二维含能材料，其氧化剂组分与燃料组分中至少一种为类石墨烯二维材料，并且已合成为二维纳米片。所述氧化剂组分含量为10％～90％，所述燃料组分含量为10％～90％；所述氧化剂组分为WO3...; 陈晓勇张泽宇熊继军梁庭贾平岗洪应平雷程李晨

新型复合终端氧化镓肖特基二极管电学特性仿真研究: 2025年; 作为新一代宽禁带半导体,氧化镓因具有更大的禁带宽度(4.4~4.8 eV)和更高的击穿场强(8 MV/cm),成为制备耐高压、高频、高功率电力电子器件的最佳候选材料。然而,氧化镓肖特基二极管具有终端电场边缘集中效应,导致器件因提前击穿而失效,从而限制了氧化镓的应用。本文通过将可以缓解电场边缘集中效应的高阻区和抑制反向漏电的电子势垒层相结合,设计了一种新型复合终端。仿真结果表明:引入高阻区终端结构的器件电极边缘附近的峰值电场从3.650 MV/cm下降到0.246 MV/cm,可以有效缓解电极电场边缘集中效应。当高阻区Mg离子注入浓度为10^(19) cm^(-3)时,击穿电压从725 V提高到2115 V,巴利加优值从0.060 GW/cm^(2)增加到0.247 GW/cm^(2),临界击穿场强从3.650 MV/cm提升到5.500 MV/cm,提高了50.7%;与此同时,电子势垒层AlN的引入使器件反向漏电流大幅降低,反向击穿电压提升至2690 V。该新型复合终端结构不仅可以有效抑制器件的反向漏电流,同时可以有效提升器件的反向击穿电压。本研究为耐高压、低反向漏电流氧化镓肖特基二极管的研制提供了理论基础。; 屈珉敏余建刚李子唯李旺旺雷程李腾腾李丰超梁庭贾仁需; 关键词：氧化镓肖特基二极管反向漏电流击穿电压

一种双面纳米压印结构的制备方法: 本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬...; 李志强雷程梁庭王思哲王涛龙余建刚李丰超贾平岗

自适应光纤曝光系统及光纤-平面芯片纵向异构集成方法: 本发明提供了一种自适应光纤曝光系统及光纤‑平面芯片纵向异构集成方法，属于半导体器件制备的技术领域，该系统包括光源、三维微动平台、旋转式光纤夹具、光纤适配器和载物台；三维微动平台包括Y轴移动平台、X轴移动平台和旋转平台。本...; 雷程梁庭熊继军郝亚峰李志强

一种应用于高温环境下的温压原位同测方法: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法，属于半导体技术领域，首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓...; 雷程李丰超梁庭闫施锦冀鹏飞郝一鸣

应用于蓝宝石直接键合的减薄抛光工艺: 2018年; 蓝宝石晶片的总厚度差（TTV）和表面粗糙度是影响蓝宝石键合成败的关键因素。研究了减薄抛光工艺对蓝宝石衬底的作用机理,结合实际加工要求选择不同粒径磨料组合和适当的压力条件对蓝宝石晶片进行减薄。之后对减薄后的蓝宝石晶片进行抛光,通过控制抛光液流速、抛光盘转速、抛光压力得到了低TTV、低表面粗糙度的蓝宝石晶片。采用测厚仪测量了减薄前后蓝宝石晶片五点不同位置的厚度,得到了其TTV值;采用原子力显微镜（AFM）得到抛光后晶片表面粗糙度,并且研究了不同工艺条件对减薄抛光速率的影响。最后通过蓝宝石直接键合验证了减薄抛光工艺参数的合理性。; 赵丹梁庭李鑫李鑫李旺旺雷程; 关键词：蓝宝石粗糙度键合

355 nm全固态紫外激光直写刻蚀硼硅玻璃微通道被引量：9: 2018年; 利用355nm全固态紫外激光对硼硅玻璃进行了直写刻蚀实验,采用单一变量法探究了激光能量密度、重复频率、扫描速度、扫描间距、扫描次数对刻蚀结果的影响。研究结果表明,激光能量密度过大时,玻璃易发生严重的崩边裂损现象;等离子体屏蔽效应随激光能量密度的增大而增强,刻蚀深度减小;随着重复频率的减小,通道边缘碎裂的现象减轻,刻蚀深度增大;减小扫描间距可有效改善沟道底面的平整度;刻蚀深度随扫描次数的增多而增大,同时沟道锥度增大。在较优的加工参数下,实现了宽度为84.8μm,刻蚀深度为178μm,底面较平整,沟道垂直度达89.580°的L型微通道的直写刻蚀。; 李奇思梁庭雷程李旺旺林立娜杨娇燕熊继军; 关键词：激光制造硼硅玻璃

硅压敏电阻刻蚀形貌对高温压力传感器输出特性影响被引量：2: 2023年; 为解决压力传感器在高温下的热零点漂移问题,文中提出一种压敏电阻均匀刻蚀的方案。通过控制变量法改变沉积和刻蚀聚合物时序参数,解决了制备硅电阻条出现的微负载效应,减小了压力传感器中惠斯登电桥不平衡性。对比了不同参数下的刻蚀效果,得出最佳刻蚀参数为1个循环内钝化时间2 s、刻蚀时间4.8 s,刻蚀图案成功保持了设计图形的关键特征,电阻条连接处曲线平滑、侧壁角度锐利,垂直度达到了88.6°。最终制备的芯片在300℃环境下进行压力测试,测试结果表明传感器芯片热零点漂移率降低了46.7%,验证了该方案对改善芯片高温下热零点漂移的可行性。; 冀鹏飞赵妍琛雷程梁庭刘润鹏党伟刚

一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感赫兹吸波材料: 本发明的目的在于提供一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感赫兹吸波材料，属于大赫兹吸波材料技术领域，旨在解决现有太赫兹吸波材料在宽频吸收能力、斜入射角适应性、极化不敏感性及结构轻量化等方面的不足。所述吸波材料，从上至下依...; 郝亚峰刘美宏李腾腾朱璞武慧佳马富鹏雷程梁庭