顾洪明
- 作品数：9 被引量：4H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 串联MEMS开关的瞬态电磁场分析被引量：2
- 2003年
- 提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型 ,并且应用该模型 ,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关 ,采用全波分析方法 ,进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级 ,而驱动电压高达 4 0～ 6 0V ,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示 ,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示 ,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为 6 0
- 顾洪明吕苗单福琪高葆新梁春广
- 关键词：MEMS开关瞬态电磁场
- 射频微机械开关的研究
- 本论文主要研究一种新型微波元件-RFMEMS开关，取得的成果有：提出了一种共面波导上并联型RFMEMS开关传播参量的计算方法。
该方法将开关等效成一段传输线，通过保角变换，计算得到传输线的等效介电常数和特性阻抗...
- 顾洪明
- 关键词：射频开关E类放大器波段开关
- RFMEMS串联开关的瞬态响应分析
- 本文报道了RFMEMS开关的瞬态响应实验过程以及结果,采用示波器对开关的波形进行了时域记录.实验数据显示,开关在达到域值电压之前,由于电容泄露,开关的电压波形略有下降.导通瞬间,开关的接触电阻变化很大.最后,对开关的瞬态...
- 顾洪明高葆新梁春广
- 关键词：RFMEMS瞬态响应
- 文献传递
- MEMSE类放大器
- 2003年
- 对采用 MEMS开关的 E类放大器进行了原型仿真 ,并且通过工艺流片制作 MEMS开关 ,搭建 E类放大器电路进行测试 .测试结果显示 ,这种机械式的放大器同样能实现有源放大器的功能 .测试得到的放大器实际效率与原型模拟结果一致 ,而放大器的功率增益高达 2 0 0 0 .
- 顾洪明吕苗梁春广高葆新
- 关键词：MEMSE类放大器开关微电子机械系统
- 一种串联RFMEMS开关的隔离度补偿措施
- 2004年
- 提出了采用陷波电路结构来补偿串联RFMEMS开关断开时的耦合电容,提高其隔离度的一种方法。理论分析显示,采用这种方法,在2～5GHz的频率范围内,可以使开关的隔离度最多提高15郾6dB,而插入损耗只受到0郾07dB的影响。
- 顾洪明吕苗高葆新
- 关键词：MEMS开关隔离度
- 微机械开关在MMIC中的应用
- 本文介绍了微机械开关的形式、物理特性,分析了其工作原理。文中采用一端固定、一端自由运动的悬臂梁的力学模型,给出了MEMS开关设计的经验公式，最后,对微机械开关在MMIC中的发展前景作出了预测。
- 顾洪明梁春广高葆新
- 关键词：微机械开关MMICMEMS开关微波集成电路
- 串联MEMS开关的瞬态电磁场分析
- 提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型,并且应用该模型,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关,采用全波分析方法,进行了瞬态电磁场分析.由于开关尺寸为微米量级,而驱动电压高达40～60V,这样的瞬态高压有可能对开...
- 顾洪明吕苗单福琪高葆新梁春广
- 关键词：微机电系统电磁耦合体硅工艺
- 文献传递
- 一种DC～5GHz串联微波开关的温度特性和功率处理能力的测试与分析(英文)被引量：2
- 2004年
- 描述了一种串联微波 MEMS开关的设计、制造过程 ,它制作在玻璃衬底上 ,采用金铂触点 ,在 DC～ 5 GHz,插损小于 0 .6 d B,隔离度大于 30 d B,开关时间小于 30μs.对这种微波开关的温度特性和功率处理能力进行了测试 ,在DC～ 4 GHz,85℃下的插损增加了 0 .2 d B,- 5 5℃下的插损增加了 0 .4 d B,而隔离度基本保持不变 .在开关中流过的连续波功率从 1 0 d Bm上升到 35 .1 d Bm ,开关的插损下降了 0 .1～ 0 .6 d B,并且在 35 .1 d Bm (3.2 4 W)下开关还能工作 .和所报道的并联开关最大处理功率 (4 2 0 m W)相比 。
- 吕苗赵正平娄建忠顾洪明胡小东李倩
- 关键词：MEMS开关温度特性EEACC
- 采用MEMS开关的高效率E类放大器的设计
- 顾洪明
- 关键词：开关
