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高元恺

作品数:13 被引量:30H指数:3
供职机构:哈尔滨工业大学航天学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇砷化镓
  • 3篇电沉积
  • 2篇势垒
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇电容
  • 1篇电容式
  • 1篇多晶
  • 1篇新型结构
  • 1篇性能研究
  • 1篇折变
  • 1篇湿度传感器
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇铌酸锂

机构

  • 13篇哈尔滨工业大...
  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇山东大学

作者

  • 13篇高元恺
  • 11篇韩爱珍
  • 3篇林逸青
  • 3篇王喜莲
  • 3篇赵永春
  • 2篇李铭华
  • 2篇吴杰
  • 1篇杨志伟
  • 1篇金光海
  • 1篇陈士芳
  • 1篇曹一江
  • 1篇张敬东
  • 1篇徐玉恒
  • 1篇刘彩霞
  • 1篇李浴春
  • 1篇胡柏祥
  • 1篇王磊

传媒

  • 4篇太阳能学报
  • 3篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇1997
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1989
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs 薄膜电沉积的机理与工艺研究被引量:3
1997年
报道了电共沉积制备GaAs簿膜的原理与工艺。通过优化工艺参数,在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜。
韩爱珍林逸青赵永春高元恺
关键词:电沉积砷化镓
电共沉积InGaAs薄膜材料被引量:1
2001年
阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于 1 3~ 1 5 μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、厚度及其表面形貌 ,分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。
王喜莲韩爱珍高元恺
关键词:INGAAS
在电共沉积GaAs薄膜上制作肖特基势垒的研究
2007年
应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用PVD法在其上淀积一层金属薄层,制备出MIS结构的肖特基势垒。经测试Ag-SiOx-nGaAs结构和Au-SiOx-nGaAs结构的I-V特性,表明所制备的肖特基势垒具有良好的整流特性。
曹一江王喜莲王磊韩爱珍高元恺
关键词:肖特基势垒
MCZ-Si与太阳电池
1993年
本文从阐述MCZ(Magnetic·field·applied CZ)-Si相对于CZ-Si的优点出发,预期用MCZ-Si制作的太阳电池应比CZ-Si太阳电池具有更高的转换效率.事实证明,利用相近原始参数的MCZ-Si和CZ-Si,在相同的工艺条件下,一同制作太阳电池,测试结果表明,前者的性能明显地优于后者.由此,可望MCZ-Si将成为制作太阳电池的一种好材料.
高元恺韩爱珍陈士芳张洪涌
关键词:太阳能电池
GaAs薄膜电沉积机理的初探被引量:11
1997年
 本文叙述了电沉积制备GaAs薄膜的原理.我们在不同的基片上均成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜.初步探讨了GaAs薄膜的电沉积机理.
韩爱珍林逸青赵永春高元恺
关键词:砷化镓
砷化镓薄膜的电共沉积工艺被引量:1
1990年
一、引言 众所周知砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,可用它制造太阳电池、光学滤波器、发光二极管、激光器和其它的光电器件。然而现有制备GaAs的工艺都是十分复杂、耗能大、生产周期长因而成本高,这样以来,就成为限制GaAs作为太阳电池等器件材料的主要因素。多年来,寻找低成本制备GaAs的工艺便成为半导体工作者的重要研究方向。这里介绍的称之为电共沉积工艺,就是一种低成本制备GaAs薄膜工艺。Chandra等人曾用此工艺成功地制备了CdSe、MoSe、WSe和CuIn-Se_2等薄膜,而对制备GaAs薄膜的研究报导却很少。
高元恺韩爱珍李小宇
关键词:砷化镓
电沉积砷化镓薄膜的研究
1993年
报道了电沉积法制备多晶砷化镓(GaAs)薄膜的工艺。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计和C-V测试仪对薄膜进行了测试,其成分为Ga_(0.91)As_(1.09)。根据Mott-Schottky曲线,计算了薄膜的能带位置。最后测量了Ga_(0.81)As_(0.09)/ 电解液结的光电化学特性。
高元恺韩爱珍林逸青赵永春张敬东
关键词:电沉积砷化镓
用电共沉积方法制备InGaAs薄膜被引量:3
2001年
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率.结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3~1.5μm.
王喜莲李浴春韩爱珍高元恺杨志伟
关键词:铟镓砷半导体薄膜
掺铁铌酸锂晶体的生长及其光折变位相共轭效应被引量:2
1993年
采用提拉法生长掺铁铌酸锂(Fe∶LN)晶体,测试了 Fe∶LN 晶体的位相共轭效应。以 Fe∶LN晶体为位相共轭镜,一次反馈实现了实时全息关联存储。
高元恺李铭华刘彩霞许世文赵业权
关键词:掺杂铌酸锂晶体生长位相共轭
多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究被引量:1
1994年
利用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪,分光光度计和C-V测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试.结果表明薄膜的成分接近化学计量的GaAs.根据薄膜的光吸收曲线和Mott-Schottky曲线计算了带隙值和能级位置.最后,测量了薄膜/电解液结的光电特性.
高元恺韩爱珍赵永春林逸青
关键词:多晶砷化镓
共2页<12>
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