高巍
- 作品数：13 被引量：85H指数：6
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- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 高真空条件下气压变化对绝缘闪络特性的影响被引量：6
- 2005年
- 对纳秒脉冲(10/30ns)下真空绝缘闪络电压随气压的变化趋势进行了实验研究,探讨的气压范围介于8×10-4Pa至标准大气压之间。研究发现,当气压位于高真空区域(10-4～10-1Pa)时,随着气压的改变,绝缘闪络电压无明显变化,基本保持恒定。深入剖析真空环境下的气体解吸附过程,得出如下结论:当气压进入高真空阶段时,表面放气已成为主要气体负荷,所释放气体均源于绝缘体表面的解吸附气体。真空闪络现象,事实上是一种在绝缘体表面气体解吸附后所形成一高气密环境中发生的放电过程。
- 高巍孙广生严萍
- 关键词：高真空闪络
- 常压下重频纳秒脉冲气体放电试验研究被引量：28
- 2005年
- 气体介质在重频(PRF)纳秒脉冲作用下的绝缘特性是高重频脉冲功率技术研发的基础。采用SPG200 重频纳秒脉冲电源,通过测量常压空气介质间隙(5、10、15、20mm),在不同重复频率(1、10、100、500、1000Hz)、不同电压幅值(60、80、100kV)作用下的击穿电压、电流、击穿延时及耐受时间,研究了空气的绝缘特性。结果显示重频脉冲常压下空气的击穿场强比单次脉冲时低得多;随击穿场强的增大,击穿时延、重频耐受时间均有减小的趋势,高PRF 时减小趋缓。低PRF 下的放电发展过程与单次时的放电发展过程差别不大,而与高PRF 下的不同。最后对纳秒脉冲下击穿时延及放电机理等进行了一些讨论。
- 邵涛袁伟群孙广生严萍王珏高巍张适昌苏建仓俞建国
- 关键词：气体放电脉冲功率技术脉冲作用电压幅值放电机理高重频
- 气压变化对真空绝缘闪络电压的影响
- 对纳秒脉冲下真空绝缘闪络电压随气压的变化趋势进行了实验研究,探讨的气压范围介于9×10-4Pa至标准大气压之间.研究发现,当气压位于高真空范围(10-5Pa-10-1Pa)时,绝缘闪络电压不随气压变化而改变,基本保持恒定...
- 高巍孙广生严萍
- 关键词：真空绝缘真空闪络闪络电压气压纳秒脉冲
- 文献传递
- 吸附气体在真空绝缘沿面闪络过程中的作用被引量：5
- 2006年
- 对纳秒脉冲(10/30ns)下真空绝缘闪络电压随气压的变化趋势进行了实验研究,结果表明当气压位于高真空区域(10?4Pa?10?1Pa)时,闪络电压与气压变化无关。分析认为,高真空条件下,背景环境气体分子平均自由程远大于极间距离,分子间碰撞电离已不可能发生。固体表面有大量吸附气体分子存在,吸附气体释放是导致闪络发生的关键。由于电子质量与分子质量间的巨大差异,气体分子脱附并非主要依靠电子能量和动量的直接转移,而是受到电子激励,从低能态被激发到高能态,进而克服固体表面位垒脱附到真空中。在初始电子激励下,气体脱附过程始于闪络发生之前。真空沿面闪络现象是一种在绝缘体表面气体脱附后形成一高气密环境中发生的贯穿性放电过程。
- 马欣高巍孙广生严萍
- 关键词：纳秒脉冲高真空沿面闪络脱附
- 高压纳秒脉冲下真空绝缘沿面闪络特性研究
- 真空-绝缘体交界面是一个物理性质和化学性质均不同于真空状态和绝缘介质内部的物质相，真空绝缘沿面闪络现象的存在严重制约着高压真空电气设备的耐压能力。基于脉冲功率技术高电压、大电流、窄脉宽的发展趋势，高压纳秒脉冲真空绝缘沿面...
- 高巍
- 关键词：纳秒脉冲
- 文献传递
- 高真空条件下绝缘闪络机理研究的评述被引量：14
- 2005年
- 实验研究了ns脉冲(10/30ns)下真空绝缘闪络电压随气压(10-5～10-1Pa)的变化趋势,结果表明高真空范围内的气压变化不影响绝缘闪络电压。剖析真空环境下的气体解吸附过程表明:高真空阶段时表面放气已成主 要气体负荷;气体解吸过程始于闪络发生前,且所释放气体均源于绝缘体表面的吸附气体而非背景环境;闪络时绝 缘表面已形成良好的气体放电环境,即真空中的闪络实为绝缘体表面气体解吸后形成的高气密环境中的放电过 程。
- 高巍孙广生严萍
- 关键词：高真空闪络
- 纳秒脉冲下真空绝缘沿面闪络特性实验研究被引量：11
- 2006年
- 通过实验研究了纳秒脉冲（10／30ns）T，真空绝缘沿面闪络电压随圆台形绝缘体锥角、圆柱形绝缘体截面直径、实验气压以及电极材料等物理因素的变化趋势，结果表明圆台形绝缘体锥角变化对闪络电压影响非常明显;厚度相同的圆柱形绝缘体闪络电压随截面直径的增大而降低，且直径越小，变化幅度越大；当气压处于高真空范围，即10^-5～10^-1Pa时，气压变化对闪络电压不构成影响;高真空条件下不同电极材料对闪络电压无影响。并在系统分析实验结果的基础上，提出了真空绝缘结构设计原则。
- 高巍孙广生严萍谷琛
- 关键词：纳秒脉冲闪络高真空锥角
- 基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说被引量：5
- 2004年
- 系统阐述了基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说的核心论点,即绝缘体表层气体解吸附是导致闪络发生的关键,分析了假说中的阴极三结合点场致电子发射、二次电子崩产生、二次电子发射系数δ、绝缘体表面电荷、绝缘体表面气体解吸附等因素在闪络过程中的作用。
- 高巍孙广生严萍邵涛
- 关键词：二次电子场致电子发射表面电荷假说绝缘体闪络
- 纳秒脉冲圆台形绝缘体真空沿面闪络特性实验研究
- 2005年
- 实验研究了纳秒脉冲(10／30ns)下圆台形绝缘体真空绝缘沿面闪络特性,结果表明锥角变化对闪络电压影响显著,45°锥角时闪络电压最高。与圆柱形绝缘体相比,脉冲电压下,±45°圆台形绝缘体闪络电压增幅较大,且脉宽越窄,增幅越大;直流和交流电压波形下,圆台形闪络电压增幅较小。分析认为,45°锥角时阴极三结合点处电场减弱幅度最大,初始场致发射电子数量受到抑制,电子沿绝缘体表面的倍增过程较难实现。预闪络期间直流、交流电压下正离子有时间积累起足够多的能量参与碰撞电离。而纳秒脉冲闪络过程中正离子数纳秒时间内积累起的能量非常有限,作用忽略不计。闪络电压与电压随时间的上升速率有关,纳秒脉冲电压上升速率极快,对应放电时延的电压增幅较大,因此纳秒脉冲闪络电压高于其它电压波形。
- 高巍邵涛孙广生严萍黄文力谷琛
- 关键词：纳秒真空沿面闪络
- 真空绝缘条件下沿面闪络的电子触发极化松弛理论
- 本文从假说提出的实验依据、电荷陷阱化过程、电介质充电机理、空间电荷稳定性被破坏以及沿面闪络发生等多角度,系统地论述了Blaise和Gresus提出的、目前在学界认同感较强的基于极化能量释放导致沿面闪络的新假说,即电子触发...
- 高巍孙广生严萍
- 关键词：真空绝缘沿面闪络陷阱电荷
- 文献传递
