鲍希茂
- 作品数：76 被引量：293H指数：11
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源被引量：4
- 2001年
- 我们借助傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）以及光致激发谱（ＰＬＥ），研究了 ＳｉＯ_２／Ｇｅ：ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_２夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密相关。ＰＬＥ的结果证实它们来源于ＧｅＯ色心ＴⅡ’→Ｓ０的光学跃迁，给出的ＧｅＯ电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。
- 沈今楷吴兴龙袁仁宽谭超邓树胜鲍希茂
- 关键词：光荧光氧化锗
- 硅基发光材料研究-多孔硅,多孔SiC,硅基纳米镶嵌材料和超晶格材料
- 鲍希茂刘湘娜吴兴龙郑祥钦冯端
- 微电子学是现代信息技术的基础，而集成光电子学的发展，将使计算机换代，信息技术改观。硅基发光材料是从微电子技术出发实现光电子集成的材料基础。多孔硅是硅基发光材料的重大突破。该项目得到国国家自然科学基金连续支持，上海冶金所离...
- 关键词：
- 关键词：硅基发光材料多孔硅超晶格材料离子注入
- 硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究被引量：24
- 2000年
- 报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积 ,并于 1 5wt% H2 SO4 ,温度 2 5℃和 4 0 V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备 (膜厚约 4 0 0 nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱 ( FTIR)、光致荧光光谱 ( PL)和荧光激发光谱 ( PLE)。发现其荧光光谱在 2 80～ 50 0 nm范围内由三个主发射带组成 ,其峰值分别位于 3 1 2 nm,3 67nm和 4 49nm。所有这三个 PL带 ,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧空位缺陷有关。 3 1 2 nm和 3 67nm的发射带分别来源于与氧空位相关的 F+ ( 1 B→ 1 A)和 F( 3 P→ 1S)中心 ,而 4
- 吴俊辉邹建平朱青鲍希茂
- 关键词：阳极氧化铝光致发光荧光发射硅衬底
- 离子注入技术与硅基发光材料被引量：13
- 1997年
- 硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。离子注入技术在硅基发光材料的研究与开发中有极重要的作用。多孔硅的发现是硅基发光材料的一项重大进展。继多孔硅之后，相继出现了多孔ＳｉＣ蓝光材料，Ｓｉ＋注入ＳｉＯ２蓝光材料和Ｇｅ＋注入ＳｉＯ２紫光材料，使硅基发光材料的研究进入了一个欣欣向荣的新阶段。
- 鲍希茂
- 关键词：发光材料离子注入光电子集成多孔硅
- 硅中离子注入硼的异常扩散
- 1989年
- 本工作用不同的Si^+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.
- 郭强鲍希茂严勇冯端
- 关键词：离子注入扩散退火
- 硅基纳米SiC的制备及其微结构分析被引量：9
- 1997年
- 在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．
- 李宁生鲍希茂廖良生吴晓华高义华张泽
- 关键词：半导体碳化硅微结构
- 多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析被引量：3
- 1993年
- 对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源。
- 郑祥钦杨海强阎锋鲍希茂
- 关键词：多孔硅光致发光量子限制效应硅
- 硅基多孔β－SiC蓝光发射的稳定性被引量：14
- 1996年
- 在自然存放、光辐照以及高温氧化等条件下，通过与常见多孔硅发光性能的对比，发现硅基多孔β－ＳｉＣ具有稳定的蓝光发射．
- 廖良生鲍希茂王水凤闵乃本
- 关键词：硅碳化硅蓝光发射稳定性
- 多孔硅荧光皮秒衰减测量与发光机理分析被引量：2
- 1993年
- 荧光光谱、荧光皮秒衰减和红外光谱测量表明,自然氧化多孔硅中有两种不同的发光机理并存,一种是由量子限制效应所决定的,另一种是由氧化引入的发光机理。
- 章肖融鲍希茂阎锋干昌明蔡志岗黄旭光周世英
- 关键词：多孔硅发光荧光
- 用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷
- 1993年
- 在预非晶化硅衬底上淀积Ti金属膜,经600℃及850℃.60分钟退火形成硅化钛.在Ti硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷.而没有淀积Ti膜的预非晶化硅样品,即使退火温度高达1000℃,射程端缺陷也不能完全被消除.
- 郑虹鲍希茂洪建明
- 关键词：离子注入硅化物钛
