黄俊
- 作品数：30 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法
- 本发明公开了一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，包括：测量AlGaN/GaN HEMT器件的CV曲线；对CV曲线通过数学变形得到C<Sup>-2</Sup>同栅压之间的关系，作C<Sup>-2</S...
- 赵妙王鑫华刘新宇欧阳思华黄俊
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- 一种T型栅HEMT器件及其制作方法
- 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内...
- 魏珂刘新宇黄俊刘果果
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- 凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应(英文)被引量：1
- 2008年
- 研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低.介绍了一种AlGaN/GaNHEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃,N2氛围退火10min.退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.
- 刘果果黄俊魏珂刘新宇和致经
- 关键词：GAN干法刻蚀退火
- 一种制作U型栅脚T型栅结构的方法
- 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiN<Sub>x</Sub>钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiN<Sub>x<...
- 孔欣魏珂刘新宇黄俊刘果果
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- 一种制作U型栅脚T型栅结构的方法
- 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiN<Sub>x</Sub>钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiN<Sub>x<...
- 孔欣魏珂刘新宇黄俊刘果果
- SiC衬底的减薄方法
- 本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根...
- 魏珂黄俊刘果果李诚瞻刘新宇
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- AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术被引量：1
- 2009年
- 对AlGaN/GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀。
- 黄俊魏珂刘新宇
- 关键词：ALGAN/GANHEMTC2H4
- 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法
- 本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等...
- 黄俊魏珂刘新宇刘果果樊捷
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- 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：2
- 2007年
- 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干法刻蚀增加了Al GaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与Al GaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使Al GaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,Al GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
- 李诚瞻庞磊刘新宇黄俊刘键郑英奎和致经
- 关键词：等离子体刻蚀栅电流
- 最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT(英文)被引量：5
- 2011年
- 报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz,最大振荡频率(fmax)为105GHz.采用湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50 GHz,最大振荡频率提高到200 GHz.
- 刘果果魏珂黄俊刘新宇牛洁斌
- 关键词：ALGAN/GANHEMT蓝宝石衬底湿法腐蚀
