丁萃
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究
- 2011年
- 传统的纳米谐振器压阻检测在工艺上需解决制备结深浅、掺杂浓度高的薄层电阻的技术难题。基于MOS电容衬底压阻的谐振式纳米梁系统是一种新型的压阻检测方案,它通过将MOS电容耗尽层下的掺杂区用作力敏电阻,回避了制备浅结高浓度电阻的技术问题,也解决了MOS沟道压阻抗干扰性差的问题,在SoI硅片上制作了150 nm厚的梁结构。在检测方面,通过设计屏蔽式驱动封装结构,解决了驱动信号电磁耦合干扰的问题,并结合一系列降低噪声、减小串扰的措施,实现了μV量级的微弱信号检测。测试得到该结构在常温常压下的Q值为197,谐振峰频率为3.96 MHz,输出端检测灵敏度为0.73 mV/nm。
- 丁萃成海涛杨恒
- 关键词：谐振器压阻检测MOS电容
- 采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法
- 本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米...
- 杨恒吴燕红丁萃吴紫阳戴斌李昕欣王跃林
- 采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构的制作方法
- 本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米...
- 杨恒吴燕红丁萃吴紫阳戴斌李昕欣王跃林
- 文献传递
