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介万奇

作品数:531 被引量:1,194H指数:17
供职机构:西北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 337篇期刊文章
  • 123篇专利
  • 58篇会议论文
  • 11篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇标准

领域

  • 142篇金属学及工艺
  • 130篇理学
  • 128篇电子电信
  • 62篇一般工业技术
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  • 12篇化学工程
  • 7篇机械工程
  • 7篇医药卫生
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  • 3篇文化科学
  • 2篇天文地球
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇历史地理

主题

  • 141篇晶体
  • 101篇合金
  • 66篇晶体生长
  • 51篇凝固
  • 45篇CDZNTE
  • 42篇半导体
  • 36篇镁合金
  • 35篇单晶
  • 25篇TE
  • 22篇碲锌镉
  • 22篇金属
  • 22篇MN
  • 21篇铝合金
  • 20篇退火
  • 20篇布里奇曼法
  • 19篇力学性能
  • 19篇力学性
  • 18篇偏析
  • 18篇纳米
  • 17篇CDZNTE...

机构

  • 526篇西北工业大学
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  • 6篇西安交通大学
  • 6篇昆明物理研究...
  • 6篇第四军医大学...
  • 6篇陕西迪泰克新...
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  • 2篇西北大学
  • 2篇西安科技大学
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  • 2篇新乡市航空锻...
  • 1篇成都理工大学

作者

  • 531篇介万奇
  • 108篇王涛
  • 77篇徐亚东
  • 62篇查钢强
  • 49篇杨光昱
  • 39篇郝启堂
  • 37篇李焕勇
  • 28篇陈福义
  • 28篇傅莉
  • 23篇刘长友
  • 23篇李新雷
  • 22篇谷智
  • 21篇赵清华
  • 20篇孙晓燕
  • 18篇郭喜平
  • 18篇周尧和
  • 17篇李国强
  • 16篇刘少军
  • 16篇何亦辉
  • 16篇陈忠伟

传媒

  • 52篇功能材料
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  • 13篇Journa...
  • 13篇铸造
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年份

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  • 7篇2021
  • 7篇2020
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  • 26篇2014
  • 17篇2013
  • 42篇2012
  • 35篇2011
  • 32篇2010
  • 29篇2009
  • 26篇2008
  • 42篇2007
  • 24篇2006
  • 28篇2005
531 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
凝固过程的分凝行为及其应用
介万奇刘晓华刘俊诚马东周尧和郭喜平
该项目针对金属凝固及化合物半导体晶体生长的溶质分凝及成分偏析进行了较为系统的理论研究,并在理论研究的基础上进行了应用技术的开发。本研究结合II-VI族化合物的晶体生长过程,揭示了二元及伪二元材料晶体生长过程的界面溶质分凝...
关键词:
关键词:凝固偏析
Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析
2001年
采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT B和CMT A两根晶锭 ,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0 9Mn0
常永勤谷智郭喜平介万奇
关键词:BRIDGMAN法微裂纹位错晶体生长
坩埚加速旋转技术对晶体生长固液界面形貌的影响规律研究
生长界面形貌是控制晶体质量和性能的关键,如何有效控制生长界面形貌对改善晶体质量至关重要。本文采用淬火技术获得不同生长条件下 CdZnTe 晶体的生长界面,通过对生长界面宏观和微观形貌的研究,重点揭示了在移动加热器法(Tr...
周伯儒王涛殷利迎杨帆介万奇
关键词:CDZNTE移动加热器法
探测器级CdZnTe晶体变温特性研究
2011年
采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230~300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提高探测器的能量分辨率。
徐亚东何亦辉王涛查钢强傅莉介万奇
关键词:CDZNTEΑ粒子漏电流
p-CZT的钝化处理和C-V特性研究
2006年
采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层。用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在1MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试。对测试结果的计算表明,钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度b。未钝化的b为1.393 V,钝化后b变为1.512 V。
李强介万奇付莉汪晓芹查刚强杨戈
关键词:钝化C-V特性
生长碲锰汞晶体的方法
本发明公开了一种生长碲锰汞晶体的方法,该方法首先根据公式(1)、(2)和具体晶体生长工艺参数和给定晶体生长速度u,计算抽拉速度V与固相长度z的关系,绘出V~z/L关系图;根据V~z/L关系图确定初始抽拉速度、稳定抽拉速度...
介万奇谷智李国强华慧
文献传递
Cd/Zn气氛退火过程中CdZnTe晶体内Te夹杂的迁移研究被引量:2
2014年
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0.9 Zn0.1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀;退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm;退火后,在晶体表面,直径<45μm 的 Te 夹杂密度显著增大;而在晶体内部,直径<5μm 和>25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸<5μm 的 Te 夹杂颗粒.
周岩介万奇何亦辉蔺云郭欣刘惠敏王涛徐亚东查钢强
关键词:CDZNTECDZN合金退火
Al-Cu-Mn三元合金凝固过程中的枝晶粗化
研究了多元合金的二次枝晶粗化模型,并将该模型应用到Al-Cu-Mn合金的二次枝晶间距的计算中.其中在溶质反扩散通量的计算中,引入了溶质边界层,δi,可以简化枝晶粗化方程的求解过程.在不同定向凝固参数下计算了Al-3.75...
何志介万奇杨光煜
关键词:三元合金定向凝固
文献传递
LY12铝合金摩擦焊接过程的电场效应被引量:7
2002年
定量研究了外加强电场对LY12铝合金摩擦焊接头热影响区(HFZ)中动态再结晶区宽度与晶粒尺寸的影响,并初步探讨了其影响机制.实验结果表明.外加强电场使动态再结晶区晶粒细化、等轴性提高,超细等轴晶区亦加宽.此外,采用较高焊接压力时.电场的引入使焊接接头的动态再结晶区宽度增大10%-30见采用中等摩擦压力施焊时.电场的作用不但使焊接接头动态再结晶区宽度明显增加,而且还影响其沿径向的分布形态,使近轴心线处的动态再结晶区宽度趋于均匀.可以推断,外加强电场可使摩擦焊接头更易发生动态再结晶,而且强电场使焊合区组织的细化与均匀化.有利于提高焊接接头性能.
傅莉杜随更介万奇
关键词:电场效应动态再结晶铝合金
亚共晶Al-5.8%Cu合金的非平衡熔化行为被引量:2
2002年
分析了Al 5 8%Cu亚共晶合金在不同加热条件下的DSC试验结果 ,研究了具有不同凝固组织的试验合金的非平衡熔化行为。研究发现 ,其熔化开始温度随加热速度的增大略有升高 ;共晶熔化激活能与凝固组织相关 ,慢速凝固组织的熔化激活能大于快速凝固组织。凝固组织中存在的非平衡共晶在熔化前的加热过程中大部分溶解 ,剩余部分参与共晶熔化 ,溶解的非平衡共晶的量受溶质扩散面积和加热速度的共同作用 ,随加热速度的减小和扩散表面积的增大而增大。
王晓颖介万奇坚增运
关键词:DSCAL-CU合金亚共晶合金
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