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双微通道板紫外像增强器工作特性研究被引量：8: 2013年; 为了研究双微通道板(MCP)对紫外像增强器辐射增益的影响,本文利用南京理工大学制造的宽光谱像管增益测试仪,对单MCP和双MCP紫外像增强器的辐射增益分别进行了测试分析。通过改变阴极电压、MCP输出端电压这两个参数,研究了紫外像增强器辐射增益的变化情况。结果表明,相同工作状态下,双MCP的辐射增益是单MCP的100倍,这一现象与日本Hamamatsu公司报道的数据十分吻合。单MCP紫外像增强器,阴极饱和电压在300V附近,而双MCP紫外像增强器,阴极电压在300V附近未见饱和现象出现。单MCP和双MCP紫外像增强器中MCP的工作电压分别为800和1100V。此研究有助于探讨双MCP紫外像增强器的合适工作参数,对提高紫外辐射探测成像技术具有十分重要的意义。; 程宏昌端木庆铎石峰师宏立刘晖冯刘贺英萍侯志鹏闫磊任玲; 关键词：紫外像增强器

GaAs光电阴极像增强器的分辨力研究: 本文围绕均匀掺杂和指数掺杂GaAs光电阴极电子输运、分辨力及GaAs光电阴极在微光像增强器中的应用展开了研究。　　通过建立均匀掺杂GaAs光电阴极原子基本结构单元和电离杂质散射公式，模拟了光电子在均匀掺杂GaAs光电...; 任玲; 关键词：GAAS光电阴极微光像增强器电子输运分辨力结构参数

一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法: 本发明提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga<Sub>1-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>As缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发...; 张益军常本康赵静陈鑫龙钱芸生任玲徐源郝广辉金睦淳鱼晓华; 文献传递

前近贴脉冲电压对三代微光像增强器halo效应的影响被引量：3: 2013年; 为了探讨三代微光像增强器的合适工作电压,研究了前近贴脉冲电压对微光像增强器halo效应的影响.将脉冲电压信号加在光电阴极上,分别改变脉冲信号的高低电平电压幅值和占空比,利用高分辨率CCD采集了微光像增强器的halo图像,对比分析了halo图像中心线上各像素点对应的灰度值分布和光子计数.研究结果表明,随着高电平电压幅值和占空比的提高,灰度值为255的像素点数目变多,halo图像中背景和信号的边界越来越清晰.当前近贴电压增加到200V以上和占空比大于60%左右时,其对三代微光像增强器halo图像中心线上各像素点的灰度值分布影响不大.当低电平电压增加到2V以上时,光电子在低电平阶段无法克服阻滞场到达微通道板.此研究有利于探讨微光像增强器的最佳工作电压和光电子从阴极面出射时的能量分布,为提高三代微光像增强器的性能提供了实验支撑.; 任玲石峰郭晖崔东旭史继芳钱芸生王洪刚常本康; 关键词：微光像增强器 HALO 脉冲电压

运用蒙特卡罗方法分析像增强器分辨率被引量：5: 2012年; 介绍了运用蒙特卡罗方法分析三代微光像增强器分辨率的方法。该方法取一组随机数,来模拟像管中光电阴极受激发射的电子。综合考虑微通道板参数、第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等影响,模拟追踪电子的运动轨迹。并根据像面上电子的落点分布来计算调制传递函数,从而确定像管的分辨率。经比较,此方法计算简单、运行快速,模拟结果与实验值的偏差不超过5%,理论模型满足实际需求,可为三代微光像增强器的设计提供参考。; 武梅娟任玲常本康石峰付小倩; 关键词：微光像增强器微通道板蒙特卡罗方法调制传递函数

微通道板电子输运特性的仿真研究被引量：3: 2013年; 对微通道板(Micro-Channel Plate,MCP)的电子输运特性进行仿真研究.利用数值方法分析微光像增强器电子光学系统,得到电场分布.通过电场分布追踪MCP电子运动轨迹,确定电子在荧光屏像面上的落点分布.据此研究MCP电子输运,分析斜切角、通道直径及两端电压对电子输运、像增强器调制传递函数(Modulation Transfer Function,MTF)及分辨率的影响.结果显示,当MCP斜切角为14°、通道直径为5.0μm、两端电压为900 V时,MCP具有良好的电子输运特性,像增强器MTF特性好,分辨率高.; 王洪刚钱芸生王勇石峰常本康任玲; 关键词：微通道板电子输运调制传递函数分辨率

表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响被引量：1: 2013年; 研究表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响.计算梯度掺杂透射式GaN光电阴极的电子能量分布及逸出几率,结果显示梯度掺杂与均匀掺杂相比,可以获得更大的电子逸出几率;I势垒对电子逸出几率的影响显著,而II势垒影响较小.利用GaN光电阴极多信息量测试系统,测试两种GaN阴极样品的光电流.实验结果表明,梯度掺杂GaN样品比均匀掺杂电子逸出几率更大;单独进行Cs激活形成的I势垒对电子逸出几率有显著影响,而Cs/O共同激活形成的II势垒对其影响较小.; 王洪刚钱芸生杜玉杰任玲徐源; 关键词：表面势垒梯度掺杂 NEA GAN光电阴极

GaAs光电阴极及像增强器的分辨力研究: 本文围绕均匀掺杂和指数掺杂GaAs光电阴极电子输运、分辨力及GaAs光电阴极在微光像增强器中的应用展开了研究。通过建立均匀掺杂GaAs光电阴极原子基本结构单元和电离杂质散射公式,模拟了光电子在均匀掺杂GaAs光电阴极体...; 任玲; 关键词：光电阴极微光像增强器电子输运; 文献传递

均匀掺杂GaAs材料光电子的输运性能研究被引量：2: 2011年; 通过建立原子结构的理论模型和电离杂质散射理论公式,研究了光电子在透射式均匀掺杂GaAs光电阴极体内的输运过程,分析了光电阴极的掺杂浓度、发射层厚度、电子扩散长度等相关因素对阴极出射面的弥散圆斑以及到达阴极出射面的光电子数与激发光电子总数之比的影响.计算结果表明,当透射式均匀掺杂GaAs光电阴极发射层厚度为2μm、电子扩散长度为3.6μm、掺杂浓度为1×1019cm-3时,其极限线分辨率为769mm-1.此GaAs材料光电子的输运性能研究,对制备高性能GaAs光电阴极和提高微光像增强器的分辨率有重要的参考价值.; 任玲常本康侯瑞丽王勇; 关键词：GAAS光电阴极分辨率

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任玲