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任芳芳

作品数：68 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 66篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 21篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇二极管
  • 10篇氮化镓
  • 10篇探测器
  • 9篇电路
  • 8篇肖特基
  • 8篇晶体管
  • 7篇氧化镓
  • 7篇增强型
  • 6篇栅极
  • 6篇势垒
  • 6篇势垒层
  • 5篇电路工艺
  • 5篇偏振
  • 5篇集成电路
  • 5篇集成电路工艺
  • 5篇半导体
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶薄膜
  • 4篇等离子体共振
  • 4篇电源

机构

  • 68篇南京大学

作者

  • 68篇任芳芳
  • 32篇陆海
  • 26篇叶建东
  • 22篇顾书林
  • 22篇周东
  • 20篇周峰
  • 19篇朱顺明
  • 14篇张荣
  • 10篇郑有炓
  • 9篇汤琨
  • 7篇张彦芳
  • 6篇纪小丽
  • 6篇闫锋
  • 5篇徐阳
  • 4篇樊亚仙
  • 4篇王慧田
  • 3篇柏宇
  • 3篇陈璟
  • 2篇丁剑平
  • 2篇王珂

年份

  • 8篇2024
  • 10篇2023
  • 15篇2022
  • 7篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件原位测试系统
本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测...
周峰王文峰陆海徐尉宗周东任芳芳
一种UVC增强型PIN结构的4H-SiC紫外探测器
本发明公开了一种UVC增强型PIN结构的4H‑SiC紫外探测器，上电极4H‑SiC欧姆接触层采用非均匀掺杂的掺杂分布，在该层欧姆接触层内形成一个内建电场，有效降低了光生载流子在该层欧姆接触层内的复合几率，提升了电极的收集...
周东陆海徐尉宗任芳芳
文献传递
基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法
本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子...
叶建东陈燕婷张贻俊郝景刚任芳芳朱顺明顾书林张荣
一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法
一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法，ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜，采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法，解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配；低温缓冲层厚度约为200‑40...
叶建东张彦芳任芳芳朱顺明唐东明杨燚顾书林
文献传递
一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜及其制备
本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气...
叶建东陈选虎任芳芳朱顺明汤琨顾书林郑有炓
文献传递
基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器及其探测方法
本发明提出了一种基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器及其探测方法。其探测器包括多频表面等离子体共振天线和晶体管；多频表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括扇形环嵌套接收面和水平振子，扇形环嵌套接收面...
纪小丽王珂闫锋任芳芳
文献传递
基于超材料结构的偏振光调制器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料结构的偏振光调制器及其制备方法。该偏振调制器包括超材料结构、ITO导电层、P型电极层、N型电极层和发光器件，其中，ITO导电层设于发光器件的表面，超材料结构和P型电极层位于ITO导电层上；超材料...
任芳芳张崇德叶建东张荣陆海顾书林
ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED
一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED...
叶建东张彦芳沈洋卞岳任芳芳朱顺明汤琨顾书林
文献传递
基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN...
程亮陆海徐尉宗任芳芳周东
文献传递
一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法
本发明公开一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、氮化镓层、势垒层和栅极结构，势垒层两外侧的氮化镓层顶面分别设置有源极和漏极，栅极结构靠近源极...
周峰荣玉陆海徐尉宗周东任芳芳
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