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伊晓燕

作品数：269 被引量：135H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金广州市科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 227篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 4篇科技成果

领域

  • 66篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 5篇文化科学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 113篇发光
  • 91篇二极管
  • 87篇发光二极管
  • 72篇氮化镓
  • 42篇电极
  • 41篇衬底
  • 31篇金属
  • 30篇封装
  • 26篇多量子阱
  • 26篇芯片
  • 23篇蓝宝
  • 22篇蓝宝石
  • 21篇金属电极
  • 21篇功率
  • 20篇刻蚀
  • 19篇外延片
  • 18篇倒装
  • 18篇光刻
  • 15篇纳米
  • 14篇晶圆

机构

  • 269篇中国科学院
  • 8篇中国科学院大...
  • 2篇鹤壁市大华实...
  • 1篇厦门大学
  • 1篇扬州中科半导...

作者

  • 269篇伊晓燕
  • 189篇李晋闽
  • 168篇王军喜
  • 138篇刘志强
  • 118篇王国宏
  • 83篇杨华
  • 63篇李璟
  • 42篇谢海忠
  • 40篇郭金霞
  • 39篇王良臣
  • 37篇卢鹏志
  • 35篇于飞
  • 33篇詹腾
  • 32篇梁萌
  • 31篇张逸韵
  • 29篇郭恩卿
  • 26篇薛斌
  • 26篇汪炼成
  • 24篇郑怀文
  • 19篇田婷

传媒

  • 6篇Journa...
  • 6篇照明工程学报
  • 4篇半导体技术
  • 3篇半导体光电
  • 3篇第十三届全国...
  • 3篇第十四届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 7篇2024
  • 8篇2023
  • 13篇2022
  • 15篇2021
  • 12篇2020
  • 7篇2019
  • 5篇2018
  • 19篇2017
  • 11篇2016
  • 21篇2015
  • 36篇2014
  • 37篇2013
  • 27篇2012
  • 16篇2011
  • 4篇2010
  • 6篇2009
  • 6篇2008
  • 7篇2007
  • 6篇2006
  • 3篇2005
共 269 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬...
孔庆峰马平纪攀峰卢鹏志杨华刘志强伊晓燕王军喜王国宏曾一平李晋闽
失配光谱均匀化灯具
本发明公开了一种失配光谱均匀化灯具，包括：电路板；LED阵列，设置于电路板上，用于提供灯具工作时主要的光谱形态；发光元件，包括设置于LED阵列四周或间隙的特定波长光源，用于调整灯具的发光光谱，形成灯具表面的发光光谱均一化...
于飞李燕杨华王晓桐伊晓燕王军喜李晋闽
空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法
一种空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法，包括：选择性刻蚀外延结构上的N型氮化镓层，形成N型台阶，制作掩膜，形成隔离的深槽；沉积绝缘介质层，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在外延结构表面制作一层薄膜材料；制作掩膜，去...
张杨詹腾李璟刘志强伊晓燕王国宏
文献传递
一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法
一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法，该氮化物薄膜结构包括：一非晶衬底；一石墨烯缓冲层；一纳米结构支撑层；一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括：提供一非晶衬底；将石墨烯转移到非晶衬底上；利用化学气相...
伊晓燕王蕴玉刘志强梁萌王兵任芳尹越王军喜李晋闽
文献传递
红外探测器及其制备方法
本公开提供一种红外探测器及其制备方法，该红外探测器包括：衬底，设置于衬底上的势垒绝缘缓冲层，以及至少一个叠层单元，该至少一个叠层单元均匀设置于势垒绝缘缓冲层上，每个叠层单元均包括：超晶格吸收区，设置于势垒绝缘缓冲层上的中...
贾春阳张逸韵伊晓燕王军喜李晋闽
LED共晶焊方法
一种共晶焊方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上表面制作线路；步骤2：将钢网图形与基板上表面线路对准，并固定钢网和基板；步骤3：将LED芯片摆放于基板上表面钢网的图形中；步骤4：对LED芯片加压；步骤5：对基板进行加热，完...
郑怀文杨华卢鹏志李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
倒装高压发光二极管及其制作方法
一种倒装高压发光二极管，包括LED芯片和支撑基板；所述LED芯片包含多个LED芯片单元，所述每个LED芯片倒装焊接在支撑基板上；所述每个LED芯片单元包含n型半导体层、p型半导体层、有源层、p电极焊盘和n电极焊盘；其中所...
郭金霞田婷赵勇兵刘志强伊晓燕王军喜李晋闽
文献传递
GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
一种GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法，包括：在GaN基功率型LED的材料结构上沉积一掩蔽层；腐蚀出叉指状N－GaN电极；去除光刻胶清洗；在GaN基片表面沉积一隔离层；电极剥离；腐蚀掉SiO<Sub>2</...
陈宇王良臣伊晓燕郭金霞
文献传递
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）被引量：2
2018年
介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。采用原子层淀积(ALD)实现40 nm的栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.3 V。在栅压时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT饱和电流为0.71 A,特征导通电阻为5.73 m?·cm^2。在栅压时,器件的击穿电压为400 V,关断漏电流为320μA。器件的开启与关断电流比超过了109。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电流为1.8 n A。高的开启与关断电流比和低的栅漏电流反映了界面具有很好的质量。
赵勇兵程哲程哲张韵伊晓燕王国宏
关键词：ALGAN/GAN
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