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位永平

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇非晶
  • 2篇电特性
  • 2篇晶态
  • 2篇溅射
  • 2篇光电
  • 2篇光电特性
  • 2篇非晶态
  • 2篇INSB
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇带隙
  • 1篇探测器
  • 1篇探测器材料
  • 1篇消光
  • 1篇消光系数
  • 1篇光学
  • 1篇光学常数
  • 1篇光学带隙
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 3篇长春理工大学
  • 1篇吉林师范大学

作者

  • 3篇位永平
  • 1篇么艳平
  • 1篇薄报学
  • 1篇邓敏
  • 1篇陈甫
  • 1篇曲博文

传媒

  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
非晶InSb探测器材料光电特性研究
和晶态InSb材料相比,非晶a-InSb材料具有成本低,制备工艺简单等优点。但是目前国内外还缺乏非晶态半导体材料全面和详尽的研究。本文开展了a-InSb薄膜制备、表征和氢钝化方面的研究工作。 本论文根据非晶态薄膜的生长机...
位永平
关键词：INSB非晶态磁控溅射光电特性
文献传递
非晶InSb控测器材料光电特性研究
和晶态InSb材料相比，非晶a-InSb材料具有成本低，制备工艺简单等优点。但是目前国内外还缺乏非晶态半导体材料全面和详尽的研究。本文开展了a-InSb薄膜制备、表征和氢钝化方面的研究工作。　　 本论文根据非晶态薄膜的...
位永平
关键词：磁控溅射光电特性
文献传递
气体压强对非晶InGaAs薄膜光学常数的影响
2010年
论述一种用透射谱包络线法计算非晶薄膜的折射率、消光系数和光学带隙的方法。通过正交实验确定除压强之外的工艺参数,研究压强的改变对薄膜主要光学常数的影响,运用最小二乘法、内插值法在matlab编程基础上,拟合出光学常数曲线,借由观察曲线的特点,分析在低工作气压下,气压的改变对光学常数的影响。
陈甫位永平么艳平邓敏曲博文薄报学
关键词：光学常数消光系数光学带隙
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