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何安林

作品数:17 被引量:29H指数:3
供职机构:中国原子能科学研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 7篇理学
  • 4篇核科学技术
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 13篇单粒子
  • 7篇单粒子效应
  • 6篇单粒子翻转
  • 5篇SRAM
  • 4篇质子
  • 4篇重离子
  • 3篇束流
  • 3篇航天
  • 3篇航天器
  • 3篇错误率
  • 2篇电路
  • 2篇移动控制
  • 2篇束流诊断
  • 2篇随机存储器
  • 2篇纳米集成电路
  • 2篇静态随机存储...
  • 2篇空间辐射环境
  • 2篇集成电路
  • 2篇加速器
  • 2篇核物理

机构

  • 16篇中国原子能科...
  • 1篇国防科学技术...

作者

  • 16篇何安林
  • 15篇郭刚
  • 14篇沈东军
  • 14篇史淑廷
  • 14篇刘建成
  • 12篇范辉
  • 9篇蔡莉
  • 6篇惠宁
  • 4篇高丽娟
  • 4篇宋雷
  • 2篇陈泉
  • 2篇王惠
  • 2篇王贵良
  • 1篇唐洪彬
  • 1篇吴振宇
  • 1篇池雅庆
  • 1篇游曲波
  • 1篇赵芳
  • 1篇吴明宇
  • 1篇何辉

传媒

  • 7篇原子能科学技...
  • 2篇现代应用物理
  • 1篇同位素

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响被引量:2
2018年
本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示,SEU截面随温度的变化改变了SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果。
蔡莉刘建成覃英参李丽丽郭刚史淑廷吴振宇池雅庆惠宁范辉沈东军何安林
关键词:重离子单粒子效应单粒子翻转温度效应静态随机存储器
大容量SRAM单粒子效应测试系统的设计和验证
和大气环境中的高能粒子可能致使航天器和近地空间飞行器的半导体器件发生单粒子效应,威胁其可靠性和寿命.静态随机存储器(SRAM)是航天器和近地空间飞行器电子学系统的重要组成部分,对SRAM单粒子效应的研究是充分认识单粒子效...
范辉刘建成郭刚沈东军史淑廷蔡莉何安林
关键词:航天器电子系统静态随机存储器单粒子效应虚拟仪器技术
现代纳米集成电路质子单粒子效应研究进展
了国际上纳米集成电路低能质子单粒子效应,高能质子与高Z器件材料核反应等研究进展.介绍了北京HI-13串列加速器低能质子辐照实验研究,实验针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储器,实验结果显示低...
何安林郭刚沈东军宋雷刘建成史淑廷范辉
关键词:航天器纳米集成电路单粒子效应
65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估被引量:5
2019年
质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%~86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。
何安林郭刚沈东军刘建成史淑廷
关键词:空间辐射环境
加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用被引量:3
2015年
为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。
蔡莉刘建成范辉郭刚史淑廷惠宁王惠王贵良沈东军何安林
关键词:重离子单粒子效应单粒子翻转
14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究被引量:10
2015年
在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。
范辉郭刚沈东军刘建成陈红涛赵芳陈泉何安林史淑廷惠宁蔡莉王贵良
关键词:高压倍加器SRAM单粒子效应截面
离子径迹结构对SRAM单粒子翻转截面的影响被引量:2
2014年
本文基于北京HI-13串列加速器的单粒子效应测试终端对0.15μm工艺的SRAM进行了单粒子效应测试,再次验证了在截面曲线接近饱和区部分,高能离子翻转截面低于低能离子翻转截面的现象。采用Geant4对其进行模拟研究,结果表明,相同LET条件下高能离子可在较远处沉积能量,更易使同一存储单元内相邻的节点共享电荷发生单粒子翻转恢复而减小其单粒子翻转截面,而低能离子进行单粒子效应测试的结果相对保守。
高丽娟郭刚蔡莉何安林
关键词:单粒子翻转离子径迹电荷收集扩散电荷共享
^(252)Cf生产关键技术及展望
2022年
^(252)Cf是一种重要的超钚元素,可用于核反应堆启动、中子照相、中子活化分析、地质勘探等核技术应用及基础科研,目前世界上只有美国和俄罗斯具备^(252)Cf生产能力。本研究对^(252)Cf基本性质、国外^(252)Cf生产现状进行介绍,提出^(252)Cf生产需攻克的关键技术。
何安林何辉李宗洋唐洪彬李峰峰吴明宇邹益晟罗志福
关键词:高通量堆
质子单粒子效应实验束流诊断中的SEEM研制
2015年
针对目前我国急需开展质子单粒子效应辐照实验的需求,研制了适用于质子束流注量率监测的次级电子发射监督器(secondary—electronemissionmonitor,SEEM)。测试结果表明,SEEM在监测注量率为109~1010cm-2·s-1的质子束流时,其电流与注量率间的线性相关性很好,可应用于质子单粒子效应实验束流诊断。同时,测量了不同质子能量下铝的次级电子发射系数,测量值与理论计算结果吻合较好。
宋雷郭刚沈东军陈泉刘建成何安林韩金华范辉史淑廷
关键词:SEEM束流诊断
现代纳米集成电路质子单粒子效应研究进展被引量:1
2015年
近年来,随着半导体工艺技术的迅速发展,质子单粒子效应研究的重要性上升到了一个新的高度。综述了国际上纳米集成电路质子单粒子效应研究的主要进展,如低能质子成为纳米集成电路单粒子效应和软错误率的主要贡献因素,中高能质子与新型器件材料(如钨)核反应研究成为质子单粒子效应新的热点问题,介绍了中国原子能科学研究院在纳米集成电路低能质子实验方面开展的相关工作。
何安林郭刚沈东军刘建成史淑廷范辉宋雷
关键词:质子单粒子效应核反应
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